单晶
- 硅单晶测试参数的差异分析
寸不断缩小，对硅单晶质量提出了越来越高的要求[1]。单晶的各项参数的优劣，对后续芯片的性能有着很大的影响，尤其是单晶体缺陷的存在会造成器件漏电、击穿等现象的发生[2-4]。因此，综合考虑单晶的品质，分析各单晶参数之间的关联性变得越来越重要。然而，各种单晶参数仅被独立地看待，并没有对单晶各项参数的关联性进行系统分析。本文分别对N＜111＞轻掺P单晶和N＜111＞重掺As单晶的寿命、不均匀性、旋涡等参数进行了差异分析，并对相关性产生的原因以及对单晶拉制和测试的
电子工业专用设备 2022年5期2022-12-30
- VGF法生长InP单晶循环水的影响分析
1-2]。磷化铟单晶，按电学性质分为：掺S-N型、掺Zn-P型和掺Fe-半绝缘型。N型磷化铟单晶主要应用于光纤通信领域中的高速光电器件，如激光二极管、发光二极管、光探测器等[3]；P型磷化铟主要应用于空间高效抗辐射太阳能电池[4]；半绝缘型磷化铟单晶电阻率在 1×107～1×108Ω·cm，多用于微波、毫米波电子器件及光电集成电路等[5]。Mullin[6]于1965年用高压液封直拉法(LEC法)首次生长出磷化铟单晶，此后，LEC法也持续被应用在磷化铟单晶
云南化工 2022年10期2022-11-05
- 激光加热基座技术生长超细单晶光纤研究
00)0 引 言单晶光纤，顾名思义是具有纤维结构的功能晶体材料，其结合了体块晶体的本征特性以及玻璃光纤的结构特点，具有优异的物理和化学性能以及大的比表面积，被认为是下一代光纤器件的潜在载体。自1914年da Costa Andrade首次报道熔体法制备金属纤维以来，单晶光纤已经有了超过一个世纪的发展历程。近年来随着激光加热基座法(laser heated pedestal growth, LHPG)、微下拉法(μ-PD)、导模法(edge-defined
人工晶体学报 2022年3期2022-04-14
- 在磁场中加热对单晶铝力学性能和位错密度的影响
得非常复杂。由于单晶具有较简单的微观组织且无晶界，能更准确地表征晶体内的位错分布和变化。因此本文选用单晶铝作为研究对象，以便更直观地揭示由磁场引起的位错变化与力学性能改善之间的关系。将单晶铝在交变磁场中加热，检测加热前后单晶铝的拉伸性能和硬度；在静磁场中测定单晶铝的硬度并计算位错密度；探讨磁场影响单晶铝力学性能的机制。1 试验材料与方法采用改良的Bridgman方法［18］制备［001］取向的单晶铝，其原料为纯度99.99%（质量分数）的高纯铝。交变磁场加
上海金属 2022年1期2022-01-25
- 低温辐射量热器用钼酸锂单晶研制
步研制应用钼酸盐单晶的低温辐射量热器。基于钼酸盐闪烁单晶的前期实验研究，钼酸锂单晶(Li2MoO4, LMO)被选用作低温辐射量热器的关键实验材料，而且要求其中含有高丰度Mo100同位素。另外，为满足压低单晶元件的放射性本底的性能要求，所研制LMO单晶应尽可能去除多种金属元素杂质，特别是较强放射性的232Th和238U等锕系元素杂质。为了提供建造低温辐射量热器所需LMO单晶，本团队首先应用垂直区熔方法先行制备高纯晶块料，再通过提拉法成功生长出无色透明大尺寸
人工晶体学报 2021年10期2021-11-26
- 高性能PMN-PT系铁电单晶在医疗超声中的产业化进展
1和0.7。铁电单晶材料，拥有较好的压电性能和较高的介电常数，d33＞1 500 pC·N-1，k33约为0.9，可以显著提高医学超声成像系统的图像质量[1]，适合换能器的高性能化和超声系统小型化的发展需求[2]。近年来，国内外研究团队在铁电单晶的理论研究、晶体生长上取得了突破性成就，给超声换能器带来了新的发展机遇。在本文中，概述了近年来一些团队在铁电单晶上的研究进展，总结了国内研究机构和超声企业在铁电单晶换能器产业化上的现状和前景。1 铁电单晶的新突破铁
声学技术 2021年5期2021-11-08
- 弛豫铁电单晶的多功能特性及其器件应用
多年来，弛豫铁电单晶受到学界和产业界的广泛重视，这是由于弛豫铁电单晶超高压电性能大幅超过了传统占主导地位的锆钛酸铅Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)压电陶瓷，并且Philips公司于2004年成功制备出了基于Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT或PMNT)单晶的、具有超高成像质量的医用超声换能器产品，推动了国际上利用弛豫铁电单晶来发展新一代压电器件的应用热潮；另一方面，不同于传统学术界对钙钛矿型铁电材料的相关认识，弛豫铁电单晶
