靶材
- 磨料水射流单颗磨粒侵彻的仿真研究
1]。由于磨粒与靶材接触的时间极短，难以通过试验的方法进行观测研究。随着有限元仿真技术的发展，目前国内外学者纷纷通过仿真的方法研究磨料水射流加工。KUMAR和SHUKLA[2]采用ANSYS软件建立了磨料水射流单颗磨粒侵彻Ti-6Al-4V靶材的仿真模型，研究了磨粒速度和入射角度对靶材表面凹坑形状、深度的影响规律。LI等[3]研究了凹坑的形成机制，并采用ANSYS软件建立超高速磨料侵彻靶材的仿真模型，研究了不同磨粒速度和入射角度下靶材表面凹坑体积的变化规律
机床与液压 2023年2期2023-03-01
- 磁控溅射后的铂靶表面形貌分析
溅射技术中，提高靶材利用率一直是研究重点。磁控溅射系统的靶阴极具有特殊的磁场结构，利用磁场对带电粒子的约束，增加离子密度和能量来提高溅射效率，但外加磁场的同时由于磁力线分布的不均匀性就使得溅射区域集中于靶面的局部区域[14]，造成平面型靶材表面非均匀性消耗，这极大地限制了靶材利用率的提高。对靶溅射后的表面形貌及结构进行分析，明确溅射时靶材表面形貌的变化趋势，对理解靶材溅射过程，提高靶材的利用率具有重要意义。本文通过观察磁控溅射后的铂靶表面不同部位的形貌及结
贵金属 2022年4期2023-01-28
- 金钼股份技术中心高纯大尺寸钼铌管状靶材顺利交付
尺寸钼铌合金管状靶材的交付，制备的钼铌合金管状靶材直径大于150 mm、长度达到2 100 mm，纯度可达99.99%，O(氧)含量小于0.05%(质量分数)。钼铌靶材主要用于溅射制备LCD/OLED 高端液晶显示屏及太阳能电池的电极和布线材料，是平板显示及光伏行业不可或缺的重要基材。团队经过不懈的努力，基于前期的基础研究，攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题，掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。经第三方机构检测，制备出的钼铌合金靶材的各项指
中国钼业 2022年1期2023-01-04
- 映日科技：主业借力国产替代毛利率逆势走高解释难令人信服
技”）生产的溅射靶材是平板面板和半导体的关键原材料。在下游京东方、惠科集团等平板显示器客户需求快速增长下，作为其关键原材料供应商之一的映日科技收入也水涨船高。营业收入尤其是净利润连年翻倍增长，需求增长带来的饱满订单意味着公司后续发展仍充满期待。不过，映日科技毛利率显著高于同行，且在主要同行毛利率下降时，映日科技毛利率却逆势走高。映日科技的主业以高性能溅射靶材为主，主要应用于显示面板和半导体等领域，尤其是以显示面板用ITO靶材（ITO指氧化铟锡）作为公司主攻
证券市场周刊 2022年46期2023-01-02
- 磁控溅射铜靶晶粒度对溅射性能与沉积性能的影响
究[3-4]，但靶材对薄膜沉积的影响的研究尚且不足。张国君等[5]研究了Mo靶的热处理温度对薄膜组织和性能的影响，发现靶材热处理温度具有一个最优值，此温度下薄膜粗糙度最小，沉积速率最高。张丽民等[6]研究了Cu靶材轧制与退火温度对靶材组织与取向的影响，发现低温退火中较高的退火温度有利于得到均匀细小，取向一致的靶材。穆健刚等[7]发现完全合金化的钛铝靶与完全未合金化的靶所制涂层形貌、结合力、硬度等均相似，但前者沉积速度较后者更低。Boydens等[8]发现不
金属热处理 2022年11期2022-11-29
- 从专利角度分析ITO靶材的研究现状及发展趋势
，如高品质ITO靶材长期依赖国外进口。由于我国在ITO靶材制备技术研究起步较晚，国外在制备技术上对我国进行封锁，目前，我国制备的ITO靶材只能满足低端产品的要求。近年来，随着液晶显示行业的发展，对ITO靶材的需求不断増加，ITO靶材的研究也越来越迫切，我国新材料产业“十二五”重点产品中指出氧化铟锡（ITO靶材）作为“十二五”攻关重点项目立项研究，在多年的努力下，在ITO靶材制备技术方面取得了一定的成果。国内生产ITO靶材的企业主要有华锡集团、株冶、山东蓝狐
中国金属通报 2022年7期2022-08-19
- 不同组织结构钼靶材的抗氧化性能研究
77)0 引 言靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、 信息存储、液晶显示屏、太阳能电池、激光存储器、 电子控制器件等，亦可应用于玻璃镀膜领域，还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业[1]。 Mo靶材溅射薄膜主要用于 CIGS( 铜铟镓硒) 薄膜太阳电池底电极及半导体集成电路、记录介质、平面显示等方面[2-3]，在LCD及OLED屏幕制造工艺中,钼薄膜主要用于导电薄膜中Al的阻挡层,部分用于Cu的阻挡层及栅极材料。钼薄膜是钼靶材通过磁控溅射
