晶体管
- 行业
1nm栅极长度晶体管近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。。这一成果3月10日以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在线发表在国际顶级学术期刊《自然》上。据介绍，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上，日本在2012年实现了等效3nm的平面无结型硅基晶体管，2016年美国实现了物理栅长为1nm的平面硫化钼晶体管，而清华大学目前实现等效的物理
智能建筑与智慧城市 2022年4期2022-12-30
- 垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管*
维材料的场效应晶体管在超大规模集成技术方面具有非常大的应用潜力,因此开发高性能的短沟道二维半导体场效应晶体管是构建超大规模集成的必经之路.对于二维材料,获得10 nm 以下沟道长度的二维半导体晶体管难度较大,目前很少有稳定制备亚10 nm 二维半导体晶体管的方法.本文使用石墨烯作为接触材料,氮化硼作为间隔,可以稳定制备垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管.基于此方法,制备了8 nm 氮化硼间隔的垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管.该器件展现出良好的开关特性,在不同的
物理学报 2022年21期2022-11-14
- OLED 亮度电路漏电流补偿技术分析
路通常包括开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器。有源矩阵有机发光二极管的像素特性受到驱动晶体管之间的差异和开关晶体管漏电流的不利因素的影响，因此，通过这样的多个像素显示的图像质量均匀性和一致性较差［2］。为此，国内外许多公司都先后提出了许多解决漏电流补偿的像素结构，本研究利用专利数据库对国内外提出的漏电流补偿技术进行了检索，并介绍了其中几种典型的漏电流补偿技术。1 传统的像素电路结构在这种传统的有源矩阵有机发光二极管显示装置中，理想状态下，当开关晶体管被截止
河南科技 2022年14期2022-08-03
- 大功率晶体管高温功率老炼方法探究
出了针对大功率晶体管，控制环境温度的功率老炼筛选方法，并介绍了如何进行老炼筛选应力的确定和控制， 通过理论分析和试验证明，这种方法是切实可行的，能达到老炼筛选的预期目标。关键词：大功率;晶体管;老炼筛选一、引言大功率晶体管是很多高精密设备和系统的关键器件，广泛应用于航空、航天、武器装备等高科技领域，有很高的可靠性要求。因此，在晶体管的设计、研制、生产、试验、筛选及验收等各个过程，均制定了严格的要求、详细的技术规范和试验方法，通过执行这些要求和方法保证电子器
科教创新与实践 2021年34期2021-11-14
- 薄膜晶体管的专利研究进展分析
心 张雄娥薄膜晶体管的专利研究已然成为全球研究热点，本文针对薄膜晶体管，开展关于薄膜晶体管的全球专利技术申请相关情况分析，主要涉及专利申请量布局、申请人统计分析以及专利申请的地区分布。随着显示器件的不断发展，薄膜晶体管(TFT)作为显示器元件的阵列基板开关元件起到阵列驱动的作用，并且在平板显示技术的应用中尤为突出，薄膜晶体管已然成为微电子技术特别是显示技术领域的核心技术之一，起到核心作用的薄膜晶体管的研究俨然已成为全球专利技术研究热点。为实现目前显示领域的
电子世界 2021年17期2021-11-05
- 让集成最大化
电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中只包括一个双极性晶体管、三个电阻和一个电容器。发展到2010年，一块计算机CPU芯片上的晶体管数目已经达到11.7亿个。摩尔定律是摩尔的经验之谈，并非自然科学定律，但在一定程度上揭示了信息技术进步的速度。什么是晶体管？晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调
少儿科学周刊·少年版 2021年24期2021-03-24
- 什么是晶体管？
晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三極管、场效应管、晶闸管等），具有检波、整流、放大开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流并关，写署通机城并关不筒，嚣体詈利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHZ以上。集成电器的分类我们常说的芯片，实际上就是封装好的集成电路。根据一个芯片上集成的微电子器件的数量我们可以把集成电路分为以下几类：
少儿科学周刊·儿童版 2021年24期2021-03-24
- 德国研发成功首个碳纳米管16位计算机
术学院碳纳米管晶体管开发取得重大进展:成功制造了一台完全由碳纳米管晶体管构成的16位计算机。研发过程中，技术学院开发了一种可行的纳米管晶体管技术，以提供p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，满足数字电子学中基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的逻辑电路的执行。该纳米管计算机采用CMOS技术，在16位数据上运行32位指令，晶体管通道长度约为1.5微米。此研究是基于每个晶体管通道中几个纳米管的平均性能，在未来大规模纳米管
上海节能 2020年1期2020-12-20
- 基于硅衬底的NPN型超高频低噪声晶体管的研制方法
型超高频低噪声晶体管的研制技术，旨在为研究人员提供相关经验参考。【关键词】NPN;超高频低噪声;晶体管;研制方法前言微波集成电路的发展在不断更新，主要以小型化、毫米波为主，在体积上要求器件尽可能小，这样利于使用频率的进一步提高。NPN型硅超高频低噪声晶体管是一种微波半导体器件，其特点是：超高频性好、功率高、噪声低，被广泛运用在超高频或直流信号放大，混频、变频或者低噪声放大的电路中，也可运用于星载天线接受信号的放大等，是各微波通信中的重要组成器件。因此相比通
装备维修技术 2020年15期2020-11-28
- 利用晶体管设计高频小信号放大器的方法
小信号放大器;晶体管;通信原理;无线通信引言：信号经过较长的距离传输会受到损失和干扰，接收设备接收到的是非常微弱的高频窄带小信号，在信号作进一步处理之前，应当经过信号放大和减弱干扰的处理，即为高频小信号放大器。其功能是对微弱的高频小信号进行不失真线性放大，从其信号频域来看，要求有相同输入信号频谱函数和放大输出信号的频谱函数。在因为高频小信号放大器容易产生自激振荡和容易受到外界干扰，阻抗匹配难以实现，所以该文利用晶体管设计高频小信号放大器并对其改进。一、高频
青年生活 2020年31期2020-10-14
- 基于Multisim的晶体管输入特性仿真研究
能两种方式仿真晶体管输入特性曲线。在晶体管输入特性曲线教学过程中通过仿真的使用，促进了学生对知识点的掌握和理解，提高了学习电子技术的兴趣。关键词：Multisim;电路仿真;晶体管;输入特性曲线1 引言Multisim是美国国家仪器（NI）有限公司推出的以Windows为基础的一个专门用于电子电路仿真与设计的EDA工具软件。该软件以图形界面为主，用可以根据自己的习惯和熟悉程度来使用[1].利用Multisim软件构建电路，不仅操作简单，而且能直观地观察电路
卷宗 2020年15期2020-08-06
- 电子设备静电防护与研究
子设备 静电 晶体管 防治措施各种类型电子计算机还有通讯设备中采取了不同的电子技术，采取众多的半导体、大规模集成电路等电子元器件，各个器件都拥有着自身与众不同的功能和特性。但是，这些元器件承受静电等过电压冲击的能力却千差万别，静电会导致电子设备中的部分元器件出现损坏的情况，整个计算机或者通讯设备会发生诸多的故障，甚至系统瘫痪，给人们的工作和生活带来了诸多的不便。就非常有必要研究电子设备所造成的一系列危害，避免经典对计算机等电子设备的损害有着积极的作用。一、
数码世界 2019年7期2019-09-16
- 电力系统继电保护不稳定原因及措施
保护;不稳定;晶体管 一、电力系统继电保护不稳定原因（一）软件在计算机技术飞速发展的背景下，对优化电力系统的技术创造了有利的条件。电力企业在发展过程中，为了优化继电保护装置，引入了网络程序技术。但是，对继电保护装置有关软件进行开发与应用时，因为属于初级阶段，在程序中，存在编码错误的问题，因而降低了继电保护系统运行的稳定性[1]。（二）硬件在继电保护装置中，涉及到较多的硬件设备，比如，断路器和通信设备等，当硬件存在问题，容易出现电力系统继电保护不稳定的问题，
中国电气工程学报 2019年7期2019-09-10
- 场效应晶体管短路失效的数值模型