人工晶体学报 2021年5期2021-06-16
- 同质外延生长ZnO单晶结构及光电性能的研究
，对高质量ZnO单晶，特别是低缺陷和低载流子浓度的ZnO单晶的需求，是人们一直追求的目标。目前，制备ZnO单晶的方法主要有水热法、助熔剂法、加压熔融法、化学气相输运法(CVT)等[4-7]。这些方法要获得高质量的ZnO单晶依旧很困难。在这些方法中，水热法是最为成熟的一种方法，但是，该方法生长过程中容易引入较多的杂质离子(K+、Li+)，同时使用设备较昂贵、污染性大[8]。气相输运法生长环境要求较高，但其设备成本比较低、杂质含量低，有利于提高单晶的纯度与质量
人工晶体学报 2021年4期2021-05-20
- 激光加热基座光纤炉研制及单晶光纤生长研究
形态的优势和体块单晶的优异物化性能结合起来的单晶光纤是解决固体激光器目前所遇到的功率限制的方案之一。此外,将闪烁体块单晶制备成光纤形态,通过简单的加工后可用于高空间分辨率的闪烁体阵列探测器,能够大幅降低Ce:LYSO、Ce:LuAG晶体闪烁器件的生产与加工成本,在新一代高能射线和粒子探测器的发展和应用中也具有潜在前景和市场。近年来多个团队围绕单晶光纤开展了相关研究,法国里昂第一大学等采用微下拉法制备的Yb:YAG单晶光纤实现了超过250 W的连续激光输出,
量子电子学报 2021年2期2021-04-24
- Ta5+、Nb5+掺杂 β-Ga2O3单晶光电性质研究进展
引言Ga2O3单晶是一种透明半导体氧化物,有五种同分异构体α、β、γ、δ、ε,但在高温下能够通过熔体法制备的只有β相氧化镓是稳定的[1-3],β-Ga2O3是单斜晶系,空间群为C2/m,晶格参数为a=1.2214 nm,b=0.3037 nm,c=0.5798 nm,β=103.83°[4]。β-Ga2O3的透过覆盖范围为深紫外区到红外区(260～7730 nm),其吸收截止边在260 nm附近,位于日盲紫外区域,因而β-Ga2O3是一种天然制备日盲紫外
量子电子学报 2021年2期2021-04-24
- 铌锌酸铅-钛酸铅单晶的生长及性能
言铅基弛豫型铁电单晶具有优异的压电和机电性能，受到功能材料界极大关注，并在工业领域得到了广泛应用[1-2]。与传统的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系压电陶瓷相比，单晶的压电常量d33由600 pC/N提高到2 500 pC/N，机电耦合因数k33由70%提高到93%～95%，最大电致伸缩应变由0.15%提高到1.7%[3-5]。Pb(Zn1/3Nb2/3)O3与PbTiO3混合而成的(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PZN-PT
人工晶体学报 2021年3期2021-04-17
- 专利名称: 一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法
制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法，包括以下步骤：一、选取多晶坯料和单晶籽晶为原料；二、将多晶坯料和单晶籽晶安装在位于电子束悬浮区域熔炼炉熔炼室内的夹持头上，然后调节多晶坯料与单晶籽晶之间的距离，之后进行相对逆向旋转，接着进行熔接处理，将熔接后的多晶坯料和单晶籽晶相对电子枪运动，得到等径生长的大尺寸钼铌合金单晶棒材。利用本发明方法得到的大尺寸钼铌合金单晶棒材，其直径为20～40 mm，长度为100～800 mm，晶体取向与单晶籽晶一致，晶向偏离角不大于
中国钼业 2021年4期2021-04-04
- 弛豫铁电0.24PIN-0.47PMN-0.29PT单晶声表面波性能研究