中国钼业 2022年3期2022-07-06
- 大尺寸ITO 靶材的制备及其密度影响因素的研究
TO（氧化铟锡）靶材具有良好的导电性和透光性，是液晶显示器、电致发光显示器、触摸屏、异质结太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料［1-3］。随着ITO 靶材行业的发展，靶材由6分割减少到3 分割和2 分割。传统的6 分割靶材在烧结前长度为600 mm，降低分割数后单节靶材烧结前长度可达到1200—1500 mm，而靶材尺寸的增大会使得靶材的密度难以提升，同时造成开裂率和变形率增加等问题［4-6］。随着异质结电池的发展，ITO靶材溅射在异质结电
材料研究与应用 2022年3期2022-07-04
- 氧化物靶材的制备及研究进展
体轰击对应氧化物靶材进而在基片上沉积获得［1］，因此薄膜各项性能与靶材质量息息相关。相比于通过金属靶材反应沉积成膜，直接使用氧化物靶材能减少靶材中毒。氧化物靶材是陶瓷靶材的其中一种，随着光电器件产业的发展成为了一种关键性基材，但业界对其形状、组分等方面有严格的应用要求，靶材制备难度较大。近年来我国靶材产业化取得了很大进展，并涌出了多家具有较强市场竞争力的靶材厂商，但在高端器件生产应用方面与日本、德国等国相比，我国氧化物靶材产业仍然是一大短板。目前，氧化物靶
材料研究与应用 2022年3期2022-07-04
- 锁定“钼”标 砥砺前行
——“高性能触控显示屏用钼铌合金靶材的技术研究及产品开发”项目简介
溅射靶材是平板显示、新能源及光伏行业不可或缺的重要基材，市场需求量大。为了有效拓展市场，金堆城钼业股份有限公司(以下简称“金钼股份”)成立钼铌合金靶材科研项目团队。经过两年的不懈努力，攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题，掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。该项目小组在小规格钼铌靶材的基础上展开了大规格钼铌合金平面靶材、管状靶材的开发。项目组成员通过原料的纯化解决了钼铌合金应用面板行业的第1个“卡脖子”问题——高纯；通过特殊热处理解决了作为阻
中国钼业 2022年5期2022-03-24
- 打破技术垄断 迈入核心供应链
——“G6代以上钼整靶材的制备工艺研究”项目简介
《G6代以上钼整靶材的制备工艺研究项目》获得公司科技进步一等奖。这一项目的研制成功打破了欧洲厂商在该技术上的垄断，填补了国内空白，使公司成为全球OLED柔性显示钼靶材的主要供应商。G6代高端钼靶材是OLED显示屏生产中的核心材料，具有超大、超纯、超细晶粒等特点，制备难度大，精度要求高。此前全球市场由国外供应商独家供应，作为国内钼金属行业的龙头企业，金钼股份承担起了关键材料钼靶材国产化开发的重任。肩负重任的板材事业部研发团队针对已有1 780 mm热轧机组进
中国钼业 2022年5期2022-03-24
- Na 掺杂MoO3 陶瓷靶材的制备及其成膜性能研究
Mo-Na 合金靶材在制备过程中难以保证钠元素的均匀分布与高回收率的实现,其应用受到限制。如朱琦等[15]以纯钼粉和钼酸钠为原料,采用雾化后脱胶处理的方法制得了Na 含量分别为摩尔分数1%,2%和3%且Na 均匀分布的钠掺杂钼复合球形粉末;Bergk 等[16]以钼粉及纯钠片为原料,采用高能球磨法制得Na 含量分别为摩尔分数1%和2%的Mo-Na 复合粉末。然而当将上述混合粉体烧结、轧制制备成Mo-Na 合金靶材后,靶材中Na 含量几乎为零。由此可以推断,
电子元件与材料 2022年1期2022-02-14
- 大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展*
量的粒子加速轰击靶材表面，使得靶材表面的原子脱离后沉积在玻璃基板或其他材料衬底上成膜[17]。磁控溅射法具有溅射条件易于操控、沉积速率较高、能实现大面积均匀沉积和成膜黏附性好等综合优势[18-22]，是当前研究及生产中应用最多的镀膜工艺，同时也是制备ITO薄膜最常用的镀膜方法。通过磁控溅射工艺，ITO薄膜可以由In-Sn合金靶材或ITO靶材在玻璃基板、柔性聚合物衬底上沉积得到。研究报道，溅射沉积时ITO靶材相比In-Sn合金靶材更容易使用[23-25]。因
广西科学 2022年6期2022-02-09
- ZnO靶材的制备技术、应用与发展趋势
摘要：靶材通常是指溅射靶材，它是制备功能薄膜的溅射源，在特定的面上形成10nm～10μm级薄膜（特种金属或混合金属氧化物），进而通过后续工艺形成导电层、栅极、阻挡层、绝缘层和线路等。由于ZnO薄膜材料无毒，制备温度较其他膜材料低，工艺流程简单，可以实现掺杂，原材料较其他靶材易得，有非常大的成本优势，所以ZnO靶材的市场前景十分广阔。本文主要讨论了ZnO靶材的制备技术、应用前景及发展趋势。关键词：靶材;制备技术;应用;发展趋势靶材通常是指溅射靶材，它是制备功
