高温竖向串扰发生机理的定量研究

刘 俊， 赵达裕， 陈 鹏， 郭会斌， 高玉杰

(武汉京东方光电科技有限公司，湖北 武汉 430000)

1 引 言

在TFT-LCD产品开发过程中，高温信赖性测试是产品品质评价的重要项目。TFT特性在该测试环境下容易劣化，进而会发生一些电学性不良。此类不良的发生因其时间上的进行性、顽固性，对产品的开发效率会造成严重影响。高温竖向串扰(Vertical-Cross Talk，V-CT)作为普遍发生和亟待解决的一种不良，影响其发生的因素主要有两方面[1]：(1)像素电极和自身或相邻数据线之间的寄生电容(Cpd)的影响。即当寄生电容较大时，像素电压信号就会受到数据线电压信号的影响而发生变化[2-3]；(2)TFT的关态漏电流(Ioff)的影响。即当漏电流过大时，像素电压信号会受到自身数据线电压信号的影响而发生变化。我们可通过采用在数据线周围设置屏蔽电极、Cpd对称补偿设计、Z反转驱动方式等优化面板设计的手段消除Cpd的影响[4-5]。但由于薄膜晶体管阵列采用的材料是氢化非晶硅(a-Si)。在高温条件下，a-Si中可参与导电的电子和空穴数量增多，关态漏电流Ioff会增大[6～8]，高温V-CT不良相对常温也更易发生。

不良的根本解决要求能够将漏电流与V-CT不良发生区域之间建立关联，后续才可以有针对性地调整TFT特性工艺条件。前人就漏电流对V-CT不良程度的影响做了一些较为浅显的研究。肖文俊[9]通过调节关断电压Vgl，确认相应的V-CT严重程度，得到最佳Vgl电压。同样，张乐[10]也据此原理设计了一种可自动调整串扰程度的显示装置。这些仅表明：Vgl电压影响漏电流大小，进而影响V-CT现象的严重程度。……