N-PT) 铁电单晶表现出良好的压电、光学、介电性能(准同型相界附近d33>2 500 pC/N，k33>90%)[12-13]。同时与二元系PMN-PT单晶相比，PIN-PMN-PT单晶具有更高的矫顽场和更宽的工作温度范围，如PIN-0.43PMN-0.33PT晶体，其居里温度TC为208 ℃，三方四方铁电相变温度TRT为120 ℃[14]。兼顾优异性能和稳定性的PIN-PMN-PT晶体，在医学超声换能器、大位移压电驱动器等机电设备及声表面波器件中极具应
人工晶体学报 2021年2期2021-03-24
- MAPbCl3单晶光电探测器的制备及表征
器的主要问题就是单晶的质量和生长速率[5-7]。Dang等[8]使用底部籽晶法制备得到了1.2 cm×1.2 cm×0.8 cm的MAPbI3(CH3NH3PbI3)单晶。相对于缓慢蒸发法,底部籽晶法的生长质量更高,并且控制更加精确。Dong等[9]使用顶部籽晶法同样制备了大块的MAPbI3单晶,其过程与底部籽晶法类似。反向升温法也是目前研究人员使用较多的一种方法,是目前生长单晶最快的一种方法。Liu等[10]使用反向升温法制备了质量更高的MAPbCl3单
沈阳师范大学学报(自然科学版) 2021年6期2021-03-13
- 光学材料中红外光学材料的研究与认识
键词：红外材料;单晶;光学材料引言：红外材料技术与微电子技术的结合，极大地推动了红外成像与红外制导技术的发展。红外技术应用与发展，又促进了红外材料技术的发展及进步。对红外材料的耐高温、高强度、大尺寸、化学及物理稳定性等提出了一系列更高要求。一、红外线与红外材料（一）红外线红外线同可见光一样都是电磁波，它的波长范围很宽，从0.7μm到1000μm。根据波长的不同，通常分为近红外0.70μm-1.5μm，中红外1.5μm-10μm，远红外10μm-1mm三个波
民族文汇 2021年3期2021-01-18
- 微量元素钛、铪、碳在单晶高温合金中作用的研究进展
及其他承热部件。单晶高温合金中去除了在高温下属于弱化组织的晶界，从而可以降低合金中晶界强化元素的含量。由于晶界强化元素一般在合金中形成低熔点相，这些元素的减少使得单晶合金的熔点升高，能够在更高的温度下进行固溶处理，进而可以引入更多含量的难熔强化元素，使得其强度比等轴晶和定向柱晶高温合金有了大幅改善，因而得到了广泛的应用[1]。1 国内外典型单晶高温合金成分的特点上世纪80年代，国外成功研发出PWA1480单晶高温合金，其承温能力较典型定向合金PWA1422
黑龙江科学 2021年12期2021-01-16
- 热辊压片对电池性能的影响
池性能的影响，对单晶结构的LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2（以下简称三元）正极片使用不同温度辊压，100℃时厚度均匀性最佳。将100℃与25℃辊压所得极片做成扣式电池，对比测试电化学性能。结果显示100℃压片时电池倍率、循环较好，原因是热辊压片使得极片柔性增强，三元单晶颗粒和CNTs长链破坏较少，保持了较好的导电能力，同时高温使得聚偏氟乙烯（pvdf）分子链交融更充分，显著提高黏接强度。关键词：镍钴锰酸锂;单晶;热辊压片0引言在锂离子电池制造过程中，
科学与财富 2020年29期2020-12-21
- 单晶光纤
——高功率激光的优选材料
法首次制备出金属单晶光纤，由此拉开了单晶光纤研制的序幕。直到20世纪80年代，美国Feigelson和Fejer教授首次采用激光加热基座法拉制单晶光纤；1993年，日本Fukuda教授发明了微下拉单晶光纤生长炉，单晶光纤的发展迎来了春天。单晶光纤是将晶体材料制备成直径在几十μm到1 mm之间的纤维状单晶体，具有高长径比、大比表面积、散热好、非线性增益系数小等优势，是当前世界科技研究的前沿和热点。单晶光纤激光器能有效解决石英光纤激光器低损伤阈值、低热导率和严
人工晶体学报 2020年10期2020-11-18
- 准单晶电池片生产工艺研究
存路线是关键，准单晶也是一个研究方向。单晶硅是通过直拉法制得，制得的单晶硅片每片只有一个晶粒，具有低缺陷和高的转换效率，但成本高、产量小。而多晶硅片往往含有大量的晶界及缺陷，转换效率较低[1]。准单晶[2]是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶片。相较于多晶，准单晶硅片晶界少，位错密度低；相较于单晶，准单晶的光致衰减低约1/4～1/2。准单晶最早是在2006年由BP solar公司研究成功，该公司生产的Mono