快乐学习报·教师周刊 2021年2期2021-09-10
- 烧结温度对掺杂CZTSe靶材性能的影响
对掺杂CZTSe靶材的性能影响进行了研究，为后续实验工作提供一定的理论指导.1 实验材料与方法将纯度为4.5N的Cu∶Zn∶Sn∶Se四种元素单质按原子比20.1∶16.2∶12.5∶51.2进行配料，然后放入高压炉中进行合成，经过冷却-破碎-球磨-筛分后得到粒径50～200 μm的粉体.将所得粉体分别称取约200 g放入5个洗净的PV桶中，用精确度为0.001 g的电子天平再分别称取约0.82 g的RbF粉体放入上述的PV桶中，然后再分别放入不同尺寸的锆
材料研究与应用 2021年3期2021-09-02
- 贵金属溅射靶材的研究进展
[1-5]。溅射靶材是磁控溅射制备薄膜的关键原材料，其质量是决定薄膜性能的主要因素之一。近年来，随着镀膜技术突飞猛进的发展，溅射靶材市场规模急剧扩张。根据恒州博智电子及半导体研究中心公布的《2021-2027全球与中国溅射靶材市场现状及未来发展趋势》统计数据，2020年全球溅射靶材市场规模达到了248亿元，预计2027年将达到416亿元，年复合增长率为7.7%。溅射靶材的主要应用领域为半导体、平面显示、记录媒体和太阳能薄膜电池，其中半导体领域的芯片产业是对
机械工程材料 2021年8期2021-09-01
- 高纯稀土钇靶材焊接技术
京市高纯金属溅射靶材工程技术研究中心, 北京 102200)0 前言随着集成电路产业的飞速发展，中芯国际已于2019年底实现14 nm制程的量产，下一步将努力实现对7 nm的量产，英特尔将于2021年由10 nm制程升级到7 nm 极紫外光刻(EUV)工艺，台积电5 nm制程预计2020年实现量产，三星在2021年将量产更先进的3 nm GAA制程。随着制程节点的减小，MOSFET器件尺寸不断缩小，同时性能不断提高，作为栅介质层的二氧化硅膜厚也随之减薄，但
焊接 2021年3期2021-06-09
- 激光辐照下卫星筒体部分多物理建模及毁伤效应分析
对铝、钢、铜和钛靶材进行烧蚀试验，得到不同材料在不同能量密度下的烧蚀率。郭芳等[10]采用电子束热蒸发方法制备了SiO2薄膜，并在相同实验条件下制备的薄膜加以不同能量的激光辐照，研究在激光辐照前后样片的透射率、折射率、消光系数、膜厚、表面形貌及激光损伤阈值（LIDT）的变化。王刚等[11]利用热弹性理论对CO2激光器辐照K9玻璃材料进行研究，建立激光辐照材料温升及热应力分布二维平面模型，通过解析计算得到由激光辐照半导体材料引起的温度场和应力场的瞬态分布。宋
应用光学 2021年3期2021-06-08
- ITO陶瓷靶材溅射过程中结瘤行为研究
薄膜。ITO陶瓷靶材在磁控溅射过程中，靶材表面受到Ar+轰击和被溅射原子再沉积的多重作用而发生复杂的物理化学变化，ITO靶材表面会产生许多小的结瘤，这个现象被称为ITO靶材的毒化现象。靶材结瘤毒化后，靶材的溅射速率降低，弧光放电频率增加，所制备的薄膜电阻增加，透光率降低且均一性变差，此时必须停止溅射，清理靶材表面或更换靶材，这严重降低溅射镀膜效率[11]。目前对于结瘤形成机理尚未有统一定论，如孔伟华[12]研究了不同密度ITO陶瓷靶材磁控溅射后的表面形貌，
郑州大学学报（工学版） 2021年2期2021-06-01
- 金堆城钼业股份有限公司钼镍合金靶材喜获批量订单
研发的钼镍系合金靶材顺利通过客户三轮次的严格认证，并喜获首个钼镍系合金靶材订单，订单总额超十万元。此订单不但属于靶材系列新产品订单，而且打破了公司以往靶材新品研发的市场跟随策略，以客户终端需求为目标，自主设计合金成分，积极解决客户应用问题，这对公司从产品供应商向技术服务商转变具有重要意义。镍系合金性能独特，在集成电路封装、激光器件、航空航天及医疗设备等领域具有广泛的应用前景。但其制备难度大，合金成分设计复杂，国内外均未有可借鉴的经验。在公司各级领导悉心指导
中国钼业 2021年5期2021-04-04
- 磁控溅射用W-Ti合金靶材的研究进展
将W-Ti 合金靶材制备成W-Ti 合金薄膜。W-Ti 合金应用于集成电路扩散阻挡层已有超过40年历史，同样应用于集成电路扩散阻挡层的还有Ta和Ti［3］。集成电路内部导电层一般为Cu 和Al，导电层和扩散阻挡层一般根据种类搭配应用。Cu 和Ta搭配，应用于更高端、制程更小的集成电路领域。Al和Ti或W-Ti合金搭配，应用于汽车芯片等更加要求稳定性和抗干扰性的领域［3］。但是相同的材料纯度，W-Ti 合金靶材价格相较于Ta 靶材和Ti 靶材优势明显。除此之
宇航材料工艺 2021年6期2021-03-19
