TFT-LCD白点不良机理研究及改善

刘 信， 高玉杰， 郭 坤， 杨 志， 程 石， 林鸿涛， 毛大龙，盛子沫， 赵 剑， 吴 伟， 郭会斌， 江 鹏

(1. 武汉京东方光电科技有限公司，湖北 武汉 430040；2. 北京京东方显示技术有限公司，北京 100176)

1 引 言

随着生活水平提升，人们对显示器的品质需求越来越高，高分辨率、高刷新频率、高对比度、高亮度等高端产品逐渐占领市场。高端产品开发必然带来成本和周期的上升，进而影响企业收益，因此各企业不断采取各项措施来降低产品开发和生产成本[1-2]。四道掩膜版工艺是各工厂为降低生产成本而普遍采用的一种曝光工艺，相比于五道掩膜版工艺，减少了一道光刻工艺，即有源层和数据线采用一道掩膜版完成，用半曝光替代全曝光，减少工艺流程，提升工厂产能，增加产品收益。但四道掩膜版工艺会使数据线下方存在有源层，在显示器使用时，光照会使有源层导电，等效于数据线宽度增加[3-4]。高端产品的设计，在考虑工艺波动的情况下，其走线宽度和间距均处于极端值，四道掩膜版工艺带来的实际数据线宽度增加加重了液晶显示器的负载，影响产品画质及良率，本文研究的白点不良就是其中的一例。

对于任何一种高端显示器的开发，产品性能和良率一样重要。本文主要研究了四道掩膜版工艺导致白点不良的原因，通过光照和高温实验，明确了不良发生的机理。同时研究了栅极和源极的耦合电容及子像素存储电容对白点不良的影响，通过工艺调整相应的几何尺寸和膜厚，解决白点不良，为后续高端产品的四道掩膜版设计及工艺提供了可行性方案。……