山西化工 2020年3期2020-07-16
- 基于热饱和溶液法CH3NH3PbI3单晶的制备及表征*
移的能垒很低。而单晶钙钛矿缺陷少也没有晶界，意味着电子和空穴的扩散长度更长、寿命更久[13-14]，且在光电方面具有潜在应用前景。目前，在各类有机-无机杂化卤化钙钛矿中，单晶CH3NH3PbI3是研究最广泛的一类钙钛矿材料[15]。钙钛矿单晶CH3NH3PbI3为代表的钙钛矿单晶材料有望应用在新一代高性能光电器件中。所以迫切需要探究一种简单易操作的高质量钙钛矿单晶生长方法。本文研究了对实验条件要求极低条件下单晶CH3NH3PbI3的制备，并通过SEM、XR
功能材料 2020年3期2020-04-03
- 重型燃气轮机透平叶片用单晶合金发展趋势
、定向铸造合金、单晶铸造合金的发展历程。目前，国外H级重型燃气轮机透平叶片已经采用第2代单晶合金。本文在介绍国外F级及以上等级重型燃气轮机透平叶片用材和国内外单晶合金研发和应用情况的基础上，分析了单晶合金化学成分的特点和成分设计应该考虑的因素，结合国内外低Re单晶合金的研发和应用情况，指出使用低Re单晶合金是重型燃气轮机透平叶片用材的发展趋势，并给出国内重型燃气轮机透平叶片用低Re合金的研发建议。1 重型燃气轮机透平叶片用材情况表1是世界主要燃气轮机制造商
热力透平 2019年4期2019-12-18
- Ti掺杂对单晶LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2电化学性能的影响
成锂电池正极材料单晶LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2，运用X射线衍射仪和扫描电镜对正极材料晶体结构和微观形貌进行表征，对电性能进行评估，探讨离子掺杂对材料结构以及电化学性能的影响。结果表明：Ti元素可以很好地融入晶格中，未改变晶体的结构;同时，掺杂适量的Ti元素，可有效提升材料的可逆容量和循环性能。关键词：锂离子电池;单晶;正极材料;掺杂;电化学性能中图分类号：TQ134.11;TB383.1 文献标识码：A文章编号：1003-5168（2018）2
河南科技 2018年28期2018-09-10
- 核心电子元器件研制全线自主化
西省4H-SiC单晶制备技术取得重大突破并實现产业化，至此突破了国外对我国SiC单晶衬底技术多年的限制，为我国高性能核心电子元器件产业发展提供了有力保障。4H-SiC单晶是目前高性能核心电子元器件研制必需的衬底材料。多年来，中国电子科技集团公司第二研究所（山西）通过不断努力创新，解决了4英寸SiC单晶生长设备结构设计、密闭性设计等关键技术，获得自主知识产权的SiC单晶生长设备制造技术，实现了SiC单晶生长设备国产化；通过新型石墨坩埚结构设计、SiC单晶生长
科学导报 2018年21期2018-05-14
- 锗单晶多线切割工艺研究
00220)Ge单晶在红外光学材料中的应用广泛，而作为太阳能电池衬底材料的开发则成为当前的热门[1]。航天工业的特点决定了太阳能电池必须具有质量轻、精度高的特性，作为衬底的Ge抛光片在满足强度要求的前提下，必须尽量降低厚度，而且对抛光片的表面质量、表面晶格完整性、平整度等提出更高的要求[2]。切片是把单晶锗由锗棒变成锗片的一个重要工序，切片质量的好坏直接影响着抛光等后续工序的工作量和产品质量。多线切割技术以其材料损耗小、面形精度高等优点，目前正成为半导体材
电子工业专用设备 2018年2期2018-04-19
- 有机卤化铅钙钛矿单晶材料的生长和应用研究现状
有机卤化铅钙钛矿单晶材料的生长和应用研究的进展，为今后单晶材料的进一步发展和器件的应用提供思路。关键词：太阳能电池；有机卤化铅钙钛矿；单晶；光电器件中图分类号：TM282 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2018）03-0246-03有机卤化铅钙钛矿材料具有载流子迁移率高，擴散长度大，光吸收范围宽，吸光率高，带隙大小适合太阳光谱等特点，在高效光伏电池领域迅速受到人们的关注。在短短的几年之中，以有机卤化铅钙钛矿材料制作的光伏电池的能量转换效率从
中国科技纵横 2018年3期2018-03-15
- 隆基乐叶单晶PERC电池转换效率提达到22.17%
