大力发展第3代半导体产业助力实现“双碳”目标

以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料被称为“第3代半导体材料”，因具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可廣泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。

新冠疫情以来，智能手机和电脑市场快速升温；世界各国作出的“碳达峰，碳中和”承诺，让新能源汽车市场异常火爆；同时，各国都在如火如荼地加强5G通讯建设。上述领域对半导体需求量激增的同时，也为碳化硅、氮化镓等为代表的第3代半导体应用窗口的迅速扩张带来机遇。目前，我国6英寸碳化硅沉底材料已经开始实现规模化生产，天科合达、山东天岳、中电科2所、河北通光晶体等企业纷纷扩产或投资产线。据业内人士分析，随着科锐公司8英寸碳化硅衬底材料提前2～3年实现小批量产，倒逼国内企业不得不加紧技术攻关和产业布局。

由于第3代半导体出色的电能高效转换优势，可以更好地支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联网、光伏、风力发电、直流特高压输电和工业电源等领域，增强可靠性和适用性，降低成本和损耗。就第3代半导体而言，实现“双碳”目标的关键，在于实现其关键材料、核心芯片和模块的产业化布局及应用；其次是加速实现第3代半导体全产业链的自主可控发展；再次是通过政府的政策引导和规范社会资本有序进入第3代半导体产业，合理进行资本配置。

未来，走出一条符合中国实际应用需求的第3代半导体产业化之路，使其为我国确保实现“双碳”目标插上“天使之翼”，是中国每一位半导体人毋庸置疑的责任和义务。

10.19599/j.issn.1008-892x.2021.05.001