2020年中国光伏技术发展报告
—— 晶体硅太阳电池研究进展（4）

中国可再生能源学会光伏专业委员会

(中国可再生能源学会，北京 100190)

目前TOPCon电池的一大任务就是如何简化制备工艺，以便最大限度地降低成本。图24给出了TOPCon电池的3种不同的工业化工艺流程，这3种工艺分别为LPCVD制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺、LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺，以及PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。

图24 TOPCon 电池的3种不同的工业化工艺流程Fig. 24 Three kinds of different industrialization process flow of TOPCon solar cell

1)LPCVD制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺。该工艺使用LPCVD制备背表面SiO2膜并制备多晶硅膜。先使用LPCVD制备SiO2膜，然后在600～700 ℃的温度制备本征非晶硅膜；随后对背表面进行单面扩散，由于扩散温度可以达到850℃，具有对非晶硅膜的晶化退火作用，因此可以不用单独退火；之后对正表面绕镀过去的多晶硅进行腐蚀；由于腐蚀过程也会对原正表面的p-n结产生腐蚀减薄作用，因此这一单面腐蚀过程要特别注意，腐蚀之后还要对背表面的磷硅玻璃进行移除。此外，磷扩散工艺也可能对背表面硅薄膜的晶化程度不够，可能还需要在扩散之前进行更高温度的晶化退火。在完成上述工艺后，需要进行常规的双面镀膜与双面丝印制备电极的工艺流程。

但值得注意的是，在n型衬底的TOPCon电池正表面需要制备Al2O3层和SiNx层。对于很薄但钝化效果却良好的膜层，采用ALD方式制备的Al2O3层更具有优势。

2)LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺。这种技术路线与上一种技术路线的区别在于其使用离子注入技术代替了扩磷工艺。……