隆基乐叶单晶PERC电池转换效率提达到22.17%隆基乐叶光伏科技有限公司收到国家太阳能光伏产品质量监督检测中心的报告，报告显示：隆基乐叶单晶PERC电池转换效率达到22.17%，刷新公司纪录并在行业内处于领先水平。2016年年底隆基乐叶60片P型PERC单晶156×156mm电池组件，在标准测试条件(STC)下功率达到316.6W，是TUV系统当时所测得该型号的最高功率。单晶PERC电池转换效率提升至22.17%，将公司产品转换效率带上了新高度。隆基股份
网印工业 2017年4期2017-05-04
- 单晶LiNixCoyMn1-x-yO2三元正极材料研究进展
三元正极材料做成单晶形貌，不仅能够提高材料高电压下容量的发挥，同时可以有效改善材料的高温循环、胀气、容量恢复等方面的问题。此外单晶三元正极材料还具有以下优点：(1) 机械强度高，电极压实过程中不容易破碎，压实可达3.8g/cm3～4.0g/cm3，其较高的压实可减小内阻，减小极化损失，延长电池循环寿命，提高电池能量；(2) 特殊的一次单晶粒子，比表面积低，有效降低了副反应；(3) 单晶颗粒表面较为光滑，与导电剂可以较好的接触，利于锂离子的传输。因此，开发单
电池工业 2017年2期2017-03-28
- 低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长技术研究
陷β-Ga2O3单晶材料生长技术研究张颖武练小正张政程红娟（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300220）β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料，基于此，介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力，阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的难点，并结合国内外β-Ga2O3单晶生长技术进展，分析低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长方法。β-Ga2O3；宽带隙；单晶β-Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体材料，禁带宽度约为4.8eV，密度约为5.95g
河南科技 2016年13期2016-10-26
- 高品级金刚石大单晶的合成及应用
高品级金刚石大单晶的合成及应用刘永奇(郑州华晶金刚石股份有限公司，河南 郑州 450001)简要叙述了高品级金刚石大单晶的合成方法及生长特性。分析了高品级金刚石大单晶的镜面加工机理及在制作单晶金刚石刀具时所占的优势。并进一步阐述了单晶金刚石刀具的加工特性及在精密和超精密切削领域中所占的地位。高温高压法(HPHT)；金刚石大单晶； 单晶金刚石刀具0 引言随着科学技术的进步，人工合成的高品级金刚石大单晶，在性能上已经接近或在某些这方面超越了天然金刚石单晶。由
超硬材料工程 2016年3期2016-09-16
- 单晶Ni3Al基高温合金微铣削表面粗糙度试验研究
，121001单晶Ni3Al基高温合金微铣削表面粗糙度试验研究高奇1,2巩亚东1周云光11.东北大学，沈阳，1108192.辽宁工业大学，锦州，121001摘要：为研究单晶高温合金的微铣削表面粗糙度，采用直径为0.8 mm的双刃硬质合金微铣刀，对典型的单晶Ni3Al基高温合金IC10进行微尺度铣削的三因素五水平正交试验研究。通过极差分析找出主轴转速、进给速度、进给深度对微铣削表面质量影响的主次因素。通过优化获得理想的切削工艺参数组合，所获表面粗糙度为80
中国机械工程 2016年6期2016-04-21
- 铌镁（锌）酸铅-钛酸铅弛豫铁电单晶研究进展
言新型弛豫型铁电单晶铌镁酸铅－钛酸铅(1－x) Pb(Mg 1/3Nb 2/3) O 3－xPbTiO 3(PMN－PT )和铌锌酸铅－钛酸铅(1－x) Pb(Zn 1/3Nb 2/3) O 3－xPbTiO 3(PZN－PT)单晶在最近十几年中受到了广泛的关注，成为研究热点。这是由于和传统的压电材料相比较，铌镁酸铅－钛酸铅和铌锌酸铅－钛酸铅单晶表现出良好的压电、介电、光学和声学性能，这种新型晶体在各种机电设备中具有广泛的应用前景，如医学超声换能器，大位移
