微光夜视器件划代方法初探

程宏昌，石 峰，李周奎，师宏立，拜晓锋，闫 磊，姚 泽，王淼鑫，李燕红

（1.微光夜视技术重点实验室，陕西 西安 710065；2.昆明物理研究所，云南 昆明 650223；3.北方夜视技术股份有限公司，云南 昆明 650223）

引言

自三代和超二代微光夜视器件出现以后，美国Litton 公司公开报道了四代微光夜视器件的概念，并指出它是以无防离子反馈膜、自动门控电源、小丝径微通道板为典型特征，该概念出现后引起了行业专家广泛热议，但是经过大家深入思考，四代微光夜视器件的概念没有被行业广泛引用，很快消失。近年来，随着低照度互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）器件、电子轰击有源像素传感器（electrons bombard active pixel sensor，EBAPS）数字微光器件、铝镓氮光阴极日盲紫外像增强器、铟镓砷光阴极短波红外响应像增强器等微光夜视器件的出现，微光夜视器件呈现出了品种多、性能差异大、应用领域广的特点。造成了非技术专业人员“眼花缭乱”。四代微光夜视器件是什么？微光夜视器件的发展趋势是什么？低照度CMOS 等上述这些微光器件到底和超二代、三代微光器件等有什么关系？它们在微光夜视器件技术领域到底处于什么位置？这些问题已经成为行业决策层、执行层以及拟投资入行的众多人员关注的焦点问题。本文通过回顾行业公认的零代、一代、二代、三代和超二代微光夜视器件的发展历程，总结归纳了划代方法，提出了“四代微光夜视器件”的概念，分析了低照度CMOS 等微光器件的技术特征，并归纳出了它们在微光夜视器件技术领域的位置，绘制了“树状图”，为更加直观、准确、全面了解各种微光夜视器件的技术特点提供了有力支撑。……