太阳能单晶硅位错的返切办法

2014-10-21 20:06方丽霞张学强
中国机械 2014年24期
关键词:单晶尾部平均值

方丽霞 张学强

摘要:根据太阳能单晶硅位错密度<3000个/cm2的取样方法及位错迁移理论,经过实验分析,建立了一套太阳能单晶硅的位错返切方法。

关键词:位错密度;位错返切

前言

太阳能单晶硅是光伏发电的主要材料,其位错密度是影响光伏发电效率的重要因素,本文对其位错密度的返切方法进行研究。

1.实验部分

1.1实验依据

1.1.1太阳能单晶硅位错密度<3000个/cm2计数标准选用九点计数法,选点位置:以硅方片为准选点:四棱线边缘9.8mm处选四点,对边中点处距边缘8.3mm处选四点,连接八点所形成的区域内缺陷最密集处选一点。

1.1.2位错迁移理论:单晶硅棒拉制后,由于热应力作用,尾部会产生大量位错,沿着单晶向上延伸,延伸的长度约等于单晶尾部的直径。

2.实验

根据位错迁移理论分别将太阳能单晶硅掉苞棒返切130mm、120mm、110mm,以其位错密度<3000个/cm2计数标准选用九点计数法。

将单晶掉苞棒返切130mm统计数据见表一:

将单晶掉苞棒返切120mm统计数据见表二:

将单晶掉苞棒返切110mm,统计数据见表三:

3.数据分析

3.1数据分析

返切130mm数据:平均值ρ1为0.46×103个/cm2,分布在区间(0.16,0.76)的置信度为95%。

返切120mm数据:平均值ρ2为0.97×103个/cm2,分布在区间(0.48,1.47)的置信度为95%。

返切110mm数据:平均值ρ3为2.03×103个/cm2,分布在区间(1.63,2.43)的置信度为95%。

3.2位错密度分布规律

通过1中数据可以看出:ρ2 =2ρ1,ρ3=2ρ2,

ρ1、ρ2、ρ3,成公比q为2的等比数列。

由此可得:ρn= ρ1,而ρ1=0.5×103个/cm2,n= 。

L:掉苞单晶位错样块距尾部距离。

对于单晶掉苞棒,从返切130mm(位错密度为0.5×103个/cm2)开始,每向尾部返切10mm取位錯样块,其位错密度为前一位错密度的两倍。 (规律一)

3.3规律的应用

将单晶掉苞棒返切105mm,平均值ρ为3.46×103个/cm2,分布在区间(1.98,4.94)的置信度为95%。进一步论证了规律一的准确性。

4.结语

太阳能单晶硅位错的返切办法:对于太阳能单晶掉苞棒,从返切130mm(位错密度为0.5×103个/cm2)开始,每向尾部返切10mm取位错样块,其位错密度为前一位错密度的两倍。 利用此规律可以满足太阳能单晶硅棒位错密度<3000个/cm2要求的返切长度。

参考文献:

[1][英]B.Henderson著,范印哲译.晶体缺陷.1983

[2]硅单晶制备工艺.河北工学院编.1975

[3]科垂耳著,葛庭燧译.晶体中的位错和范性流变 A.H.1962.

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