秦 维,刘 杰,刘 念,王 笑,贾永兵,冯 晓,闫卫军
(陕西省西安应用光学研究所 陕西 西安 710065)
计算机光学元件制作的过程中,主要使用掩模法、反应离子束刻蚀法等,目前已经开始应用在军事等国家重要领域中,形成了良好的技术应用和发展模式,属于我国各个领域中先进、可靠的技术基础。
此类制作方式主要就是利用掩模的光学制版刻蚀方式,用来进行二级、多级台阶特点的衍射光学元件制作,其可以在掩模板进行曝光之后,形成亮度、暗度相互交替的二值化图案,然后利用薄膜向下沉积形式或者是离子向下刻蚀的形式,使得图案能够转移到基片上面,实现元件制作的目的。二级台阶元件制作期间,通常需要多个掩模,开展多次刻蚀处理工作,每次刻蚀期间都必须明确各个掩模之间的图样有无相互重叠现象,对准的位置必须有一定的精确度,刻蚀期间必须保持着垂直的前进方向,针对位相具体的深度、宽度等进行准确控制,将误差设定在1%之内。近年来在计算机光学元件制作期间,为了改进掩模制作形式,已经开始采用直 写灰度掩模制作方式、模拟灰度掩模制作方式等,取得了良好的光学元件制作成绩,值得进一步的推广和应用[1]。
反应离子束刻蚀技术属于目前较为先进的光学元件制作技术手段,主要是将离子轰击溅射、化学反应相互整合,最高程度上加快刻蚀的速度、提升制作效率。……