大庆师范学院学报 2015年3期2015-03-30
- 镍基高温合金核心技术发展
技术；演进图谱；单晶；激光熔覆；热障涂层；铂族金属1前言Ni基高温合金在整个高温合金领域占有重要地位，被广泛地用来制造航空发动机耐热部件、各种工业燃气轮机热端部件、核电耐热部件等，其涉及到的技术内容和数量是相当庞大的。从产业的角度来讲，专利技术是以应用于生产为基础的，针对某一产业或某领域的专利技术，通常会形成一个专利群，专利群中每件专利的价值和作用是有差异的，而核心专利在一个专利群中处于节点和纽带的地位，是后续科技之核心，也是产业经济之核心[1-2]。对于
中国材料进展 2015年3期2015-02-25
- 太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究
求的状态。同为硅单晶、太阳能级单晶以及半导体级单晶虽在诸多方面都存在着较大不同，但其生长方法本质相同。那么若能对太阳能级硅单晶生长设备进行改造，使其适应半导体级单晶的生长，使得闲置资源得到利用，不失为一种发展方向和思路。1 实验过程和方法本实验选用JRDL-900 型单晶炉，该单晶炉为软轴提拉型直拉炉，其设计主要针对太阳能级硅单晶产品。该设备初始配置500～550 mm（20～22英寸） 热系统，可投料100～120 kg，能够拉制150～200 mm(6
电子工业专用设备 2014年9期2014-07-04
- PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究
用PVT法，通过单晶横向延展技术，成功制备出了4英寸碳化硅单晶，结合计算机模拟计算，重点分析了籽晶石墨托几何结构对单晶尺寸延展的影响，结果表明圆台结构的籽晶石墨托更有利于单晶生长初期的迅速横向延展，进而实现大尺寸碳化硅单晶的生长，该理论分析结果与试验结果完全吻合。[关键词] 4英寸；碳化硅；横向延展；计算机模拟中图分类号：O782 文献标识码：A 文章编号：2055-5200（2014）01-033-03Doi：10.11876/mimt201401001
现代仪器与医疗 2014年1期2014-03-28
- 单晶多晶之争：是否最终将回归单晶市场？
单晶多晶之争：是否最终将回归单晶市场？谁将领导晶硅电池市场，单晶还是多晶？这是一个业内经常被问到的问题。回到2007年的时候，单晶和多晶硅片产量是一半一半，而这个比例现在已经变成了三七分成，因为多晶由于成本优势推动抢占的大型电力项目市场以及帮助降低组件成本而受到大多数人青睐。即使这样，有关于哪一种技术未来能够提供更大的价值仍然是存在争议的。单晶硅片能够使电池效率比多晶硅片的电池效率基本上升2%，然而，标准的单晶硅片的卖价高于多晶硅片在30%左右。但是，由于
电子工业专用设备 2014年8期2014-03-24
- 高温高压合成硼掺杂金刚石单晶的抗氧化性能研究①
合成硼掺杂金刚石单晶的抗氧化性能研究①宫建红1,李和胜2,刘盛男1,杨丽民1,陈巧玲1,高军1,王丽1(1.山东大学(威海)机电与信息工程学院,山东威海264209; 2.富世华(河北)金刚石工具有限公司,河北石家庄052165)工业金刚石单晶的高温抗氧化性是决定其应用领域的重要技术指标。以石墨为碳源,Fe-Ni-B -C合金为触媒,在5.0GPa和1570K的高温高压条件下合成了硼掺杂金刚石单晶。通过测试该金刚石的热蚀率、静压强度、冲击韧性、起始氧化温度
超硬材料工程 2014年6期2014-03-24
- 生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响
1m，目前可生长单晶的最大直径为55mm。由于具有高真空系统，因此采用该区熔炉可对多晶硅进行区熔提纯，并能研制P型高阻率单晶，但因是20世纪70年代的老设备，且产能有限，目前主要用于进行科研课题的样品研制。CFG/1400P区熔炉为从德国进口的单晶炉，上、下轴行程为1.5m，炉膛直径约为0.65m，可生长单晶的直径为45～104mm。由于完成科研、生产任务的需要，我们有机会在两台区熔炉上分别生长了同种规格的两种高阻单晶，其中P型高阻单晶研制采用了在CFG/
电子工业专用设备 2011年9期2011-06-04