李天龙
摘要:随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高,由于光致衰减(LID)造成的效率损失问题也日益突显。电池转换效率的提升依赖硅片的质量,而硅片的质量则主要是由其中的杂质和缺陷决定的,p型掺硼直拉单晶硅太阳电池在光照下会出现效率衰退现象,因此,提高晶体硅的品质并抑制光衰的措施和机制成为光伏领域研究的重要课题。
关键词:晶体硅太阳电池;光致衰减.
Abstract:With the continuous improvement of the conversion efficiency of the p-type crystalline silicon solar cell,the problem of efficiency loss due to photoreaction (LID) is also increasingly high.Battery conversion efficiency is increased depending on the mass of the silicon wafer,and the quality of the silicon wafer is mainly determined by the impurities and defects,and the p-type boron boron Dragonfly single crystal silicon solar cell will have an efficient recession under light,and therefore,Improve the quality of crystalline silicon and inhibit measures and mechanisms of light failure becomes an important topic of research in photovoltaic fields.
Keywords:Crystalline silicon solar cell;LID
1.引言
能源是人类社会赖以生存和发展的物质基础,随着化石能源的日益枯竭,发展清洁绿色能源引起国内外广泛关注。作为可再生能源的代表,太阳辐射能以其取之不尽、用之不竭、无污染等优势得到了科技界的高度关注与利用。其中,晶体硅太阳电池的科技进步已向人类展示了其技术成熟性和强大的生命力以及未来作为替代能源的可行性。
晶体硅太阳电池工艺技术的发展主导着光伏发电的趋势。从科学发展的导向分析,提高晶体硅太阳电池的光电转换效率、抑制光衰、降低发电成本,是晶体硅太阳电池未来发展的方向。单晶硅太阳电池是目前晶体硅太阳电池中转换效率最高的一类电池,在未来的光伏市场上占据着主导地位。单晶硅太阳电池分为两类:一类是N型高效异质结太阳电池(HIT),另一类则是全球普晶体硅太阳电池效率的光致衰减研究遍采用的p型单晶硅太阳电池工艺。
以硼掺杂的p型单晶硅已经被广泛应用于太阳电池在AM1.5的光线下照射12小时,其效率将呈指数下降(一般衰减达3~8%),然后达到一个饱和值;退火处理后,电池的性能又得到了完全的恢复,这就是现在常被提及的“光致衰减”现象[1]。……