“超分辨光刻装备项目”通过验收 可加工22nm芯片

国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，在365nm光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达22nm；结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。该项目在原理上突破了分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过了国外相关知识产权壁垒，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

（图片来源：新华网）