硅材料的场效应晶体管更适合于高频、高温、高耐压等功率变换场合。在实际的应用中，功率场效应晶体管经常会遭遇短路事故，尤其是电机驱动系统，在保护电路能够介于之前，人们希望功率场效应晶体管能够具有一定的短路抵御能力。然而，由于碳化硅/氧化物界面陷阱密度比硅/氧化物高两个数量级，为了取得较高的阈值电压，碳化硅场效应晶体管的氧化层厚度往往设计得比硅场效应晶体管的薄，这使得在高电应力的条件下，碳化硅场效应晶体管的氧化层更容易失效[3]；同时，由于同样功率等级的情况下，
西安电子科技大学学报 2019年4期2019-08-20
- 一种全集成的麦克风可编程增益放大器设计
增益放大器; 晶体管; 数字信号处理中图分类号： TN433?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2019）13?0173?04Design of a fully?integrated programmable gain amplifier for microphoneRUAN Jianjian1， 2， WEI Cong1， CHEN C
现代电子技术 2019年13期2019-07-08
- 高速晶体管研制成功
射结的垂直结构晶体管“硅- 石墨烯- 锗晶体管”。目前已报道的石墨烯基区晶体管普遍采用隧穿发射结，然而隧穿发射结的势垒高度严重限制了晶体管作为高速电子器件的发展前景。研究团队通过半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的“硅- 石墨烯- 锗晶体管”。研究人员表示，与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出目前最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，器件的截止频率由约1.0MHz提升至1.2GHz。
发明与创新 2019年41期2019-04-14
- 高速晶体管研制成功
射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”。目前已报道的石墨烯基区晶体管普遍采用隧穿发射结，然而隧穿发射结的势垒高度严重限制了晶体管作为高速电子器件的发展前景。研究团队通过半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的“硅-石墨烯-锗晶体管”。研究人员表示，与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出目前最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，器件的截止频率由约1.0MHz提升至1.2GHz。科研人员
发明与创新·大科技 2019年11期2019-03-07
- 绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法
即绝缘栅双极型晶体管业已得到广泛的应用，高压大电流是其未来的发展方向，近年来已经应用在高压直流输电领域。随着功率容量的不断提升，对器件的设计制造提出了更高的要求。为了缩短设计周期，提高成品率，降低制造成本，应采用计算机进行仿真，可极大地提高工作效率。论文结合流片的情况应用ISE软件进行了仿真研究，结果表明，采用软件仿真的方法能够有效地指导器件的生产制造。【Abstract】IGBT， i.e. insulated gate bipolar transist
中小企业管理与科技·中旬刊 2019年10期2019-01-30
- 你手机里有几十亿个……？
上面有什么呢？晶体管！所以这几十亿个一定是晶体管了！在兩位十分符合“逻辑”的推理下，正确的答案悄然浮出水面。藏在手机的芯片中、数量有着几十亿个的小玩意儿就是——晶体管。晶体管可以做到非常小，省材料又省电。如果没有晶体管，手机会比你住的屋子还要大。现在，小小的芯片上可以承载几十亿个晶体管，电脑、手机都变得轻盈方便。晶体管是一种固体的半导体电子元件，它最基本的作用是放大功能。把什么放大了呢？就是电信号！手机打电话、听音乐发出的声音，是由变化的电信号通过喇叭时产
科普童话·百科探秘 2018年11期2018-10-25
- 晶体管功率老炼后关键电参数漂移机理分析
廖承龙摘 要：晶体管经过功率老炼后，有些电参数会出现漂移，有些较大的漂移会严重影响晶体管的性能。本文主要介绍晶体管功率老炼的原理，发生电参数漂移的主要原因以及一些解决措施，旨在提高我们对晶体管生产过程的认知和改进工艺水平，提高产品可靠性。关键词：晶体管 老炼筛选 关键参数 漂移一、引言随着电子、微电子器件在航空、航天等高科技领域的广泛应用，对微电子技术提出了更高的可靠性要求。晶体管有效工作寿命就是它的可靠性，即它能够正常完成某一特定电气功能的时间。晶体管失
