浅谈专利审查中的检索策略

杨欢欢

摘 要：检索是专利实质审查过程中的一个关键步骤，检索的结果直接影响后续审查的质量。本文通过结合专利审查工作中的实际案例来说明如何挖掘专利申请文件信息，准确提取关键词，构建检索式，获得有效的对比文件，从而实现高效检索的检索策略。

关键词：检索策略;高效检索

中图分类号：G306    文献标识码：A   文章编号：1003-5168（2021）21-0142-03

Talking about the Search Strategy in Patent Examination

YANG Huanhuan

（Patent Examination Cooperation Center of the Patent Office， CNIPA， Guangzhou Guangdong 510555）

Abstract： Searching is a key step in the process of patent substantive examination， and the result of search directly affects the quality of subsequent examination. This article combined with the actual cases in patent examination work to explain how to mine patent application document information， extract keywords accurately， construct search formulas， and obtain effective comparative documents， thereby realizing efficient search strategies.

Keywords： search strategy; efficient search

1 引言

检索是发明专利申请实质审查程序中的一个关键步骤[1]。对发明进行检索，其中一个主要目的是要找出评价发明的技术方案是否具备新颖性或创造性的对比文件，检索的结果直接影响后续审查的质量。常规检索主要是采用分类号和关键词的组合检索，而各种检索策略、检索技巧的运用有助于提高检索效率。本文通过专利审查工作中的几个案例来说明如何挖掘专利申请文件信息，准确提取关键词，构建检索式，获得有效的对比文件，以实现高效检索。

2 挖掘申请文件内容，实现高效检索

2.1 采用发明构思关键手段进行检索

案例1：一种稳压电路（如图1所示）

权利要求：1.一种稳压电路，其特征在于，包括：双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2、双极型晶体管Q3;PMOS晶体管M30、PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33;NMOS晶体管M40、NMOS晶体管M41;电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R41;运算放大器A1，缓冲器B1、缓冲器B2;电容Cc。

其中，PMOS晶体管M30、PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33的源极连接电源VDD端，PMOS晶体管M30的栅极分别连接PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33的栅极;PMOS晶体管M30的漏极分别连接双极型晶体管Q1的发射极和电阻R1的一端，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端和缓冲器B1的输入端，缓冲器B1的输出端连接双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2的基极;电阻R2的另一端和双极型晶体管Q1的集电极接地。……