半导体及IC设备不锈钢表面技术研究

方刚，王茂林，祝恒阳

(北京七星华创电子股份有限公司MFC研发中心，北京 100016)

半导体及IC产业一直在按照“摩尔定律”不断地向前发展，行业内的技术工艺同时也总是出现系列新的变化趋势[1]，例如：半导体产品从单一功能向系统集成方向发展以及半导体工艺向纳米尺度加工方向发展等，晶圆尺寸不断地扩大和芯片特征尺寸不断地缩小总是给半导体制造工艺提出新的挑战，而与工艺直接相关的制造设备自然是无法回避的，接受挑战的结果就是老的工艺设备快速淘汰，新的先进的快速跟进，行业的规律是每一次半导体制造工艺的更新升级，就意味着设备的换代，新一代的设备为了适用新的制造工艺的要求，必然带来设备制造工艺技术的革命和严格要求，这其中设备的关键零部件的表面处理技术就是重要的一点！设备的一代代变更升级，其关键零部件的表面处理技术也在一次次的变革，早期的那些粗放的、宽泛的不为人注意的表面处理技术经过一代代人的证明，其工艺方法的选择和过程的控制将对整个半导体的加工制造以及性能也起到了至关重要的作用。

1 关键不锈钢零部件常用的表面处理方法

半导体及IC工艺设备不锈钢零部件常用的表面处理方法有很多种，也在不断的发展和改进，其同整个工业基础水平和半导体及IC的发展密切相关。不断进步的工业基础和突飞猛进的半导体及IC产业，尤其是半导体及IC制造工艺的发展，催生了制造设备的不断演变，相应地其关键不锈钢零部件的表面处理方式方法也得到了变化和发展，尤其是涉及到气相(汽相)、液相接触的零部件，但总结起来其处理的机理基本上分为两种：其一就是机械物理的方式，其主要是通过各种形式的载体利用磨料来削高趋平的一种过程，能有效的降低表面粗糙度，改善表面形态结构；其二就是化学、电化学或热能的方式，其主要是通过化学、电化学反应或热能对材料表面进行处理的一种化学过程，使表面粗糙度降低和耐蚀性能增强，进而有效地改善表面结构、减少介层和降低应力能量等。

1.1 机械物理的方式

(1)原始的表面处理。其实就是不处理，这个时期人们主要关注的是设备，就是能够满足工艺需要，可以制造出产品的设备，而还没有认识到或者也没有必要去进行表面处理。所以这个时期的设备基本上就是材料的原始成形状态，一般为机械加工或者热轧形成，表面比较粗糙，形态结构也很是粗放，甚至早期使用的材料有些都不是不锈钢。

(2)冷拉或冷挤压不锈钢制品。这是基于冶金成型工艺技术的发展而出现的一种自然成型的表面处理，其主要是对于管型材来说的，其在一定程度上提高了表面光洁度。因为随着IC的发展，以及行业的一些特殊气体、液体的作用，一个光洁的表面是很有必要的，粗糙的表面总是很容易淤积和滞留工艺介质，而且粗糙的表面耐蚀性也会大打折扣，人们逐渐认识到一个光滑顺畅的表面，设备的运行保障系数就会大大的提高，于是光滑的表面便成为行业的重要选择。

(3)机械抛(磨)光[2][3]。为了降低粗糙度，行业人士进行广范的开发和研究，并发展了大量的表面处理工艺方法，例如砂纸打磨、机床磨加工、吹砂抛丸、滚光、刷光以及国外出现的磨粒流加工等硬(流)质抛光和用棉麻、毛、羽布等辅以合适的混合矿物膏剂来对受抛面进行抛光的软质抛光等等，在此不再详解，其极大程度的降低了粗糙度，同时也出现了较好的表面光亮度，给人很好的视觉效果，其基本原理就是靠物理机械的方式，来削去高点以使其趋于平坦和光滑，但表面存在一定量的塑性变形组织特征。

1.2 化学、电化学或热能的方式

(1)化学抛光[3]。化学抛光是金属在特定条件下的化学浸蚀，即金属表面在配比合理的腐蚀剂、氧化剂以及添加剂等组成的溶液中发生的一系列的化学反应。金属微观表面不均匀的钝化膜或在抛光溶液中形成的稠性黏膜，使得微观表面的溶解速度不均匀，微观凸出部分的溶解速度明显大于微观凹处的溶解速度，这就降低了表面的微观粗糙度，从而达到抛光的目的。

