异质诱导酞菁锌有机薄膜晶体管的蒸镀工艺

董金鹏，孙 强，李桂娟，苏和平，王 璐，朱阳阳，王丽娟*

(1.长春工业大学 化学工程学院，吉林 长春 130012; 2.海南科技职业大学，海南 海口 571126)

1 引 言

基于有机半导体材料的有机薄膜晶体管(OTFT)，相较于无机材料晶体管[1-3]的复杂制备方法，在有机材料可设计性、价格低廉、可大面积制备以及可应用于柔性器件等方面具有极大的优势，在物联网时代具有巨大的应用潜力，已经成为有机电子学等领域的研究热点。人们为获得性能优异的有机薄膜晶体管器件，在半导体材料[4]、器件结构设计[5]、界面修饰[6]和制备方法[7]等方面进行了大量研究。其中，获得高度有序的结晶性有机半导体薄膜仍是研究的重要方向。Zhou等[8]构建了p型的并五苯和n型的氟代酞菁铜异质结，优化并五苯厚度促进氟代酞菁铜结晶成膜，制备了性能优异的OTFT器件；Kim等[9]通过在石英管中注入氩气的方法干燥并五苯液滴，制备了结晶与取向良好的薄膜。Li等[10]通过异质诱导酞菁铜薄膜制备了优良的半导体薄膜，获得了较好的性能。

酞菁锌(ZnPc)作为目前有重要应用前景的酞菁系材料，广泛应用于太阳能电池[11]、有机薄膜晶体管[12]、有机发光二极管[13]和气体传感器[14]等领域。迄今为止，研究者通过溶液法[15]、逐层自组装[16]、喷墨打印[17]和热蒸发[18-19]等方法来获得有机半导体薄膜。其中热蒸发方法具有安全、可自由调节膜厚以及可大面积制备的优点，具有较大的应用前景。Pan等[20]通过弱外延生长法制备了以氟苯端基的四噻吩为诱导层的高性能酞菁氧钒薄膜晶体管，器件迁移率达到2.6 cm2·V-1·s-1；……