磁场导致的EBSD花样畸变与解决方法

高　尚　杨海峰

(哈尔滨工业大学深圳研究生院材料科学与工程学院，深圳 518055)



磁场导致的EBSD花样畸变与解决方法

高尚杨海峰

(哈尔滨工业大学深圳研究生院材料科学与工程学院，深圳 518055)

场发射枪扫描电镜很多采用了半浸没式物镜，由于这种结构产生的外露磁场常使EBSD的菊池花样发生畸变，从而导致取向信息失真。本文介绍了3种可行的解决方法(低倍率模式、加大工作距离和磁场畸变校正)及3种方法的适用范围，该研究也解决了半浸没式物镜电镜做EBSD测试的限制。

电子背散射衍射磁场菊池花样放大率模式磁场畸变校正

1　引言

20世纪90年代以来，装配在扫描电镜上的电子背散射衍射(Electron Backscattered Diffraction，简称EBSD)技术在晶体微区的物相分辨与取向分析方面获得了较大的发展，并已在材料微观组织结构及微织构表征中得到广泛应用[1]。

在扫描电镜系统中，入射电子束将与大倾斜角度(一般为70°)的晶体样品表面相互作用(如图1，入射点为o)，产生的部分背散射电子将可能再次散射到晶体内。其中，总会存在一些背散射电子恰好满足晶体某个晶面的布拉格衍射角，从而衍射产生加强的电子束。因为三维空间满足布拉格角的电子衍射出现在各个方向，从而形成一个衍射圆锥，而衍射圆锤投影到EBSD探头的磷屏上将产生一条菊池带，而许多晶面产生的菊池带共同投影到衍射圆环上则产生菊池花样。另外，入射点o到磷屏的垂足点o′是菊池花样中心。

图1　菊池带的产生原理