(2)化学钝化[2]。化学钝化其实是根据不锈钢自身的特点而进行的一种化学溶液加速氧化的过程，这种溶液一般都具有强氧化性，其几乎不改变表面的粗糙度，但可以有效地提高其在环境介质中的热力学稳定性，预防不锈钢的局部腐蚀，提高不锈钢表面的清洁度以及消除不锈钢表面的氧化物等。不锈钢的化学钝化目前已经广泛应用于半导体及IC设备行业。

(3)无氧光亮烧结。这是一种通过热能的方法来提高表面稳定性的方法，是在惰性气体氛围或者真空的条件下，通过对不锈钢零部件高温加热，以释放因加工而形成的内部应力，降低表面及近表面的能量水平，另外也可以使表面产生保护性氧化膜，耐蚀性增强。

(4)表面化学热处理。化学热处理是利用化学反应和物理冶金相结合的方法改变金属材料表面的化学成分和组织结构，从而使材料表面获得某种性能的工艺过程[4]。随着半导体产业的发展，很多新半导体工艺的导入以及一些新材料的使用，其对零部件材料的性能也有着特殊的要求，几乎所有的零部件都处于各种化学试剂或工艺气体中，其中两个重要的衡量标准为抗腐蚀和抗高温。这样这些特殊性能需要的零件基础材料就可以通过表面化学热处理例如表面渗碳、渗氮等方式来进行处理，当然这是针对一些特殊半导体及IC制造工艺的需要来说的。

(5)亚电抛光。这是一种比较具有操作性的工艺方法，尤其适用于半导体及IC设备零部件的那些深、盲以及交叉小孔和复杂的腔体内表面抛光处理，其主要的方法是先对机械加工后的零部件进行预处理，然后再进行电抛光，由于狭小的深、盲以及交叉小孔和复杂的腔体内表面电抛光具有发热不易散、易短路、表面电流密度易集中以及需要溶液介质均一稳定等工艺特点，所以实现起来难度相当的大，往往只有在各项工艺参数均合理合适的情况下才有可能得到较理想的抛光效果，西方一些发达国家通过研究并制定了可行的技术方案，并较好的满足了行业的要求，且符合SEMI标准。其核心技术牵涉很多专利，但一个突出的特点就是时间较常规的电解抛光要短，即一种轻度的电抛光技术，这也许是利用缩短处理时间来解决电抛光工艺本身的缺陷吧！

(6)电抛光(EP)。即电解抛光或电化学抛光，属于一种比较成熟的工艺技术，在我国多用于外表面处理，主要是装饰和美观。研究并发现电抛光后具有极佳性能的表面并将其大规模的用于半导体及IC行业是西方发达国家。通过表面的电抛光，可以有效的地去除表面氧化变质层以及机加撕扯而形成的细微毛刺[5]，得到极佳的表面，它的实际表面积要比任何处理方式都要小，它的能量应力水平最低，表面、近表面更稳定，它的表面更纯净，表面夹杂的异种金属、非金属杂质数量最少，最大程度地减少游离的铁，使表面所含铬、镍大量富聚而趋于更稳定！基于此种种卓越的性能指标，其正迎合了高端的半导体及IC行业关于洁净超高纯 (UHP)的介质敏感性、耐蚀性、中立稳定性等的要求。由于行业的特点，在半导体及IC设备行业里，所要处理的都是深、盲孔以及交叉小孔和复杂的腔体内表面，这在国内行业里一直认为是无法实现或很难实现的，尤其是许多狭窄腔体或孔径小到1mm的时候！因此该项技术在国际市场上被认为是最先进的，而在国内也被认为是最神秘的！

2 EP技术

2.1 国外高端设备先进的表面EP技术

EP抛光技术，国内行业多叫电解抛光或电化学抛光技术，其实电解抛光在国内已经是很成熟的技术，其都是用来处理和抛光零部件的外表面，工艺参数比较宽泛和操作也很容易，一般情况下抛光质量很好很稳定，更无神秘感也无先进性可言，然而由于半导体工艺的特殊性，其绝大多数工艺系统及设备所要求处理的却都是腔、孔或者管体(通孔、深盲孔以及交叉变径孔)的内表面，很多形体结构比较复杂，而且很多尺寸也都较小(甚至到1mm)，所以常规的外表面电解抛光工艺便无法实现或很难实现，目前在国内几乎无成功先例或者仅存在实验室条件下，达到SEMI标准并能够成熟的大批量用于生产的目前多见于国外，通过大量的资料显示，其同常规的电解抛光工艺在原理上是一致的，但却有很大的区别，现在此就国外8英寸以上半导体及IC工艺设备所采用的最为先进的表面处理技术，即EP技术进行一个系统的介绍。

