半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

张婷婷

（西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司，陕西 西安 710000）

半导体硅片退火工艺在硅片生产中起着重要作用。由于自然界中不存在单体硅，硅主要以氧化物或硅酸盐的形式存在，需要对其进行提纯和精炼，才能形成硅片。而在此过程中，硅需要进行退火处理，以消除硅片中供氧体的影响，同时也减少了内部缺陷。该工艺是制备半导体硅片的重要环节，而退火后的工艺检测是硅片生产的最后一步，是保证硅片质量的重要依据。

一、半导体材料概述

（一）半导体材料

半导体是一种在导电性上介于金属与绝缘体之间的材料。其中，由一类元素构成的半导体被称作元素半导体，比如Si 和Ge。硅是当前电路生产中使用最普遍的一种半导体材料，而且应用前景广阔。

（二）半导体材料的生长

1.区熔硅单晶。这是晶体生长的常用方法之一，无需坩埚，因此避免了污染的产生，能生成杂质含量低的单晶，也可用来提纯处理。2.直拉硅单晶。这种方法是将材料放入坩埚中，经过加热将其熔化，将籽晶加入其中，不断旋转，依靠其中的温度梯度生成单晶。该种方法的效率较高，且容易实现大直径化。3.MCZ 法硅单晶。这种方法也是直拉法的一种，它是在常规方法中添加一个强磁场，以有效抑制热对流，实现单晶的生长。该种方法可有效减少氧含量，提高电阻率均衡性。4.半导体的型号。在单晶生产过程中，根据掺杂元素的不同，可将其分为P 型与N 型。半导体的型号非常重要，是生产有关器件的关键依据，在很大程度上影响器件的性质，因此必须划分清楚。……