- 溅射镀膜技术与运用浅谈
溅射;磁控溅射;靶材;溅射特性;肖特基二极管1基本概念1.1所谓“溅射”是指荷能粒子轰击固体表面（靶材）、使固体原子（或分子）从表面射出的现象。1.2溅射原子：由固体表面（靶材）射职的粒子，大多呈原子状态，常称为溅射原子。1.3入射离子：用于轰击靶的荷能粒子可以是电子、离子或中性粒子，因为离子在电场下易于加速并获得所需动能，因此大多采用离子作为轰击粒子。该粒子又称入射离子。1.4离子溅射镀膜：由于直接实现溅射的机构是离子，所以这种镀膜技术又称为离子溅射镀膜
装备维修技术 2020年5期2020-11-20
- 一种新型磁控溅射贵金属靶材设计
积效率和磁控溅射靶材的利用率[3-5]。特别是贵金属的镀膜使用过程中，靶材的费用昂贵，靶材的利用率至关重要。工业生产中，通常对贵金属靶材使用以下方式降低成本：①贵金属靶材与铜背板绑定，减少贵金属的厚度，降低成本；②对于刻蚀后的靶材进行回收利用[6-8]。本文应用ANSYS有限元方法模拟分析直径为72mm圆形平面溅射靶枪靶材的表面磁场，分析圆形平面溅射靶的靶材利用率较低的主要原因，针对原有靶材的设计进行优化，从而降低贵金属靶材的成本。1 圆形平面阴极结构本文
世界有色金属 2020年12期2020-09-03
- 高纯高均匀锡靶材的制备工艺研究
重要技术之一，而靶材又是磁控溅射过程中的关键材料，其质量和纯度对微电子行业的金属薄膜的质量起着关键性作用。其中高纯锡靶材吸热能力强、强度高、机械性能稳定、具有优异的导电性，广泛应用于微电子行业中的镀锡和扩散掺杂工艺、半导体及制造超导合金等。本文针对锡靶材纯度、内部组织结构、致密性等技术问题，研究锡靶材的制备工艺，采用真空熔炼制备铸锭，主要是提纯原材料保证锡靶材的高纯度，达到99.999%；后续的压力加工和热处理工艺主要是保证锡靶材的致密度、晶粒度和均匀性，
四川有色金属 2019年3期2019-10-23
- 国内溅射靶材行业发展现状
薄膜的过程。溅射靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。溅射靶材的质量对溅射薄膜的品质具有重要影响，针对这个问题，本文主要介绍国内磁控溅射靶材的行业发展状况。关键词：溅射；靶材；行业发展；竞争格局一、国内靶材行业发展现状概述受到发展历史和技术限制的影响，溅射靶材行业在国内起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业。与国际知名企业生产的溅射靶材相比，国内溅射靶材研发生产技术还存在一定差距，市场影响力相对有限，尤其在半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领域，全球高纯溅射
科学与财富 2019年23期2019-10-21
- 填充层芳纶纤维及其与玄武岩纤维复合对防护性能的影响
6061铝合金,靶材每层板的尺寸为200mm 200mm。弹丸为2A12铝球。设计了四类填充层结构:沿碎片云撞击方向,第一种是多层玄武岩和芳纶纤维布组成;第二种是多层玄武岩和芳纶-III混编纤维布,纤维混编示意图如图2;第三种采用芳纶线缝纫的多层纤维布,如图3所示,芳纶线缝纫沿一个方向,间距约10mm;第四种是采用胶水粘贴的多层纤维布,如图4所示。填充层结构中的各种纤维材料参数见表1,填充层结构见表2。超高速撞击试验结果表明,相同面密度的PBO和芳纶-II
空间碎片研究 2019年1期2019-09-18
- 风雨后见彩虹
国开始进行ITO靶材的研发和探索，经过近30年的时间，国内ITO研究取得了长足的进展，整个ITO靶材行业也发生了巨大的变化。参与企业数量逐渐减少，开发主体也从国有企业逐渐演变成为民营企业。目前掌握较高端ITO靶材生产技术的企业只有五六家。国内ITO靶材企业经过30年的大浪淘沙，很多企业已退出市场，而这其中最主要的原因来自我国企业资金和技术的不足。一方面，ITO靶材的研发需要大量的资金支持，如果没有雄厚的资金做基础，研发很难长久。另一方面，制备ITO粉的工艺
中国有色金属 2019年13期2019-07-09
- X射线阳极靶材工作表面的缺陷分析
域，阳极靶(钨钼靶材)是组成X射线管的关键部件，X光管的工作机理是通过电子束轰击靶材工作表面层，其表面层产生特征X射线。因此，X射线衍射装置对阳极靶材的要求特别高。但实际生产中，靶材工作表面经常出现的白斑等缺陷，其缺陷严重降低了靶材的发射功能和使用寿命，造成产品大量报废，严重影响靶材生产成本和成品率。目前，靶材白斑缺陷的研究报道相对较少，白斑缺陷长期得不到解决。段小建等[1]发现并研究了靶材在高温除气后表面出现的白斑现象，钨基钼靶材的工作环境为1 500
中国钼业 2019年2期2019-05-15
- 生产彩色滤光片用材料简介