EP技术其实是和传统的表面处理工艺一样，主要由前处理、EP、后处理等几道工艺组成，现分别介绍如下：

2.1.1 前处理

这其中又要从几个方面着手：首先是不锈钢材料，半导体工艺的严格要求对其制造系统及设备也同样要求严格，而生产设备的材料当然不能例外，合适的材料是设备满足半导体工艺的前提，也是EP技术实施的基础，现在国外首选的材料是316L(v/v)，这是目前半导体行业内公认的性能最好的材料，由于冶炼技术难度大，市场价格也不菲。它是用经过真空脱碳(VOD)的常规316L不锈钢，先用真空感应熔炼(VIM)，再用真空电弧再熔解(VAR)处理，即VIM+VAR(V2)，常标注为316L(v/v)。通过这样特殊的冶炼方式后，材料中的碳、硅、锰、、铜、硫、磷等有害元素以及氧和氢等充分的减到最低，这样的材料纯度极高而且金相组织稳定均一，这种优良的特性尤其适合EP工艺技术的处理。目前行业内此种材料多见于日本，欧洲也有出现；其次就是物理机械前处理，这里包括各种表面成型、机械加工、以及机械抛（磨）光光饰等，其主要解决的问题就是降低表面粗糙度，这里最需要注意的就是要选择合适合理的加工处理方法，以避免使零件产生较大的应力，它将是零件表面变形、产生微裂纹以及表面积扩大的源动力，必要时要考虑退火，时效等方式来进行处理；最后就是清洗，如何干净清洗将是EP工艺前的关键，清洗不净，则经过EP处理后的的表面会出现过腐蚀点，片状白点等瑕疵，其直接后果就是致使表面积增大，光洁度降低，表面密封程度下降。清洗工艺目前使用较多的就是液体清洗剂辅以超声波，清洗剂主要有碱性液体以及有机溶剂等，但很多碱性清洗剂碱性较强，对于316L(v/v)碱性物质对其是有一定程度的伤害的。国外目前已经广泛使用的一种清洗剂为Formula 815GD，其碱性适中，且富含表面活性剂、抑制剂、除蜡剂、防锈剂等多种成分，无对不锈钢有害的元素。另外在日本以及欧美也出现了一些新的清洗工艺方法，如碳氢化合物超声波清洗干燥系统，其清洗洁净、高效和环保，正在受到欢迎和推广。

2.1.2 EP工艺技术

该技术主要有4个方面要点，首先是溶液，这个便是国外工艺秘密的关键，熟知的溶液配比很多，但直接拿来用在腔、孔或者管体(通孔、深盲孔以及交叉变径孔)的内表面电解抛光，结果总是很糟糕，但通过研究和试验分析，溶液应该满足如下几个条件，方可实现较好的抛光：①黏度要相对较小，以保证良好的流动性；②溶液离子的电迁移性要适当，以保证在一定电场条件下表面合适的溶解速度；③溶液本身对不锈钢材料无害；其次是电极夹具，核心内容就是要如何通过电极的形状设计来调整要处理的零件孔道内表面的电流密度均匀一致，这样表面就会等速的溶解而得到良好的外观和品质，这也是难点和重点，需要大量的试验以及丰富的理论和实践经验，国外也许会有一些系统仿真工具来帮助设计！第三就是电参数，即极间电压和被EP零件表面电流的分布参数，这里一台合适的电源是必要的，尤其是用于腔、孔或者管体(通孔、深盲孔以及交叉变径孔)的内表面电解抛光的电源，国外较常用的是直流多脉冲电源，其典型的波形由保持一段时间的正向电压脉冲及随后的无电压空闲时段所组成[6]，也有用直流电源，而直流脉冲电源最大的优点在于其可以有效地控制小孔内表面的溶解和气体产生的过程，增强了空闲中去除废品的能力，大大改善了电解液的密度、导热性等，使表面更完美，这种用于工业化生产的大功率脉冲电源在国内尚不成熟，多为进口，价格比较昂贵。最后就是综合，上面三个方面都是独立的，其各自独立的作用是无法完成EP的，而如何通过溶液、电极夹具以及电参数的合理正交，将是整个EP技术的核心工作，所有的技术秘密尽在于此。一个合格的EP产品表面从外观上看就如同镜面一样光亮！由于这其中涉及的参数变量太多，不同形状结构的零件其相关的变量参数则不同，所以尤显复杂，欲了解和掌握恐怕是冰冻三尺非一日之寒，目前国外专家则多以专利或核心技术秘密来控制或炒作，并加以商业利用。随着半导体工艺的发展和产业的转移，需求的国家或地区也在就关于EP技术的引进和技术转让花费着重金，例如台湾就是一个EP技术引进的典型地区，并广泛的应用在半导体工艺设备系统中，目前已有很多产品零部件进入中国大陆市场。

