ＶＬＳＩ设计中的高级模型阶简化技术

Sheldon X.-D. Tan University of

California, USA

Lei He University of California,USA

Advanced Model Order

Reduction Techniques

in VLSI Design

2007, 240pp.

Hardcover EUR

ISBN 978-0-521-86581-4

S.X-D谭等著

由于高级超大规模集成电路(VLSI)技术互连占优势的现象，互连模型简化在过去10年内已经成为电路分析的重要步骤，互连对系统性能起着显著的作用，因此我们不得不考虑在子线路模块之间的耦合效应。耦合的提取呈现许多寄生现象的小碎片。尽管寄生现象的数值是小的，但因碎片的数量是巨大的，这就使得其累积效应不可忽略，如果不加以处理，寄生现象的数量能够吞食内存容量、消耗众多的CPU时间。

模型简化把一个系统转化成许多较小尺寸的电路，它们近似于原本描述的行为。模型阶简化(MCR)技术在降低纳米级VLSI设计中的复杂性方面是很重要的，其结果是控制“寄生”的电磁效应，因而能够获得较高的运行速度及较小的特征尺寸。

本书是对应用于一般电路中重要的MOR方法的一个系统介绍及论述。它利用现实世界中的例子来说明每一种算法的优点与缺点。从对传统的基于投影的技术述评开始，本书证明了某些基础理论，涉及了用于VLSI设计的最新高级MCR方法的进展。其中包括了分层模型阶简化(HMOR)和截尾平衡实现(TBR)方法。通过矢量-电位等效电路(VPEC)模型的有效电感建模，一般模型最优化及被动实施方法，被动模型实现技术及结构保持MOR技术。

本书共有13章。1.绪论；2.基于投影的模型阶简化算法；3.MOR的截尾平衡实现方法；4.描述符形式中线性系统的被动平衡截断；5.被动层次模型阶的简化；6.线性动态电路的端点简化；7.用于电感建模的矢量-电位等效电路；……