科学与财富 2018年27期2018-10-19
- 从“晶体管”到“云轨”：数字化转型路上的“西湖电子”
文 杨武提到“西湖电子”，老底子杭州人肯定感到特别亲切，很多人家里的第一台黑白电视机和彩色电视机都是“西湖牌”的。而现在的西湖电子集团以另一种形式出现在人们的日常生活中，在马路上我们看到越来越多的新能源电动公交车和出租车，其中90%以上都来自西湖电子，绿色出行成为一种生活方式，受到市民和外地游客的高度认可。从传统家电行业成功转型到新能源行业，西湖电子集团的华丽转身让人们看到了杭州老国企改革创新的身姿。从电视机，到新能源、智能轨道交通，作为一家制造企业在30
杭州 2018年23期2018-07-12
- 抑制波纹晶体管开关稳压电源电路设计
一种抑制波纹的晶体管开关稳压电源电路。通過实验测试，得出文中提出的晶体管开关稳压电源能够较好地抑制电源中的干扰。Abstract： This paper analyzes the reasons of ripple produced in switching power supply and ripple suppression methods commonly used. A transistor switching power supply circu
价值工程 2017年35期2018-02-08
- 基于自激振荡的三相交流电源的设计研究
荡；移相电路；晶体管；放大倍数Key words： self-excited oscillation；phase shifting circuit；transistor；magnification中图分类号：TM4 文献标识码：A 文章编号：1006-4311（2018）05-0137-021 概述在当前信息化、自动化的时代，各种自动化控制系统层出不穷，充斥在我们的生产生活的各个领域，我国在自动化信息化方面也走在世界的前列。在电子产品和自动化控制系统的测量
价值工程 2018年5期2018-01-24
- C波段固态功率放大器的分析与研究
；功率放大器；晶体管1 C波段固态功率放大器简介C波段是一个频率介乎于4.0～8.0 GHz的频带，是通信卫星下行传输信号的频段。由于在阴雨天气中，C波段不会出现雨衰现象，故此，其在卫星电视广播中得到了广泛应用。固态功率放大器的工作原理如下：其是由调制机或收信机传送过来的中频已调信号，经过发信机中频放大器后，送至发信混频器，再经过发混频，将中频已调信号转变为微波已调信号，由单向器去除混频后的一个边带，既可以是上边带，也可以是下边带，最后由功率放大器将微波已
无线互联科技 2017年24期2018-01-22
- 晶体管收音机装、调实践教学研究
王烁摘 要：晶体管收音机的安装和调试是高校以培养学生综合能力为目的在电子工程类专业一年级学生开展的传统工程实践课程。本文以CDIO工程教育理念出发，结合传统教学经验，用最简单的收音机为切入点，进行系统原理、分析元器件分析、仿真验证、组装和调试，逐步引导学生完成整个晶体管收音机的装、调实践项目，让零基础学生的也能建立学习兴趣，让学生的理论和实践等到更紧密的结合。关键词：晶体管 收音机 CDIO工程教育晶体管的发明是人类历史上的重大事件，它作为当今社会信息化
新教育时代·教师版 2017年18期2017-06-27
- 几种常见电子放大器件原理的一致性
义。【关键词】晶体管 电子管 场效应管 共同点1 前言提起电子放大器件，诸如电子管、晶体三极管、场效应管等都是我们常用的电子器件，我们并不陌生。如果要指出它们有哪些不同点我们能说出很多，但要指出它们三者最大的共同点，我们就有些茫然了，其实它们最大的共同点就是它们的放大原理具有极其相似的一致性。下面就对每种器件仅举一例予以说明，余可类推。2 几种电子放大器件的原理如图1所示的是我们大家比较熟悉的NPN型晶体管共射放大电路，它由发射结和集电结两个PN结组成。为
电子技术与软件工程 2017年11期2017-06-10
- “Transistor Density Increase by 1000X”鳍式晶体管密度增加技术
胡正明：“现在晶体管的三极已经可以缩小到1纳米的宽度，未来半导体晶体管的密度还将再增加1000倍。这也就意味着互联网将来的速度和普及度也还有千百倍成长的空间。”半导体技术是互联网的一个重要支柱和驱动力。但在2010年以后，半导体的微型化遇到了一个很大的危机。在晶体管不能再继续微型化的情况下，摩尔定律就要停止。在这种情势下，加州大学伯克利团队创新发明了“鳍式晶体管”——一种垂直的薄膜，它可以让摩尔定律继续下去，让半导体的微型化大幅度再成长。在过去的12个月，