2.1.3 后处理

后处理是EP技术的必要措施，主要就是钝化[7]，钝化其实是不锈钢常用的工艺技术。在EP后钝化是必要的，它可以充分地对EP的表面进行封闭强化，对夹具接触点、误碰擦点以及复杂型面EP的边角效应进行钝化，以去除、活化表面可能有的游离的离子或粒子，使表面更纯净更完美。其通常要分别经过以硝酸和柠檬酸为主的混合溶液来进行钝化，同时要合理的控制相关的配比、温度、pH值以及操作时间等工艺参数!

2.2 应用EP技术的重要意义

近年来，行业内半导体产品从单一功能向系统集成方向发展、半导体工艺向纳米级加工方向迈进，半导体制造工艺的每一个环节也都不断地接受着更高级别的挑战，例如人们发现整个制造系统中的污染颗粒物对产品的良品率影响是巨大的，任何微小的材料残留都可能酿成潜在的成品率损失[8]。在130nm时期，一颗30nm的缺陷会对芯片造成很大的伤害，而在65 nm或45 nm的时候，同样大小的缺陷就足以毁掉整个芯片[9]。导致这种缺陷的可能因素很多，而这里贯穿整个制造工艺始终的设备系统的影响是毋容置疑的，尤其是同许多工艺都直接接触的气相(汽相)或液相的设备系统！如果我们所用的处理方法都是靠物理机械的方法，其在加工过程中对零件表面挤压并镶嵌或残留粘附了许多杂质颗粒，同时还在表面因抛光挤压产生应力而聚集了许多能量，机械的抛磨让宏观光亮化，却无法避免微观的细小裂纹，貌似光洁的表面其实际的表面积还是很大！这些都将是杂质缺陷颗粒产生的根源。另外，通过观察和试验验证，当芯片的特征尺寸不断缩小后，制造过程中其对过程系统的异物颗粒就越敏感，而这些异物颗粒除来源于制造工艺原材料（高纯气体、液体等）本身以及洁净室环境外，另一个直接的源头就是设备，所有同工艺原材料接触到的设备零部件表面，由于其在半导体工艺介质环境下的不中立或者说没有足够的惰性而发生物理的或化学的变化，从而产生异物颗粒并进入工艺系统，一般认为如果产品（芯片）上粘附一个异物颗粒，则就是一个致命缺陷，而且当这个异物颗粒仅仅为其特征尺寸的1/10时，产品就会损坏和出现故障。可在半导体产业的强势发展过程中，不断缩小芯片的特征尺寸，已经不可扭转，近年来，从1μm已快速地发展到了32 nm，2009年，intel酷睿i系列全新推出，创纪录的采用了32 nm工艺，并且宣布下一代纳米工艺正在研发中，这样如果以90nm或者65 nm为例，那么异物颗粒的大小就仅有9 nm或者6.5 nm就可以让整个系统瘫痪，另外就是半导体工艺过程很多都是有毒或者自燃的，一旦因设备零部件表面腐蚀而穿孔泄漏，后果将不堪设想。

