李 雪,李世军,樊娟娟
(吉林农业大学 信息技术学院,长春 130118)
ZnO纳米材料的制备方法及应用
李 雪,李世军,樊娟娟
(吉林农业大学 信息技术学院,长春 130118)
纳米ZnO作为一种宽禁带直接带隙半导体材料因其具有发光性、压电性、导电性、气敏性、光催化性等诸多的优异性能而被广泛应用。ZnO材料来源广泛、价格低廉、无毒无害、制备方法多样,这些优点使ZnO越来越受到人们关注。本文总结了ZnO纳米材料多种制备方法的实验概况及特点,科研人员可以根据具体需要选择合适的制备方法。并对纳米ZnO的主要应用进行了介绍。
ZnO纳米材料;制备方法;应用
ZnO是继GaN以后出现的一种第三代宽禁带半导体,它具有较高的激子束缚能、激子增益和熔点,较低的生长温度,所以ZnO比GaN更具优越性。1999年,在美国召开了首届ZnO专题国际研讨会,至此,世界上掀起了ZnO纳米材料研究的热潮。ZnO作为一种宽禁带直接带隙Ⅱ -VI族半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,发射波长相应于紫外区波长370 nm,因此,ZnO在短波发光器件中存在很大的应用潜力。一般情况下,ZnO具有六角纤锌矿结构,如图 1,其晶格常数 a=0.325nm,c=0.520nm[1]。
ZnO是一种新型的多功能半导体材料,具有诸多优异性能,如发光性、压电性、导电性、气敏性、光催化性等,主要应用在光催化、紫外光探测器、传感器、太阳能电池、激光器、发光二极管等方面[2-9],ZnO材料来源广泛、价格低廉、无毒无害、制备方法多样,这些优点使ZnO越来越受到人们关注。

图1 ZnO具有六角纤锌矿结构
制备ZnO纳米材料的方法大致分为物理方法和化学方法,化学方法中又分为气相法、固相法和液相法。……