王佳军,陈息坤,顾隽楠,李睿莹,孙 泽
(上海大学 机电工程与自动化学院,上海 200444)
20世纪80年代中期出现了将绝缘栅型场效应管(MOSFET)和电力三极晶体管(BJT)通断机制相结合的新一代半导体电力开关器件——绝缘门极双极型晶体管(IGBT)。IGBT是一种复合器件,它的输入控制部分为MOSFET,输出级为BJT,因此具有高输入阻抗、电压控制、驱动功率小、开关速度快等优点[1],近年来不断应用于新能源发电以及变频整流等领域。
目前,国内外各大公司已有大量对于IGBT及其驱动电路的相关研究设计[2-9]。为实现IGBT正确的导通关断以及功率电路的安全稳定运行,驱动电路的正确设计必不可少。驱动电路输入输出的延时以及驱动电压和驱动功率等性能对于IGBT能否正常工作有着密切的影响,不仅要实现功率器件正常开通关断,同时也需要可靠的保护电路以便于在故障状态下可靠地关闭系统。
德州仪器推出的多款隔离型栅极驱动器,如UC21270_Q1、UCC21273_Q1等,可以帮助设计师开发出体积更小的逆变器以及充电装置;瑞士CONCEPT公司的SCALE系列驱动器较为广泛地应用在大功率场合,其采用独创的专用集成电路驱动芯片组;德国英飞凌公司2ED020I12系列等在不同应用场景有着极高的可靠性和安全性[2];安森美半导体的FOD3120是2.5 A输出电流门的驱动光电耦合器,采用飞兆半导体专有的共面封装技术,具有高抗干扰、高共模抑制的特点[11-12];青铜剑公司的驱动器采用高可靠、高集成度的IGBT驱动技术,能安全可靠地驱动IGBT。这些国内外公司制造的驱动模块往往依据本公司产品研发设计,成本价格方面各有不同。……