基于半导体工艺的发展高要求，所有同制造过程接触的要素均被提出新的高度，为此，国外的行业专家对设备的环境特征提出了界定：首先就是表面要求耐腐蚀。这是基于半导体的扩散氧化、外延、CVD、光刻、化学剥离、注入等工艺过程中所使用气体来说的，它们绝大多数都具有毒性、腐蚀性或者高温冲击性；其次就是要求设备环境具有中立性。顾名思义，中立意即其设备本身不会给半导体工艺带去倾向要素，其包括表面的中立以及距表面1.5 nm以上的近表层的中立；第三就是优良的清洁性能。这里主要的就是要求最可能小的表面积以及更低的粗糙度，一个光滑如镜面的表面总是不易寄存和窝留异物颗粒而且最便于洁净清洗。另外还通过理论上从表面形态、形态结构、介层数量以及能量水平等方面进行了分析和界定，即良好的表面应该达到表层中立、性质稳定、表面光滑、实际表面积最可能的小；表面奥氏体结构彻底化，无马氏体、铁素体相组织；表面及近表面无应力能量、表面无塑性变形、有着均匀致密的颗粒状晶体组织形貌而无合金本体以外的任何杂质介层。

由此可见，有效且可靠的表面处理对于先进的半导体设备来说是至关重要的，其直接关系到整个产品的品质以及制造系统的安全性。常规的表面处理直观感觉很好，可通过仪器设备对其表面进行观察和分析就会发现其缺陷很多，例如表面有大量的微裂纹，实际表面积仍很大，表层总或多或少地夹杂和镶嵌有处理的杂质微粒，形成一个外来介质层，同时因物理机械处理方法致使表面不同程度地产生压应力，从而聚集了一定的能量，另外表面还有许多被分离出来的铁素体等不稳定相组织，在8英寸以上的半导体及IC制造工艺过程中，有这样如此多的缺陷，其对产品的品质影响将是可想而知的。为此，表面处理的设计和研究升级便不断进行，应运而生的新的工艺方式方法也得到不断的尝试和试用，这其中的电抛光，即EP技术便以其处理后表面优良的综合性能脱颖而出，其处理后的表面各项分析和检测指标均完全解决了常规处理所存在的缺陷并较好地满足了关于半导体工艺的要求，从而迅速地成为了行业内必须要做的一道工艺。目前在国外已经大规模的应用在8英寸以上的半导体及IC工艺设备上，也是目前行业里最为先进的和8英寸以上高端设备必须处理的一种方法，通过EP处理后再辅以后处理如钝化、清洗和包装等严格步骤后，即便是目前行业里所定义的洁净超高纯(UHP)产品，同时国际半导体组织也对此进行了严格的SEMI标准界定。

3 高端半导体及IC行业所定义的超高纯（UHP）不锈钢零部件

按照SEMI标准的定义，真正用于半导体及IC行业的超高纯（UHP）不锈钢零部件，只完成EP还是不够的，优质的不锈钢材料经过EP工艺技术处理后，应该说是使其具备了耐蚀性、中立性，还有良好的清洗性能，完全具备了内在的纯净，对于外表面的纯净也务必严格要求，这就是最后的清洗，最后的清洗务必有效、到位和彻底，相关的清洗技术已经很成熟，也有很多专著[10]，这里主要强调的是超高纯（UHP）零件的清洗。超声波加清洗剂的工艺方式仍是该行业内的首选，这其中有很多技术方式是要使用或选用的，例如真空技术、过滤技术、超纯水技术、鼓泡搅拌、喷淋漂洗以及洁净室技术等等，以彻底清洁表面的异物离子或粒子，否则其将可能变成器件杀手[11]。同时还要对其表面的酸碱度进行最后的调整，即表调，最终使洁净超纯EP表面的酸碱度达到中性略偏酸性，最后便是干燥、真空包装等，包装材料还需要用氮气吹扫净化。

需要特别强调的是以上所有处理过程的工艺材料、辅料以及设备等均不可对零件材料产生化学作用，也不可对零件产生物理污染或潜在的次生污染，例如含F、Cl等卤元素以及硅氧成分的材辅料等等。当然这些操作也必须是在洁净室内进行才是符合要求的。

4 超高纯(UHP)产品零部件的表面技术指标要素

超高纯(UHP)零部件的EP表面是有严格的技术指标要求的，不符合表面技术指标要素的零件是不能使用的，根据SEMI标准的界定，超纯净(UHP)的EP表面需要进行以下几项技术检测要素[12，13]：

(1)表面成分、污染物[14]、深度剖析氧化层厚度[15][16]：主要是分析检测表面成分的原子百分含量，以控制表面的污染物，以及氧化层的厚度等，常见的表面污染物为：C、N、Si、P、S等，一般要求其原子百分比含量C＜30%，其余＜2%即可，氧化层厚度(oxide thickness)≥1.5 nm。表1，表 2、图1及图 2分别为表面化学成分以及氧化层厚度测试结果示例。

