电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定ZL101铸铝合金中硅的含量

翟声明 冯 霖 王 翔 赵立亚

(山西银光华盛镁业股份有限公司，山西 闻喜 043800)

前言

我国作为世界上有色金属铸件的生产和消费大国之一，有色金属铸造已成为支撑国民经济发展的重要新兴产业，而铸铝合金的生产更是其中强有力的支柱，以其优越的性能广泛应用于航空工业及民用工业中。

现代铸造铝合金按主要加入元素可分为四个系列，即铝硅系、铝铜系、铝镁系及铝锌系。对于绝大多数的铸铝合金，硅元素的添加于材料本身的各种性能都有着不容忽视的作用。所以，准确、快速地测定铸铝合金中硅的含量，将直接影响车间能否及时生产出合格优质的产品。

对于铸铝合金中高含量硅的测定，一般采用重量法[1]，适用范围是0.30%～25.00%，该法虽测定范围较宽，具有较高的准确度，但是操作繁琐费时费力且不适用于较大批量试样的分析。低含量硅的测定通常采用硅钼蓝分光光度法[2]，适用范围为0.0010%～0.40%，此方法虽灵敏度较高，但对其测定条件pH值及温度的要求又较为苛刻。与经典的化学分析法相比，电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法具有检出限低、准确度高、线性范围灵活可调，试样用量少且多种元素可同时测定等优点，是当前适用范围较广的分析方法[3-4]。本文利用电感耦合等离子体原子发射光谱仪，探究试样溶解条件及加酸量对铸铝ZL101合金中硅含量测定的影响，确定电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定铸铝ZL101合金中硅含量的工作参数。……