沈春蕾
中科院金属研究所沈阳材料科學国家研究中心与国内多家单位合作,通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式,将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装,首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果近日在线发表于《先进材料》。
科学导报2022年78期
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