NiFe-YIG颗粒膜中铁磁共振线宽的角度依赖性*

韩 莹，郑博含，钟智勇

(电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054)

0 引 言

铁磁共振(FMR)线宽对基础理论研究和高频应用都有重要的意义。一般对于磁性薄膜来说，对FMR线宽的贡献包括本征效应和非本征效应，本征效应为吉尔伯特阻尼，它起源于自旋轨道弛豫和磁振子-声子的相互作用；非本征效应包括非均匀展宽、双磁子散射及镶嵌效应导致的线宽展宽，非均匀效应展宽是与频率无关的；双磁子散射效应指的是波矢为0的铁磁共振模式被激发为波矢不为0的自旋波模式，一般是由薄膜内部的短程缺陷激发；镶嵌效应则一般由长程缺陷激发[1-9]。

本文主要通过铁磁共振面外转角测试的方法来研究(Ni80Fe20)x(Y3Fe5O12)1-x颗粒薄膜的内部线宽展宽机制。通过改变外加磁场与薄膜平面的夹角，发现共振场和线宽均会发生改变，并对线宽进行分离，可进一步研究不同的YIG组分含量对颗粒薄膜线宽变化机制的影响。

1 实 验

实验中主要使用射频磁控溅射的方法来制备薄膜，采用BMS560B型高真空磁控溅射镀膜系统，采用Ni80Fe20合金靶材，并在靶材的溅射跑道上用银浆依次粘贴了1-6颗YIG贴片。由于YIG贴片的尺寸为10 mm，将所有YIG 贴片均只保留部分边缘与溅射跑道相接触，通过调整贴片位置和数量，调节薄膜内部NiFe、YIG的相对含量，成功制备出具有良好成分梯度的颗粒膜样品。实验在背底真空低于8.0×10-5Pa，Ar气溅射气压为0.5 Pa，射频功率为50 W条件下完成，在硅(100)衬底上沉积厚度为50 nm的薄膜。

本文主……