调控空穴传输层的分子取向提高有机发光二极管性能

崔东岳，王 帅，李淑红*, 刘云龙，王文军*

(1.聊城大学 物理科学与信息工程学院，山东 聊城 252059； 2.山东省光通信科学与技术重点实验室，山东 聊城 252059)

1 引 言

自邓青云博士在1987年报道了世界上首例有机发光二极管(OLED)以来，由于OLED器件具有低功耗、高亮度、宽光谱以及卓越的色彩显示和高效环保等特征，如今在显示和照明领域获得了广泛的应用[1-4]。外量子效率(EQE)ηEQE是表征OLED器件性能的一个非常重要的参数：ηEQE=ηIQE×ηout=γ×ηS/T×qeff×ηout[5-6]，ηEQE可以表示为内量子效率(IQE)ηIQE和光耦合效率ηout的乘积，ηIQE可以由载流子平衡因子γ、单重态-三重态因子ηS/T和有效量子产率qeff相乘得到。对于发光层中的磷光材料和热延迟荧光材料，它们可以充分利用三重态激子跃迁，使得ηS/T和qeff几乎达到100%。高EQE意味着低能量损耗。从节能的角度，有必要进一步提高OLED器件的EQE[5-7]。

由于发光层中具有水平取向跃迁偶极矩的发光分子有利于OLED器件的顶部发射，越来越多的研究者开始通过提高发光层中具有水平取向的分子跃迁偶极矩的分子比例来增加光耦合效率ηout，从而提高OLED器件的EQE[8-12]。研究人员开发了很多种方法用来提高具有水平取向的分子跃迁偶极矩的分子比例，包括研发新型结构的发光材料，改变发光层的制备条件，如真空沉积时的基板温度或选择不同的主体材料等等。在OLED器件中，载流子平衡因子γ对OLED器件的性能也起着决定性的作用，其中空穴传输层和电子传输层中的分子取向可以明显地改变其电学性质，从而影响OLED器件中的载流子平衡，但这方面的报道相对较少。……