技术升级推动存储产业前行

张平

英特尔：数据大爆炸时代的存储

英特尔在本次CFMS上进行了主题演讲。英特尔给出的数据是，到2025年，全球数据量将会增长到175ZB，数据将成为宝贵的资源。为了存储和处理如此海量的数据，英特尔在很早之前就进入了Flash存储市场，商业化了17代Flash闪存，包括第一个64层TLC、第一个QLC等。在3DNAND方面，英特尔在2016年发布了第一代32层3DNAND产品，现在已经提升至144层，并且采用的是QLC存储，最大容量为32TB。

在未来的发展方面，英特尔认为，随着层数不断堆叠，NAND在容量方面的发展实际上是不断收敛的，其原因一方面是堆叠难度越来越高，很难不断翻倍，另一方面则是高的堆叠层数带来了工艺方面的挑战。因此更大的堆叠层数不是唯一提升NAND容量的方法，英特尔在尝试使用更多的维度来提升NAND的容量。英特尔未来将会引入PLC技术，也就是在一个存储位上存储5bit数据，相比之前的4bitQLC，PLC能够再度提升25%的数据密度。不过目前PLC还存在寿命和读写速度等方面的难题，英特尔宣称他们的QLC技术演进至PLC技术是更为容易实现的。

此外，英特尔还提到了自己的2个创新技术，一个是BBD（BlockByDeck，独立层），这个技术是指英特尔NAND中，堆叠的不同层（deck）都通过dummyWL隔开，并可以进行独立的擦除控制，保证其他层的数据完整性不变。另一个技术是EDSFF接口，这个技术使用在SSD上，包括E1.L接口和U.2接口，可以根据不同的应用市场进行选择。比如E1.L面向大容量和高密度存储，支持更好散热并为云存储优化。另外，英特尔也已经为PCIe4.0做好了准备，并提供了一套解决方案，从各方面支持存储容量和速度的提升。……