白瑞锋,肖景林
(内蒙古民族大学 数理学院,内蒙古 通辽 028043)
早期实验发现,量子阱在阱的生长方向(z轴方向)比x轴方向和y轴方向的受限势强得多[1-2],量子阱的生长方向(z轴方向)是强受限势.量子阱的生长方向(z轴方向)的强受限势问题在初期研究中没有涉及.近些年有些学者[2]对量子阱的生长方向(z轴)存在强受限势的量子阱的性质进行了研究.实验要求量子阱的生长方向(z轴方向)肯定存在强受限势,这一特性是在实验中最先发现的.近年来理论工作者研究量子阱生长方向的强受限势的性质,通过模拟计算和推导的理论方法寻找强受限势,理论工作者终于找到了2种量子阱生长方向的强受限势的形式,其一是非对称高斯强受限势,这一量子阱称为非对称高斯势量子阱[3-4],另一种是非对称半指数强受限势,这一量子阱称为非对称半指数量子阱[4-6].在垂直于量子阱的方向存在一种受限势比量子阱的生长方向的受限势弱得多,是实验中发现的,叫作各向异性抛物势,实验上早已发现是最接近晶体的真实势.笔者采用的理论模型是在量子阱的生长方向存在非对称高斯强受限势而在垂直于阱的生长方向存在各向异性的抛物一般受限势,研究这一量子阱的性质.最近笔者[7]研究了非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的基态能量,采用线性组合算符和幺正变换结合的方法,得到GaAs极化子的基态能量随受限势的2个正参数的……