氧气流量对NiCrOx 薄膜微观结构及性能影响

高航涛，陈伟健，孙可轩，赖莉飞

（宁波工程学院 材料与化学工程学院,浙江 宁波 315211;宁波工程学院 学报编辑部,浙江 宁波 315211）

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近年来，随着电脑、手机、数码相机、摄像机等电子产品的普及，人们对电子产品的性能、便携性和价格等方面的要求也越来越高。如果将电子产品中的电容、电阻、电感等无源元件由传统的表面贴装模式转为埋入式模式嵌入到电路板内部，不仅可大大缩小电路板面积、缩短布线距离，而且还可提高产品的电性能和节约成本[1]。作为三大无源器件之一的电阻，一般在典型的电子设备中所占的份额最大，如采用埋入式薄膜电阻（简称埋阻），嵌入到电路板内部与其他电子元件进行三维封装，对减小电路板面积和空间具有重要作用[2]。然而目前埋阻材料的发展也遇到了瓶颈：比如方阻值最大仅达上千欧姆[3]，这将不利于大电阻电路的电子设备小型化发展[3]。因此，开展高方阻值埋阻材料的研究显得尤为迫切。

课题组已有的研究成果表明：在NiCr合金中掺杂C、N非金属元素可提高薄膜的方阻值，得出在NiCr合金中掺杂非金属元素是提高埋阻方阻值的一条有效途径[4-6]。本研究依据该结论，依然以具有较好电性能的NiCr(80/20 wt%)合金为主体材料，选择非金属元素O作为掺杂元素，因O与Ni、Cr元素反应会生成一些半导体中间相，可能在提高薄膜方阻值方面有新的突破；另外，NiCrOx薄膜对光的吸收和透射也表现出一定特点[7]。考虑到埋阻在透明三维封装电路中会因吸光产热而影响电路寿命，本研究在探讨氧气流量对NiCrOx埋阻材料电性能影响的同时，还开展了氧气流量对埋阻材料透过率影响的研究。……