一种兼容LPDDR4 内存条和DDR4 内存条的方法

邱文清

（福建星网锐捷通讯股份有限公司，福建 福州 350000）

0 引言

目前笔记本的内存条主要采用DDR4 颗粒来生产，极少采用LPDDR4 颗粒来生产内存条，LPDDR4 颗粒由于功耗低、体积小，主要采用贴片的工艺应用于主板上。由于DDR4 颗粒和LPDDR4颗粒的物料价格是随市场行情波动的，经常存在相同容量的DDR4 颗粒和LPDDR4 颗粒的价格不同，因此产生了使用成本更低的颗粒来生成内存条的需求

但是，LPDDR4 内存条和DDR4 内存条的供电需求不同，LPDDR4 内存条的VDDQ 引脚需要1.1V 电压，VPP 引脚需要1.8V 电压，DDR4 内存条的VDDQ 引脚需要1.2V 电压，VPP 引脚需要2.5V 电压；传统的主板内存槽并不能自适应匹配两种内存条。因此，如何提供一种自适应匹配LPDDR4 内存条和DDR4 内存条的装置，实现自适应匹配LPDDR4 内存条和DDR4 内存条，成为一个亟待解决的问题。

1 设计总体思路

该设计要解决的技术问题，在于提供一种自适应匹配LPDDR4 内存条和DDR4 内存条的装置主板，实现自适应匹配LPDDR4 内存条（见图1）和DDR4 内存条（见图2）。

图1 LPDDR4 SODIMM 条

图2 DDR4 SODIMM 条

1.1 总体思路

主板装置内存槽由260pin 组成，其中第87pin 和第100pin来识别插入的内存条类型，LPDDR4 内存条的第87pin 和第100pin 设计置低，DDR4 内存条第87pin 和第100pin 设计为NC；当LPDDR4 内存条接入时，主板SODIMM01 的一侧第87pin 和第100pin 拉低，信号DDR_SEL0 及LPD4-DET0 置低，这两根信号主要来控制VDDQ 和VPP 电平的切换。①DDR_SEL0 信号置低，PMIC（U27）会把VDDQ 设置1.1V，满足LPDDR4 供电；②LPD4-DET0 置低，通过MOS 管外围供电切换电路，使VPP 的供电源头+VSWIN 会切换为+V1.8A，此时PMIC（U27）会输出VPP切换为1.8V，满足LPDDR4 时序要求。

当DDR4 内存条接入时，DDR_SEL0 及LPD4-DET0 此时为NC，PMIC 会把VDDQ 设置1.2V，满足DDR4 供电，同时外围供电切换电路，使VPP 的供电源头+VSWIN 会切换为+V3.3A，此时PIMC（U27）会输出VPP 切换为2.5V，满足DDR4 时序要求，从而实现不管接入的是哪一种类型内存条都可自适应。目前设计的逻辑只要有一个SODIMM 槽上插入LPDDR4 内存条，供电即会切换为LPDDR4 模式，设计为双槽应用（见图3）。

图3 新型外围供电电路的电路

1.2 具体实施方法

该设计有几部分组成：首先主板内存槽第87pin 和第100pin来判断接入内存条这两个pin 的状态是置低（见图4）还是空闲（见图5），置低说明接入时LPDDR4 条，空闲说明接入是DDR4条；其次外围电路控制VPP 的输出电压原理设计见图6、图7；满足供电和时序要求，具体实施方式：

图4 LPDDR4 内存条第87pin 和第100pin 设置置低

图5 DDR4 内存条第87pin 和第100pin 设置空闲

图6 新型电源管理电路的电路图（一）

内存条（DDR4 颗粒）金手指87pin 和100pin 设计NC，内存条（LPDDR4 颗粒）金手指87pin 和100pin 设计置低。

LPDDR4 内存条接入时，主板内存槽一侧87pin 及100pin 拉低，此时DDR_SEL0 及LPD4-DET0 两根信号置低，当DDR_SEL0 置低，PMIC（U27）会把VDDQ 设置为1.1V；当LPD4-DET0 置低，通过电路设计图7 Q21 Q25 不导通，Q17 导通，输出+VSWIN 为+V1.8A，故VPP 输出1.8V。

DDR4 内存条接入时，主板内存槽一侧87pin 及100pin NC，定义此时DDR_SEL0 及LPD4-DET0 两根信号置高，当DDR_SEL0 置高，PMIC（U27）会把VDDQ 设置为1.2V（见图7），当LPD4-DET0 置高，通过电路设计（见图7）Q21 Q25 导通，Q17不导通，输出+VSWIN 为+V3.3A，VPP 输出2.5V，最终实物（见图1）。

图7 新型电源管理电路的电路图（二）

1.3 技术点

主板端实现LPDDR4 SODIMM 内存及DDR4 SODIMM 内存兼容，首先技术上满足如下2 点。

（1）每个SODIMM 增加4 根SOC 引出的LPDDR4 内存控制信号，原为NC。

MEM_CH0_CKE1B（SOC BG54）CONNECT TO SODIMM0 PIN104

MEM_CH0_CKE0B（SOC BH54）CONNECT TO SODIMM0 PIN105

MEM_CH0_CS1A （SOC BL44）CONNECT TO SODIMM0 PIN162

MEM_CH0_CS0B （SOC BJ42） CONNECT TO SODIMM0 PIN165

MEM_CH1_CKE1B（SOC BL12） CONNECT TO SODIMM1 PIN104

MEM_CH1_CKE0B （SOC BJ13） CONNECT TO SODIMM1 PIN105

MEM_CH1_CS1A （SOC BG2） CONNECT TO SODIMM1 PIN162

MEM_CH1_CS0B （SOC BF1） CONNECT TO SODIMM1 PIN165

（2）LPDDR4 与DDR4 在供电电压（VDDQ）及时序电压（VPP）上不一样，需要解决主板上电源电压可以自适应切换。

2 改善

改善主要在BIOS 的SPD 设置上，LPDDR4 内存条不能做到像DDR4 内存条那样，SPD 信息自适配能力，LPDDR4 内存条在不同颗粒容量大小设置不同且单一设置，已验证使用的是单颗2GB，一根内存条贴2 片颗粒，总容量4GB，主要设置信息如下：

RankSize = 1024, DQBusWidth = 32, DeviceWidth = 2, Dram－Density[2] = 8 |

DIMM0 Memory Size: 2048, System Mem 2048 in MB

windy_debug_memory glk BxtSeries=3

RankSize = 1024, DQBusWidth = 32, DeviceWidth = 2, Dram－Density[2] = 8 |

DIMM1 Memory Size: 2048, System Mem 4096 in MB

不足为BIOS 部分，使用DDR4 内存条的主板如果要使用LPDDR4 不同容量的内存，BIOS 要重新配置烧录否则无法开机。

后续完善可以让BIOS 工程师做开发兼容，解决手动烧录问题。

3 结论

该设计可产出的效益：半导体内存颗粒是行情物料，根据市场行情调整价格，经常出现两种不同颗粒同容量存在差价，该设计可以应用及平衡在不同行情时期选择最低成本方案。如某企业一年用30 万条DDR4 内存条，两种不同颗粒组成价格相差3美元（约19.10 元人民币），一年原材料成本可节省90 万美元（约573.126 万元人民币），直接带来企业的成本效益，使产品更具有市场竞争力。