谢悦,沈梓涵,章玫婷,李健华,伍婉莹,冯智源,陈沁阳,杨富国
(佛山科学技术学院,广东 佛山 528000)
随着各国电子工业的迅猛发展,电子产品数量大幅增长,产品不断更新换代,对基础元件铝电解电容器的性能要求也越来越高,使得铝电解电容器朝着小型化、片式化、中高压大容量、低成本和高频低阻抗的方向发展。中高压铝电解电容器用阳极箔的比电容是制约中高压大容量铝电解电容器体积的关键所在[1]。除了光箔本身质量外,对于铝电解电容器用阳极箔,腐蚀工艺是获得高比电容、高强度腐蚀箔的主要环节。
本文介绍了国内关于铝电解电容器阳极箔的研究进展和发展趋势,详细阐述了铝电解电容器阳极箔的制备方法,对铝箔的预处理、扩孔液中添加金属离子以及缓蚀剂如何提高阳极箔的比电容进行了综述。分析表明,影响阳极箔比电容的因素包括预处理工艺、添加金属离子的浓度以及缓蚀剂的特性。通过适当的预处理,在扩孔液中加入金属离子以及控制缓蚀剂的浓度,可令铝箔腐蚀后隧道孔较多、分布更加均匀,铝电解电容器用阳极腐蚀箔的比电容因此而变得更大。
铝电解电容器用阳极箔的腐蚀工艺流程为:铝光箔→预处理→一次腐蚀发孔→清洗→二次腐蚀发孔→清洗→三次腐蚀发孔→清洗→后处理→清洗→烘干→腐蚀箔。
近年来的研究表明,添加微量元素可与铝形成微电池,从而影响铝箔的扩面腐蚀。……