璃、光阻、洗剂、靶材等。对各材料的主要成份进行介绍，并且针对各主材在生产彩色滤光片时需要管控的关键技术参数做出了论述。关键词：玻璃 光阻 洗剂 靶材中图分类号：TN141 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2019）11（a）-0094-021 玻璃基板玻璃基板主要成份为硼铝硅酸盐无碱玻璃，以SiO2、Al2O3、B2O3为主要
科技创新导报 2019年31期2019-04-07
- 金钼股份成为三星钼靶材全球第二大供应商
代超大规格高端钼靶材。近日，公司通过全球OLED最顶尖生产厂家——韩国三星公司的认证，正式批量供货，成为其钼靶材全球第二大供应商。钼靶材广泛应用在手机、平板电脑、电视等产品的OLED屏幕中，是半导体行业的核心材料之一，预计未来消费量将不断增长。金钼股份板材事业部继2015年研制成功第一块G5代钼靶材之后，不断向更高端市场迈进，通过自主设计、工装改造和技术优化，终于攻克工艺，2018年研制成功了拥有完全自主知识产权的G6代钼靶材，打破了欧洲厂商在该技术上的垄
中国钼业 2019年1期2019-01-18
- 从铟资源情况分析ITO靶材国产化方向
珍【摘要】ITO靶材对面板显示行业意义重大，铟作为ITO靶材的原材料，铟矿资源的情况影响着ITO靶材行业的发展。本文从国内铟资源的情况进行了分析，并简要介绍国内ITO靶材行业发展的现状，最后对ITO靶材国产化的发展方向进行了讨论。【关键词】铟 ITO 靶材 国产化1铟矿资源分布概况1.1铟的简介及用途铟（Indium）是银白色略带淡蓝色的金属，熔点为156.60℃，沸点为2072℃，比重为7.13g/cm3，硬度低于铅金属，可塑性强，延展性和传导性良好。目
中国市场 2018年34期2018-11-19
- 真空室压力对低压等离子喷涂成形钨靶材显微组织及性能的影响
著增加，要求溅射靶材朝高品质(高纯、高致密、细晶等)、大型化[3]、合金化[3]及回转体化[4]等方向发展，因而对其制备工艺提出了更高要求。目前，旋转溅射靶材常规制备方法主要包括粉末冶金及等离子喷涂两类。粉末冶金(含热等静压)高品质钨及钨合金靶材的氧质量分数及孔隙率指标可分别控制在0.05%及1%以下[5]，但其制品易受成形模具尺寸及形状限制，不适用于制备管径远小于管长的旋转溅射靶材;等离子喷涂具备高温、高能、高效等特点，其最大优势在于制品尺寸及形状不受限
材料工程 2018年10期2018-10-18
- 纳米碳粉掺杂对激光烧蚀GAP的推进性能影响
推力器利用激光与靶材的相互作用，通过烧蚀产生的高压膨胀和物质喷射对靶面产生的反作用力，为微推力器提供推进动力。激光烧蚀微推力器作为新型推力器，具有结构简单、比冲高、最小比特小、寿命长等优点，在航天器姿态调整和微小卫星推进领域具有广阔的发展前景[1-2]。目前，激光烧蚀模式可分为透射式和反射式两种[3-4]。透射式下，激光器与靶材处于基底异侧，激光穿过透明基底与另一侧的靶材作用，烧蚀区吸收激光能量后由内部向靶表面延伸，当烧蚀区形成的高温高压区足以突破外层靶材
宇航学报 2018年7期2018-08-10
- 半导体芯片行业用金属溅射靶材市场分析
片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。具体地，半导体芯片的制作过程可分为硅片制造、晶圆制造和芯片封装等三大环节，其中，在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材[1]。（1）硅片制造：单晶硅片的制造过程，首先是将电子级高纯多晶硅通过重熔拉成单晶硅棒，切割成厚度为0.5～1.5mm的薄圆片，常见的晶圆直径包括：150mm、200mm、300mm和450mm等（分别对应6寸、8寸、12寸以及18寸等规格
世界有色金属 2018年10期2018-08-05
- USP强化工艺对金属材料表面性能影响研究
以一定的速度撞击靶材，使靶材表面发生塑性变形，在靶材表面形成凹坑，无数凹坑重叠形成均匀的残余压应力层[2]。大多数的材料失效（如疲劳断裂、微动疲劳、磨损和腐蚀）都源自工件的外层，而喷丸强化工艺可以抑制工件表面裂纹萌生及抵抗工件表面已出现的微裂纹延伸，它对提高工件结构承载能力和改善结构总体性能非常有效。由于喷丸强化工艺与受喷靶材表面压缩残余应力之间存在紧密联系，影响喷丸强化效果的因素也非常多，因此，无论是在理论研究方面，还是实际工程应用方面，喷丸强化工艺都值
现代制造技术与装备 2018年5期2018-06-22
- 连续/脉冲复合激光光束辐照铝靶材的热特性研究
