一种结构简单的宽温度范围、高精度CMOS 基准源

杨见辉， 闫 江， 孙建民， 李 宽

（1 贵州大学 大数据与信息工程学院， 贵阳 550025； 2 北方工业大学 电子信息工程学院， 北京 100144）

0 引 言

随着现代集成电路的迅速发展，微电子设备进入了人类生活的方方面面。 电压基准源是集成电路中的一个重要单元模块，集成电路通常利用带隙电压基准源模块来为其他子模块提供精确的电压［1］。电压基准源好坏不仅影响电路系统的性能，甚至会损坏整个电路。 如今的集成电路越来越微型化，电压也越来越低，一个好的基准电压源的设计需求正日益凸显，目前，大部分传统带隙基准电压源只能产生1.25 V 左右的电压，难以满足现代微电子行业的低压要求。 因而，设计一个好的带隙基准电压源具有重要的现实意义［2］。 基准源是为了获得一个与电源电压、温度和工艺参数都无关的稳定的输出［3］。 目前国内外的学者主要研究基准源的温漂系数、线性调制率及高电源抑制比PSRR等性能。由于传统banba 结构基准精度差，电源抑制比较低，温度范围也比较窄，使得基准电路结构变得复杂化，虽然也可采用校准机制来改善精度问题，但却会导致成本上升。 针对上述结构的优缺点，本文提出了一种新型基准结构。

本文使用130 nmCMOS 工艺平台，设计了PTAT电流产生电路和电流镜核心结构，使整个电路结构变得非常简单，使用的CMOS 管也比较少，大大节约了芯片面积，同时达到低温漂要求，实现了超宽频带下高电源抑制比以及宽温度范围。 本文基准源电路简单实用，能够应用到大多数的微型电子设备上。……