高功率微波模拟源研究现状

西安电子工程研究所 马世川 张 帆 金兆鑫

高功率微波源是高功率微波技术的核心器件，也是开展效应机理研究的基础部分。本文列举了国内外多种典型的高功率微波模拟源，着重介绍了西安电子工程研究所研制的宽带高功率微波模拟源，经过测试其远场辐射因子可达271kV，工作中心频率为300MHz，百分比带宽约为52%，是一种典型的宽带高功率微波辐射系统，可用于宽带高功率微波电磁环境的模拟。

高功率微波是强电磁脉冲的一种，其频率在300MHz～300GHz之间、峰值功率高于100MW。高功率微波自问世以来便受到世界各国的重视，对高功率微波技术的研究主要包括高功率微波源、高功率微波效应机理以及高功率微波武器系统，其中高功率微波源是高功率微波技术的核心器件，也是开展效应机理研究的基础部分，其按频谱划分一般可分为宽带高功率微波源和窄带高功率微波源，其中宽带高功率微波由于有较快的上升沿以及较宽的频谱范围（百分比带宽大于1%），故其易于与目标耦合和相互作用，对电子设备和系统造成降级或毁伤，因此本文以宽带高功率微波源为例进行叙述。

1 国外高功率微波模拟源

美国及欧洲军事强国非常重视其武器装备在高功率微波电磁环境中的承受能力，1997年美国国防部在进行了一系列高功率微波试验，目的在于探索高功率微波在现场发射试验与鉴定中的应用，建立和验证高功率微波试验设施中所需的……