迟双脉冲激光对铝靶材作用，发现铝靶材的烧蚀深度随脉冲延时出现先增大后减小。Song Chao等［10］开展了共轴双脉冲诱导等离子体膨胀动力学研究，结果表明脉冲延时对等离子体冲击波前向膨胀速度具有显著影响，并有效延长了等离子体冲击作用时间。本文基于多物理场耦合Comsol multiphysics5.0软件对连续/脉冲复合激光光束辐照铝靶材的热特性进行了仿真计算，分析连续/脉冲复合激光之间的时间延时对铝靶材温度演化影响，对达到相同温度和熔化深度的连续激光作用
长春理工大学学报（自然科学版） 2018年2期2018-05-26
- 一周行业
受益政策驱动，靶材行业国产替代趋势明确我国溅射靶材行业将深度受益于下游半导体与面板行业产能转移趋势。分下游应用领域来看，其中，①半导体靶材：未来3年本土晶圆代工产能陆续投产将大幅提升对靶材的需求，目前国内半导体靶材仍为日美主导，本土企业替代路径明确；②面板靶材：但目前国内面板靶材主要以攀时、世泰科等国外企业供给为主，本土化率较低，国产替代空间较大；③太阳能电池靶材：目前我国太阳能电池用溅射靶材僅约占全球6.2%，随着我国薄膜电池生产线的投产，市场有望快速
证券市场红周刊 2018年26期2018-05-14
- 烧结温度对Nb2O5-x靶材性能的影响*
用Nb2O5作为靶材镀Nb2O5薄膜具有更大的优势.(1)沉积速率高：用Nb2O5-x作靶材能将沉积速率提高近一个数量级，所得薄膜的折射率几乎相同.Ohsaki H等[5-6]提出有效沉积速率随着靶材表面金属性的增强而提高.Nb2O5-x比Nb2O5具有更强的金属性，可达到较高的溅射速率，同时又克服了用Nb靶材时不稳定的问题.例如 Tachibana Y[7]用Ar预轰击TiO2靶材，使其表面失去部分氧，呈现 TiO2-x状态，溅射时可达到较高的溅射速率.
材料研究与应用 2018年1期2018-05-04
- 一种轧制加工钨钛合金靶材的制备方法
发明属于有色金属靶材制备技术领域,具体涉及一种轧制加工钨钛合金靶材的制备方法.该方法以W粉与TiH2粉末为原料,依次经混合、压坯、预烧、烧结、包套、轧制和热处理步骤,最终得到所述钨钛合金靶材.本发明采用将W粉与TiH2粉末混合后压制成型,压坯经过预烧还原和高温真空烧结,坯料带包套进行轧制的工艺;压坯经过预烧还原,可有效降低坯料中的杂质含量和氧含量,再经高温真空烧结,可得到高纯度钨钛合金坯料;坯料带包套后可以在大气气氛加热炉内进行加热,避免坯料中Ti元素的加
有色金属材料与工程 2017年6期2017-11-30
- 石墨靶功率对BCN薄膜质量的研究
，通过选择合适的靶材（碳靶）和通入理想的气体（甲烷和氮气）进行实验，通过XRD衍射，台阶仪以及原子力显微镜对薄膜进行表征分析其薄膜的质量。【关键词】磁控溅射；BCN薄膜；靶材0 引言BCN薄膜是很多研究者长期研究的课题，因为其结构与金刚石结构很相似，所以研究者们认为它应该具备金刚石的特点，硬度极高，抗摩擦特性很好，而且具备优良的电学光学性能。众多科研人员首先建立模型，通过模拟其结构进行理论分析，发现其硬度可以接近金刚石的硬度，其摩擦磨损特性也极其优良，所以
科技视界 2017年21期2017-11-21
- 热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管
640)热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管宋二龙 兰林锋＊林振国 孙 圣 宋 威 李育智高沛雄 张 鹏 彭俊彪(华南理工大学，发光材料与器件国家重点实验室，广州 510640)本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80% ∶ 20% (质量分数比) 的ZnO和In2O3的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材，以制备的靶材通过磁控溅射制备IZO TFT。X射线衍射(XRD)图谱以及扫描电镜(SEM)图像表明I
物理化学学报 2017年10期2017-11-01
- 铜铟镓硒靶材金属化层制备方法
利名称：铜铟镓硒靶材金属化层制备方法专利申请号：2015102328142公布号：CN106180721A申请日：2015.05.08 公开日：2016.12.07申请人：北京有色金属研究总院本发明涉及一种铜铟镓硒靶材金属化层制备方法，在制备铜铟镓硒靶材的同时制备金属化层，属于有色金属加工领域.先将石墨垫板置于热压炉模具的下压头上，再将金属片放在石墨垫板上，放入铜铟镓硒粉料，再放入上压头，将模具放于热压炉中进行热压烧结，在升温的同时加压，进行保温保压，然后
有色金属材料与工程 2017年2期2017-05-31
- 加速ITO靶材国产化完善铟产业链发展