信息化建设 2016年12期2017-05-02
- 2.4GHz低噪声放大器的设计
11 NPN型晶体管和ATF54143 PHEMT晶体管设计了一款低噪声放大器（LNA）。在AT-41511 NPN型晶体管LNA仿真优化后，稳定系数大于1，噪声系数为2.011，增益大于10 dB，S12 <-15，S11，S22<-10，故电路具有良好的传输性能，采用ATF54143的PHEMT晶体管LNA仿真所得的噪声系数为0.738。关键词：晶体管 低噪声放大器 传输性能 噪声系数中图分类号：TN722.1 文献标识码：A 文章编号：1007-94
数字技术与应用 2016年12期2017-04-15
- 电子设备中晶体管类元件的常见故障及测量方法
苗电子设备中晶体管类元件的常见故障及测量方法国家新闻出版广电总局594台 牛春苗【摘要】本文详细介绍了电子设备中主要的几种晶体管器件常见故障的判别和测量方法。【关键词】晶体管；PN结；正向电阻；反向电阻1 引言晶体管类器件主要包括晶体二极管、晶体三极管、可控硅及场效应管等。常见的故障如下。⑴击穿。无论晶体二极管、三极管、还是可控硅等，在元件内部都存在PN结，正常情况下PN结具有单向导电性，当击穿后将使PN结的正反向电阻一样或接近，判断击穿与否可以用三用表
电子世界 2016年10期2016-07-01
- 电视机中几种自举电路的功能综述
；升压；电容；晶体管一、黑白电视机行扫描输出电路中的自举升压电路电路：黑白机行输出电路图功能：在采用低压供电且偏转功率指数保持不变的前提下，将行输出管集电极供电提高一倍，行偏转线圈上的电流峰值就可降低一半，使扫描线性得到大大改善。自举升压电路组成元件：行输出变压器、行输出开关管、3BG13 、 3BG15 、3C34、电路分析：1.行输出管3BG13工作在开关状态，当行输出管导通时，电源11.5V经3Q4、 3BG15、高压包初级线圈⑥至⑦段到达行输出管3
世纪之星·交流版 2016年6期2016-06-27
- 日本开发踩不烂洗不坏响当当的橡胶晶体管
样柔软、结实的晶体管。其特点是，利用橡胶和凝胶等制作了晶体管的大部分构成要素，这些构成要素均具备伸缩性。这样便实现了出色的拉伸性及弯曲伸展性，即使用高跟鞋踩或洗涤，也不会损坏。凭借这一点，有望将其用于贴在人体或衣服上使用的各种大面积传感器。该晶体管在约1mm或更薄的硅胶中制作了栅极、源极、漏极、栅绝缘膜及沟道。单晶体管的尺寸约为1mm见方，沟道长度约为50μm，沟道宽度约为700μm。据介绍，即使施加约25 kgf/cm2（约245N/cm2），也就是高跟
世界热带农业信息 2015年9期2015-05-30
- 碳纳米管晶体管制造技术获得重大突破
碳纳米管晶体管制造技术获得重大突破美国威斯康星大学麦迪逊分校在碳纳米管晶体管制造技术方面获得突破。其开发的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题，开关速度比普通硅晶体管快1000倍，比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍，使碳纳米管晶体管向商业应用迈出了关键一步。目前，碳纳米管被认为是制造下一代晶体管的理想材料，但高性能的碳纳米管晶体管制造面临着两大技术难题：一是要达到极高的纯度；二是要以极高的精度进行阵列控制。研究人员采用聚合体筛选技术找
军民两用技术与产品 2015年3期2015-01-08
- 垂直结构Zno薄膜晶体管制备与工作特性
明氧化物基薄膜晶体管（TFTs），如znO-TFTs和非晶In-Ga-zn-O等，由于它们具有透明、高性能以及可以在低温条件下制作在柔性衬底上等优势正成为下一代薄膜晶体管研究的热点。endprint目前，透明氧化物基薄膜晶体管（TFTs），如znO-TFTs和非晶In-Ga-zn-O等，由于它们具有透明、高性能以及可以在低温条件下制作在柔性衬底上等优势正成为下一代薄膜晶体管研究的热点。endprint目前，透明氧化物基薄膜晶体管（TFTs），如znO-TF
哈尔滨理工大学学报 2014年3期2015-01-04
- 硅烯首次被成功制成晶体管
