用电容和电导测量法研究SiNx/nc-Si/SiNx双势垒结构界面特性

王 祥

（韩山师范学院物理与电子工程系，广东潮州 521041）

用电容和电导测量法研究SiNx/nc-Si/SiNx双势垒结构界面特性

王 祥

（韩山师范学院物理与电子工程系，广东潮州 521041）

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,淀积a-SiNx/nc-Si/a-SiNx不对称双势垒存储结构.通过电容和电导测试研究结构的界面态特性.实验结果表明，采用PECVD方法制备的不对称存储结构的界面特性良好，其界面态密度为3×1010cm-2eV-1.

界面态；不对称双势垒结构；电容测量法；电导测量法

近年来，半导体纳米结构引起了人们极大的兴趣，特别是基于纳米硅量子点的双势垒结构和多层膜结构.因为硅基结构可以和现代微电子技术高度兼容，可以利用现有成熟的硅工艺制备出高质量的纳米器件结构，由于在纳米尺度下量子尺寸效应所产生的许多新奇的物理现象，使得这种结构成为许多纳米电子器件的基本结构，因而引起世界范围内的广泛关注[1-4].如何制备出高质量的nc-Si量子点和纳米结构是研究其电学性质和最终实现其器件应用的关键问题，而制备高质量的纳米电子器件结构的重点是控制结构的界面态密度.较高的界面态密度严重影响纳米电子器件的性能和正常运行.如界面态可以起产生、复合中心作用，还可以起到散射中心作用，使pn结反向漏电流增加、双极性晶体管小电流时电流增益下降，使MOS晶体管跨导降低、频率特性和阀电压不稳定.界面态可以俘获和释放电荷，严重恶化纳米存储器件以……