氧化物（ITO）靶材，用于制备透明导电膜，占全球铟消费量的70%；其他为电子半导体领域，占15%；合金和焊料领域，占10%；薄膜太阳能电池领域，占6%。而ITO靶材在高端显示透明导电膜的用量占ITO靶材总用量的80%以上，低端显示的ITO靶材用量占10%，如图2所示。ITO靶材制备几乎由日、韩垄断，一方面我国的铟生产企业争相出口铟到日韩，造成金属铟的买方市场。据安泰科的统计，2015年我国共出口89.89t，2016年上半年己累计出口99.025t，我国已
新材料产业 2017年12期2017-04-23
- 新型显示产业的ITO靶材市场探讨
des，ITO）靶材技术得到了快速的发展，在平面显示器产业半导体集成电路制造和信息存储产业的等领域中都有广泛应用，ITO靶材技术在各种新型电子元器件领域发挥了极为重要的作用。针对显示面板这个新兴产业，工业和信息化部、国家发展和改革委员会已于2014年提出了“新3年行动计划”，即支持国内显示面板行业在市场、技术和产业3方面的发展。显示面板已成为一个能牵动上游装备制造和光电材料技术突破，并且引导下游电子信息产品发展的庞大行业。本文在平板显示产业高速发展的背景下
新材料产业 2017年1期2017-04-23
- 球料比对钨掺杂磷酸锂靶材性能的影响
比对钨掺杂磷酸锂靶材性能的影响彭 伟，朱佐祥，皮陈炳，蔡雪贤，尚福亮，杨海涛（1.深圳大学 材料学院，广东 深圳 518060；2.深圳市特种功能材料重点实验室，广东 深圳 518060；3.深圳陶瓷制备先进技术工程实验室，广东 深圳 518060）采用常压烧结法制备W掺杂Li3PO4陶瓷靶材，通过改变WC磨球与Li3PO4粉末原料质量比大小，确定W掺杂Li3PO4陶瓷靶材的最佳制备工艺。通过XRD测定靶材物相结构，SEM观察靶材的断面形貌，万能实验机测量
中国钨业 2016年2期2016-12-01
- 聚焦离子束加工单晶金刚石的亚表层损伤研究
FIB加工金刚石靶材，其亚表层损伤截面半径不超过微米级零部件特征尺寸的2%，损伤深度不超过1%。FIB；亚表层损伤；金刚石；SRIM0 引言近年来，FIB加工技术被广泛应用于微纳米零部件制造、精密仪器关键元件加工、微刀具制造、材料检测样品制备和生物工程领域的研究［1⁃3］，它可以在纳米尺度实现离子刻蚀、离子注入和离子减薄等功能，也能够实现对微小元器件的精细修整和整体加工。与传统加工工艺相比，FIB具有加工尺度小、加工精度高、加工工艺简单、加工零件几何形状不
燕山大学学报 2015年5期2015-12-12
- 不同烧结温度下ITO靶材的金相组织分析
5006)ITO靶材是In2O3和SnO2按一定配比采用陶瓷工艺制成的氧化物陶瓷材料。经国内外研究结果发现，ITO溅射靶材的最佳质量配比为In2O3∶SnO2=9∶1，该配比制备的ITO溅射靶材具有比较低的电阻率以及高的透光率的特性，目前应用于太阳能电池、导电玻璃和等离子显示器等领域，特别在液晶显示器(LCD)领域，应用非常广泛。随着LCD画面尺寸趋向大型化，高精密化、低电阻特性、高透光率均成为ITO发展的重点。然而，ITO靶材这些重要特性的关键技术主要掌
湖南有色金属 2015年3期2015-03-22
- 常压烧结法制备ZnO陶瓷靶材
n靶或ZnO陶瓷靶材制备。但采用陶瓷靶材制备薄膜更容易控制薄化学计量比，且无需后续热处理，因此，ZnO陶瓷靶材逐渐成为研究的热门材料[3]。ZnO陶瓷靶材的传统成型技术主要有干压成型和等静压成型。干压成型径向和轴向压力分布不均匀，所得生坯常出现分层和裂纹等缺陷，导致坯体强度低和坯体密度不均匀。此外，干压成型对模具要求较高，不适用形状复杂坯体的成型。而等静压成型虽克服了干压成型只能径向加压的缺点，所得坯体的密度及均匀性都有所提高，但其成型过程中仍存在导致产品
中国有色金属学报 2015年6期2015-03-18
- 不同MgO掺杂比对MgxZn1-xO靶材性能的影响
gxZn1-xO靶材性能的影响高庆庆1，张忠健2，皮陈炳1，蔡雪贤1，尚福亮1，朱德亮1，杨海涛11)深圳大学材料学院，深圳市特种功能材料重点实验室，深圳陶瓷制备先进技术工程实验室，深圳 518060； 2)株洲硬质合金集团有限公司，硬质合金国家重点实验室，湖南株洲412000用传统常压固相烧结法，制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材，研究不同MgO含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致密度和导电性能的影响.通过X射线衍射仪(X-ra
深圳大学学报（理工版） 2015年1期2015-03-06
- 烧结工艺对ITO靶材致密度与电阻率的影响