首次被成功制成晶体管意大利和美国的研究人员合作，在世界上首次基于硅烯材料制成了新型晶体管。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的二维材料，具有优异的导电性能，在未来的电子产品中应用潜力巨大，但其非常难以制备，单层硅烯材料的制备则更加困难。意大利和美国的研究人员通过研究，不仅制备出了该材料，还开发出了用其制造微晶体管的技术。研究人员首先在镀有氧化铝的银条上制造出硅烯层，然后，硅烯层从培养基上剥落，将银排斥到二氧化硅晶片的另一面，银随后成为允许硅烯单层被用作晶体管
军民两用技术与产品 2015年3期2015-01-03
- 薄膜晶体管(TFT)介绍薄膜晶体管物理与技术
薄膜晶体管（TFT）是场效应晶体管的一种。人类对薄膜晶体管的研究工作已经有很长的历史。1962年Weimer用多晶 CaS 薄膜做成了薄膜晶体管。薄膜晶体管通常是在基板上沉积各种不同的薄膜制作而成，这些薄膜包括半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器工作性能的提升具有十分重要的作用。近年来，由于低费用、大阵列显示的需求薄膜晶体管的研究广为兴起。本书概览了大量电子工业领域人员感兴趣的主流薄膜晶体管的原理、应用和技术，并基于制备材料对不同种类的薄膜
国外科技新书评介 2014年6期2014-12-17
- 微型监听器电路的设计
用。【关键词】晶体管;振荡频率;电压;电流Abstract：A miniature monitoring circuit with a few simple components，output power to be able to launch 5-8mW，can achieve the transmission range of 300 meters，and the resolution and high sensitivity，small volum
电子世界 2014年23期2014-10-21
- 认识晶体管
陈江萍摘要：晶体管是电器中常用的电学元件，尽管中学物理中没有过多的介绍，但了解一些晶体管最基本的知识，对你学习物理和做一些小设计有帮助.关键词：晶体管；二极管；三极管晶体管是由半导体材料制作而成.使用的半导体材料有两种，一种是锗半导体，一种是硅半导体，现在都是以后者居多.晶体管可分为晶体二极管和晶体三极管.晶体二极管有PN结，主要特点就是单向导电性.二极管种类可分为一般二极管，稳压二极管，变容二极管等，使用时可根据电路要求，选用不同种类的二极管.晶体三极管
数理化学习·教育理论版 2013年12期2014-10-08
- 用三角波控制开关电源开关晶体管工作方法的研究
制开关电源开关晶体管工作方法的研究徐敏，程立松（上饶职业技术学院，江西上饶 334109）采用三角波控制开关电源开关晶体管，克服了PWM控制方法存在的控制脉冲死区设定和调节的困难，解决了推挽式变换器、半桥式变换器及全桥式变换器存在开关晶体管共态导通的问题，既提高了开关电源的可靠性，又便于调试。开关电源；开关晶体管；三角波；控制方法1 引言随着开关电源的使用率不断提高，对于中、大功率的开关电源的可靠性要求越来越高，由于开关电源开关晶体管是工作在高压开关状态，
九江职业技术学院学报 2014年1期2014-06-09
- 日立EuB-5500彩超故障维修及分析
关键词]彩超；晶体管；探头；医疗设备维修我院3台EUB-5500彩超，除应用软件版本有差别外，其他硬件及选配件都一致。为了在故障出现后，根据故障现象判断故障点，在较短的时间内修复故障，同时寻找彩超发生故障的规律，采取行之有效的维护保养措施，保证设备的正常运行，工作人员不仅要熟悉彩超设备的基本操作方法，也要在每次故障修复后及时总结维修经验。本文针对几个设备故障实例进行总结分析。1 故障一1.1故障现象开机后，无法进入正常系统界面。桌面提示“Now Setti
中国医疗设备 2014年4期2014-01-30
- 晶体管中频变频器性能改进
中频变频器是以晶体管为主要元件的静止式变频器，是为中频电动机设计的专用变频器，本文通过分析中频变频器不同的导通制、输入输出电压波形，结合试验数据，提出了相关具体改进措施，以改进优化中频变频器性能。【关键词】晶体管；变频器；电压；波形；改进晶体管中频变频器是轴承行业中的主要设备，是专用轴承自动磨床中使用的高速电动磨头驱动电源，不同程度地取代了传统的中频发电机组做为特殊供电设备。与其他变频器不同，它不要求频繁起、制动，为充分发挥其电源效率，使其达到最佳工作效果
科技致富向导 2013年23期2014-01-09
- 我国科学家实现微电子领域的重大原始创新
