李平
【摘 要】本文从能带和态密度的角度,分析和比较了金属、半导体、绝缘体和半金属的电子结构特征。相应讨论和分析,可为材料领域的初学者提供简单参考。
【关键词】金属;绝缘体;半导体;电子结构
中图分类号: O482.4 文献标识码: A 文章编号: 2095-2457(2018)14-0086-001
DOI:10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2018.14.038
Analysis and Comparison of the Band Structures of Different Solid Materials
LI Ping
(School of Mathematics and Physics,Anhui Jianzhu University,Hefei Anhui 230601,China)
【Abstract】The electronic properties of metals,semiconductors,insulators,semimetals and half metals are introduced from the angle of electronic states.The current discussions may be useful for some beginners in materials science.
【Key words】Metal;Semiconductor;Insulator;Electronic states
0 引言
固體材料有不同的分类方法。从能带或电子结构看,固体可分为金属、绝缘体、半导体和半金属等。本文将对这几种材料的电子结构特征进行介绍和比较。
1 分析和讨论
1.1 金属
从能带角度看,金属存在部分填充的能带,因而没有带隙。正是这些部分填充的能带提供了金属导电的物理机制。
一种材料是否是金属,可以从能带结构判断,也可以从态密度判断,两种判断方法本质上是一致的。从能带看,没有带隙即费米能级与一条或多条能带相交。这一特征表现在态密度上,即费米能级处的态密度不为零。图1(a)示意性地给出了金属的态密度,其中虚线表示费米能级位置。由图可见,费米能级处态密度是一不为零的有限值。从费米面看,金属具有一个或多个费米面。
(a)金属的态密度示意图,(b)石墨烯的Dirac cone能带示意图,(c)Half metal的态密度示意图。各图的虚线表示费米能级位置。
1.2 半导体和绝缘体
半导体和绝缘体在能带上无本质差别,两者都是有带隙的材料。
定性上,半导体的带隙较小,如Si和Ge就是典型的绝缘体,带隙分别为1.2 eV和0.7 eV;ZnO的带隙约为3.4 eV,是一种宽禁带半导体。绝缘体的带隙相对更大。例如,NaCl的带隙是9.0 eV。如此大的带隙使得NaCl等材料中的电子很难被激发,因此表现出绝缘性。……