烧结工艺对ITO靶材致密度与电阻率的影响张明杰，陈敬超，彭 平，于 杰(1. 昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室；云南省新材料制备与加工重点实验室，昆明 650093)以等离子电弧法制备的铟−锡氧化物(indium-tin oxide, ITO)纳米粉末为原料，采用冷等静压−烧结工艺制备ITO靶材, 用排水法和涡流导电仪分别对ITO靶材的致密度和电阻率进行测量，研究烧结温度、升温速率、烧结时间以及气氛压力对靶材致密度和电阻率的影响。结果表明
粉末冶金材料科学与工程 2015年4期2015-03-04
- 霍尼韦尔推出新型半导体铜锰溅射靶材
型半导体铜锰溅射靶材霍尼韦尔宣布推出新型铜锰溅射靶材，其采用的专利技术能为半导体生产商带来更高的靶材硬度、更长的使用寿命以及更卓越的性能表现。新型靶材采用霍尼韦尔等径角塑型(ECAE)专利技术，它是霍尼韦尔最初为铝和铝合金靶所研发的先进生产工艺。采用ECAE工艺生产的靶材拥有超细晶粒尺寸，确保高度均匀的材料结构，更高的材质硬度，更少的杂质颗粒。普通标准靶材的晶粒尺寸一般在50至80微米之间，而新型ECAE铜锰合金靶则属于亚微米尺寸。采用ECAE技术生产的超
电子设计工程 2014年7期2014-03-25
- 热处理温度对钼靶材微观组织和性能的影响
响［4-5］。而靶材作为磁控溅射系统中的阴极，为制备沉积薄膜提供物质来源，其组织结构和性能的差异对薄膜的组织结构和性能也应该具有密切联系。电子显示器行业对靶材的技术要求主要包括化学纯度、致密度、晶粒尺寸及尺寸分布、晶粒取向及取向分布等指标。近来的研究表明，靶材的晶粒尺寸越细小，溅射速率越高;靶材的晶粒尺寸分布越均匀，越容易获得厚度均匀的溅射薄膜［6-8］。由于钼是一种高熔点(2 620 ℃)金属，粉末冶金法是制备钼靶材的主要方法，其流程主要包括制粉、压制、
中国钼业 2014年5期2014-03-10
- AZO超高致密度化工艺研究
体到超高致密度的靶材的过程。靶材的性能包括致密度、晶粒大小及均匀性、气孔大小及分布、电阻率等,这些性能都与靶材的烧结致密化过程密切相关。本文探讨空气环境下，AZO靶材的超高致密化工艺。1 实验部分1.1 仪器和试剂主要仪器有：行星快速研磨机(XM-4型,湘潭湘仪仪器有限公司),电动振筛机(8411型，湘潭湘仪仪器有限公司)，箱式高温烧结炉(KSL-1800X型，合肥科晶材料技术有限公司)，单柱液压机(合肥合德锻压机床有限公司)。主要药品有：氧化铝(分析纯，
中国陶瓷工业 2013年2期2013-11-22
- ITO靶材的毒化机理研究现状
3000)ITO靶材的毒化机理研究现状姜 鹤1,2,王东新2,王燕昌1,孙本双2,钟景明2(1.宁夏大学物理电气信息学院,宁夏银川 750021;2.西北稀有金属材料研究院,宁夏石嘴山 753000)为了更好的了解ITO靶材的毒化机理,分别介绍了磁控溅射技术制备薄膜的基本原理,综述了ITO靶材在溅射过程中的毒化机理研究的现状,分析了影响ITO靶材毒化现象可能的原因,详细介绍了现阶段3种解决ITO靶材毒化现象的方法:不同工艺制备ITO靶材的影响、最佳Sn掺杂
湖南有色金属 2012年1期2012-09-23
- 钛铝合金溅射镀膜靶材的研究进展
钛铝合金溅射镀膜靶材的研究进展陈 希,黄 蓉,邬 晔(湖南稀土金属材料研究院,湖南长沙 410126)综述了钛铝合金靶材的制备技术及存在的问题。热等静压烧结法,成本较高,不适合广泛推广。热压烧结法工艺效率高,制备的靶材致密度好,成本较低,适合产业化生产。钛铝合金;溅射靶材;制备方法随着人们环保意识的增强,材料的表面镀膜技术由传统的电镀及化学镀技术逐渐过渡到真空溅射镀膜技术。真空磁控溅射镀膜技术已经在五金装饰镀层、表面保护镀层、电子产品镀层、电磁屏蔽镀膜以及
湖南有色金属 2012年1期2012-09-23
- 常压烧结制备氧化钨陶瓷靶材的致密化研究
消耗大量的WO3靶材，因此，WO3靶材有着广阔的市场需求，但是国内外却鲜有对WO3靶材制备的报道。国内实验室制备的WO3靶材，存在致密度不高、成分不纯、在较高氧失位的缺点，离工业应用还有明显的差距。目前国内应用的WO3靶材大多数为日本进口，成本很高。如上所述，开展WO3靶材制备技术的研究具有重要的意义。本文主要是研究利用低成本的常压烧结工艺，制备高纯度和高致密度的WO3靶材，为WO3薄膜的制备及应用奠定基础。1 实验称取适量的WO3粉体(郴州钻石钨制品有限
陶瓷学报 2012年1期2012-02-06
- 宁陕合作攻克钼靶材新技术
尺寸光伏用高纯钼靶材关键技术，开发的钼靶材样品化学成分、物理性能、微观组织等性能均达到国外同类产品水平，纯度大于99.95%，相对密度大于99%。高纯钼靶材的研制成功，使宁夏回族自治区高纯钼靶材科研水平处于国内领先地位，打破了国外技术和产品在国内市场的垄断，为我国钼材料提纯、冶炼加工到超高纯钼溅射靶材制造、平面显示器和薄膜太阳能产品制造的完整产业链奠定了基础。
中国钼业 2012年2期2012-01-27