队研发的半浮栅晶体管（SFGT）。多年来，我国的集成电路制造工艺长期处于全球产业链的末端。作为微电子领域的重大原始创新，SFGT的技术突破将有助于我国掌握集成电路的关键技术，在芯片设计与制造上获得更大的核心竞争力。在过去的几十年里，晶体管小型化验证突破有两个难题：令人咋舌的制造成本和耗电量。由复旦大学微电子学院副院长张卫领衔的团队另辟蹊径：研发新型晶体管。经过4年的不懈探索，张卫课题组终于在全球范围内率先研发出半浮栅晶体管，实现了世界级的科研突破。与传统的
电子产品可靠性与环境试验 2013年5期2013-03-23
- 美国开发出迄今最小砷化铟镓晶体管
最小的砷化铟镓晶体管，其长度仅为22纳米。随着硅晶体管降至纳米尺度，器件产生的电流量也不断减小，从而限制了其运行速度，这将导致摩尔定律逐渐走到尽头。为了延续摩尔定律，科学家们一直在寻找硅的替代品，以能在较小尺度上产生较大电流，其中之一便是砷化铟镓。麻省理工学院微系统技术实验室的科学家研究发现，使用砷化铟镓创建一个纳米尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体管（M O S FET）是可能的，并且成功开发出了这种设备。研究人员表示，他们下一步的研究目标是通过消除器件内
河南科技 2012年21期2012-08-15
- 量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管
能效更高的隧穿晶体管据报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管 （TFET）。最新技术有望解决目前芯片上的晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多的晶体管，从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件，在过去的40年间，科学家们主要通过将更多的晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力，但目前这条道路似乎已快走到尽头。业界认为，半导体工业正在快速地接
电子产品可靠性与环境试验 2012年3期2012-03-29
- 世界首款高能低耗3-D晶体管进入生产技术阶段
特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。英特尔将推出被称为三栅极 (Tri-Gate)的革命性3-D晶体管设计，并将批量投产研发代号为Ivy Bridge的22 nm英特尔芯片。50多年来，2-D晶体管不仅一直在计算机、手机、消费电子产品中得到了广泛的应用，还用于汽车、航空、家用电器、医疗设备以及数千种日用设备的电子控制中。这款3-D三栅极晶体管代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。这一革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3-D三栅极晶体
电子产品可靠性与环境试验 2012年4期2012-03-29
- 噪声的随机共振
，它是将若干个晶体管组合起来，把两个输入电压变换为一个具有特殊逻辑功能的输出端，例如，在输入时，在“0”与“1”中，至少有一个是“0”时将输出“1”的“与非”门，逻辑门中使用的晶体管，其大小一般在90nm左右，但现在制造商们正企图生产出只有65nm，45nm甚至22.5nm大小的晶体管，对于这样大小的晶体管，由于线路中的串话式干扰、热涨落和量子不确定性等因素，电压不再能保持稳定，从而使逻辑门会在输出时出现失误，所以工程师们不得不考虑作更复杂的设计来解决这个
物理 2009年9期2009-10-29
- 硅薄膜晶体管液晶显示器的发展
示技术中，薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色受到人们的广泛青睐，薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上取决于薄膜晶体管性能，薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种，非晶硅用于制作薄膜晶体管液晶显示器技术的成熟，使非晶体薄膜晶体管液晶显示器在薄膜晶体管液晶显示器的市场中占据了主导地位，而非晶硅薄膜晶体管由于其低迁移率、电导率等性能，严重制约了薄膜晶体管液晶显示器的发展，寻找合适的替代品，追求高迁移率和高电
物理 2009年3期2009-05-21