表1 样品表面成分(用原子百分比表示)

表2 AES深度剖析结果

图1 样品B2在深度剖析前的AES谱

图2 样品B2的深度剖析图

(2)表面形貌、点缺陷数[14]：主要是用电子扫描显微镜（SEM）按标准要求照相，并对可辨别的缺陷进行计数。具体要求为 Counts/Photo，Avg≤10，Max≤20。表3及照片1～5分别是SEM表面形貌测试的结果(缺陷数)和SEM照片的一个示例(一般随机测试5点)。

表3 SEM测试的表面形貌结果

照片1

照片2

(3)表面 Cr/Fe≥1.5：CrO/FeO≥2.0[15][16]，表 4，图3、图4为一个样件的测试结果示例。

照片3

照片4

照片5

表4 XPS测式结果

图3 样品B2的Cr2p3XPS拟合谱

图4 样品B2的Fe2p3 XPS拟合谱

(4)表面粗糙度[17]：具体要求为Ra(Avg)≤0.13μm(5 μin)，Ra(Max) ≤0.25μm(10 μin)Ry(Max)≤2.5μm(100 μin)。表 5 是轮廓仪测试的一个示例。

表5 轮廓仪测试结果(单位：微英寸)

5 国内现状与思考

近年来，我国半导体及IC制造业发展较快，可相关的设备却未能同步发展，半导体及IC工艺设备整体要落后于国外，甚至是落后很多，所以其就决定了表面处理技术的现状，客观的讲，我国以往半导体行业的工艺设备很多就是没有处理或者处理的工艺方法较粗放，基本上仍停留在一般的机械零部件的表面处理方法上，在行业内几乎还无人去专门的认识它、研究它，更无行业相关的表面处理标准可查，而国外却已很系统、很成熟、很规范（如 SEMI标准、ASTM标准等）。有这样规范系统的表面处理工艺技术和标准，必然催生更先进的半导体制造工艺技术的诞生（例如芯片的特征尺寸已经由微米级向纳米级挺进并直逼22nm，没有超洁净（HUP）技术，没有严格的表面处理，这样的发展几乎是不可能的），这些发展是匹配的、相辅相成的，也是必然的、势不可挡的！而我国目前的精力和任务重心应该说都还是在设备本身上，一些涉足高端半导体及IC设备的研发机构在核心洁净超纯(UHP)零部件上一般都采取回避态度或者依赖于国外。表面处理在国内可以说就是一张白纸，还无暇顾及，差距我想是可想而知的。

如何研制先进的半导体制造设备，我想它应该是一个系统工程，除了设备性能本身以外，还要有很多细节技术，如表面处理技术，虽然乍一看其无足轻重，但其往往却关系到甚至决定着整个制造系统的工艺可行性或者安全可靠性，结果的严重性不言而喻。所以一台性能优良的半导体工艺设备，其是指各个方面的综合性能，而并非就是主要性能！通过大量的资料显示，国外在研发设计的每一个环节，甚至几乎让人想不到的一个细微的方面其都进行了很多思考，并投入了专门的人力去研究和探索，且做到尽善尽美，很是让人折服！我想也许正是因为如此所以国外才在各个行业走在科技的最前沿的吧！

6 结束语

半导体及IC产业设备的表面处理技术，在国外的发展由来已久，其始终伴随着半导体工艺技术的发展，尤其是当一种更先进的制造工艺诞生后，便会催生新的表面处理技术的出现，以用来满足和达到升级后的制造工艺的要求。国产半导体及IC产业设备要想赶上世界先进制造国家和走向国际高端化市场，除了设备本身的研发外，研究并拥有合适配套的表面处理技术也是必须的。

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[14]SEMI F730309 Test method for auger electron microscopy(SEM)evaluation of wetted surface condition of stainless[S].

[15]SEMI F60-0306 Test method for ESCA evaluation of surface composition of wetted surfaces of passivated 316L stainless[S].

[16]SEMI F72-0309 Test method for auger electron spectroscopy(AES)evaluation of oxide payer of wetted surfaces of passivated components[S].

[17]SEMI F370299 Method for for etermination of surface roughness parameters for gas distribution stainless[S].