Sr2SiO4∶Eu2+,Dy3+的光存储特性

周 琼， 孟宪国,2， 许英朝,2*， 刘春辉， 吴盼盼， 王明明， 林翔宇

(1. 厦门理工学院 光电与通信工程学院， 福建 厦门 361024；2. 厦门理工学院 福建省光电技术与器件重点实验室， 福建 厦门 361024)

1 引 言

如今是“大数据”时代，信息保存面临着新的挑战。相比磁性数据存储器，光学存储具有高效率、大容量、低能耗、长寿命等优点，促使光学数据存储快速发展起来[1-2]。光激励发光材料也称电子俘获材料，是光存储技术之一，主要原理是通过在陷阱中捕获电荷载流子来存储X射线、紫外或可见光的辐射能量，然后在低能量光刺激下释放存储的能量，理论上可以用于数据的编码/解码[3-4]。具有光存储性能的光激励发光材料需要满足以下几个特点：(1)陷阱要足够深，防止信息丢失；(2)深陷阱应该具有狭窄的分布，以满足低能量的红外光刺激；(3)存储信号具有良好的持久性[5]。目前用于电子俘获光储存的材料主要有卤化物(如BaFX(X=Cl,Br)∶Eu2+)和硫化物(如AES∶Eu2+,Dy3+(AE=Ca，Sr))等[6-7]。但是，由于它们的物理/化学稳定性比较差，对环境造成污染，不能满足光学储存发展的需求，迫切需要开发新的光储存材料。

近年来，Sr2SiO4由于其特殊的结构特性和优异的物理化学稳定性，引起了科学界的极大兴趣。对于基质Sr2SiO4的研究，主要集中于单掺杂Eu2+在白光LED的应用[8-9]；对于稀土双掺杂Sr2SiO4的研究，主要停留在研究光学特性上(如热释光和余辉)[10-13]；对其光储存详细研究的报道较少[14-15]。开发以硅酸盐为基质的光存储材料可以有效避免目前光存储材料中硫元素的污染，解决材料稳定性差等问题。……