rTMS高频刺激精神分裂症前额叶背外侧疗效研究进展*

占 燕 张 红 李晨虎 占归来 刘登堂 骆艳丽

精神分裂症是一种严重的慢性脑部疾病，患病率约1%，是导致精神残疾的主要疾病[1]。阴性症状及认知缺陷症状均是精神分裂症的核心症状[2]，是精神分裂症功能预后的重要影响因素[3]，研究揭示精神分裂症的阴性症状及认知缺陷症状均与前额叶功能低下相关[4]，并且阴性症状与认知缺陷症状之间存在一定相关性[5]。当前药物治疗仍是精神分裂症的主要治疗手段，但抗精神病药物对阴性症状及认知缺陷症状的疗效欠佳(无效或轻度疗效)[6]。重复经颅磁刺激(repetitive Transcranial Magnetic Stimulation，rTMS)是一种新型物理治疗技术，具有非侵入性及无创伤性特点，可调节大脑皮层的兴奋性及功能网络，国内外研究支持rTMS高频刺激对精神分裂症的阴性症状及认知缺陷症状可能具有治疗作用[7,8]。左侧前额叶背外侧(Dorsolateral Prefrontal Cortex，DLPFC)是最常见的刺激部位，但研究结果差异较大(尤其认知缺陷症状)[9,10]，而左侧DLPFC与右侧DLPFC的功能存在差别，有学者尝试刺激双侧DLPFC以提高rTMS对精神分裂症阴性症状及认知缺陷症状的疗效[7,11]。本文主要分析比较rTMS刺激左侧或双侧DLPFC对精神分裂症阴性症状及认知缺陷症状的疗效。

1 DLPFC是精神分裂症阴性症状及认知缺陷症状的关键脑区

前额叶功能障碍被认为与精神分裂症的阴性症状相关。早期正电子发射计算机断层显像(Positron Emission Computed Tomography，PET)研究发现精神分裂症患者双侧DLPFC功能低下与阴性症状相关，而且阴性症状越重，患者的右侧DLPFC代谢低下更明显[12]。Dlabac-de Lange JJ等[13]结合rTMS及功能影像学研究双侧DLPFC高频刺激对精神分裂症阴性症状的疗效，结果发现rTMS治疗后右侧DLPFC脑功能增强，而左侧DLPFC的谷氨酸及谷氨酰胺(Glx)浓度升高[11]。……