2020年钼业年评

蒋丽娟，李来平，刘晓辉，曹 亮，刘 燕

(1.西北有色金属研究院，陕西 西安 710016)(2.金堆城钼业股份有限公司，陕西 西安 710077)

0 引 言

钼主要用于合金钢、不锈钢、特种钢、高温合金等的添加剂。熔炼过程中，钼主要以钼铁，少量以金属钼、三氧化钼、二氧化钼等形式添加入钢中，以提高钢的强度、耐蚀性(抗应力腐蚀、点腐蚀、缝隙腐蚀等)、韧性、加工性、可焊性等，也有新的研究将钼酸钙用作钼的添加剂。每年我国粗钢产量持续增长，钼消费量也在增长。据世界钢铁协会统计，2019年中国的粗钢产量达9.96万t，但钼在钢铁中的平均使用量不到发达国家的一半。2019年，我国钼在碳钢中的用量每吨仅为55 g，在不锈钢中的用量为每吨1.1 kg；而西方主要国家每吨碳钢中的钼用量为133 g，在每吨不锈钢中的用量达到2.9 kg。以美国为例，其ASTM不锈钢标准牌号为中国的2倍以上，包含耐局部腐蚀并抑制钢中金属相析出的高铬、钼、氮的超级奥氏体不锈钢，耐氯化物点蚀及缝隙腐蚀的高钼含氮Cr-Ni双相不锈钢，以及高铬、钼高纯铁素体不锈钢的牌号等[1]。随着我国炼钢原料和冶炼装备的变化，含钼钢的品种逐渐增加。除典型的含钼2%～3%、3%～5%的316、317系列不锈钢，以及含钼3%的329双相不锈钢，含钼1%～2%的434、444铁素体不锈钢外，也开发了一些高钼的不锈钢型号用于特殊环境及领域。表1为太钢部分型号不锈钢及镍基合金的钼含量。

表1 太钢部分型号不锈钢及镍基合金的钼含量

2020年新冠疫情的爆发给全球经济带来严峻考验。根据国际钼协公布数据，相比2019年同期，前三季度我国钼产量下降，其中，一季度下降6%，二季度下降8%，三季度下降12%。前三季产量略低于南美。期间，伊春鹿鸣矿业因尾矿泄漏事件停产，国内供应减少3 000 t/月。疫情制约欧美消费，国际钼原料在较长时间以明显低于中国市场价格的优势涌向中国，进口供应增加5 000 t。疫情稳定后，钼铁消费量稳步回升，二季度招标月均超过9 000 t。10月，伊春鹿鸣矿业复产，钼精矿生产重回1.8万t以上。2020年，国内钼精矿、钼铁与国际氧化钼价格走势保持一致，国内外钼价联动明显增强。国内钼精矿、钼铁及国际氧化钼价格经历1、2月上涨达到年度最高(钼精矿价格约1 700元/吨度)，3、4月下跌，5月小幅抬升，随后回落，在7月跌至年中最低点(钼精矿价格约1 300元/吨度)，随后企稳回升，年底稳定至1 500元/吨度左右。

1 供给与消费

2019年全球钼的生产增加，消费减少。据国际钼协统计，2019年全球钼产量26.12万t，同比上年增加1%。全年钼消费量为25.86万t，同比上年减少2%。

2020年，第一季度，全球钼生产量比上年一季度增长1%，消费量减少13%。全球共生产钼6.3万t。其中中国钼产量2.4万t，占全球产量37%，仍是全球最大钼生产国，但比上年同期下降6%。南美钼产量1.9万t，降幅最多。北美生产钼1.6万t，比上年一季度增长18%，是仅有的产量增长区域。

一季度，全球消费钼5.6万t，比上年同期下降13%，比上一季度减少13%；其中，中国钼消费量1.8万t，同比减少18%，比上一季度下降31%。中国钼消费量占全球消费量的32.6%，仍是全球最大钼消费国家。欧洲是本季度唯一的钼消费增长区域，共计消费钼1.411 9 t。美国的钼消费已连续下降了3个季度，降至0.57万t。日本钼消费量为0.58万t，比上年同期下降了7%。

二季度，全球共生产钼6.7万t，与上年同期相比下降3%；其中，我国产量为2.1万t，比上年同期减少8%。南美生产钼小幅超过中国，为2.2万t，比上年同期增长了12%。北美生产钼1.7万t，比上年同期下降3%。

二季度，全球共消费钼5.8万t，与上年同期相比下降14%。中国是仅有的钼消费增长国，比一季度增长46%，共消费钼2.7万t。其他国家的钼消费出现大幅下滑，其中，欧洲国家共消费了1.2万t钼，比上年同期下降28%；美国消费量为0.4万t，同比下降34%。

三季度，全球共生产钼6.8万t，其中南美产钼2.4万t，中国生产钼2.1万t。全球钼消费增长，共消费钼6.3万t。

另据中国有色金属工业协会统计，2019年，我国钼精矿产量23.2万t，与2018年的22.6万t相比，增加2.78%。而据钨钼云商统计，2020年我国钼精矿产量21.23万t，同比减少6.64%；钼铁消费量14.3万t，同比增长14.2%；钼酸铵产量4.1万t，同比增长4.6%；钼粉产量1.5万t，同比增长11.3%。

近年来钼供需基本平衡。近年来世界钼供给与消费状况见表2。

表2 近年世界钼供给与消费状况 万t

2 价 格

2020年初，国际氧化钼小幅上涨至11美元/磅钼，随后在2月下旬快速下跌，至3月跌至9美元/磅钼，然后反复波动，在6～7月间几次跌至7美元/磅钼以下，8月逐渐回升至8美元/磅钼以上。10月，国际氧化钼价格快速上涨，在9美元/磅钼附近多次盘整，年底价格升至9.5美元/磅钼。

国内钼精矿、钼铁与国际氧化钼价格联动，走势保持一致。40%～ 45%钼精矿价格年初小幅上涨至1 565～1 585元/吨度，钼铁10.8～11.1万元/t。3月钼精矿降至1 485～1 505元/吨度，钼铁10.2～10.5万元/t。5月钼精矿上涨至1 510～1 530元/吨度，钼铁10.4～10.7万元/t。随后下降，至7月达年中最低的1 230～1 250元/吨度，钼铁8.5～8.9万元/t。8月上旬，国际钼价波动剧烈，氧化钼在7.0～8.2美元/磅钼反复振动。国内钼交易频繁，钼精矿价格1 340元/吨度，钼铁8.7万元/t。9月钼价企稳，钼精矿1 360～1 380元/吨度，钼铁9.3～9.6万元/t。

10月，国际钼价上涨，国内40%～ 45%钼精矿价格上涨至1 370～1 410元/吨度。年底，钼精矿成交价格基本在1 475元/吨度，高品位钼精矿涨至1 500元/吨度。钼铁10.0～10.3万元/t。

钼粉最低价格19.9～20.4万元/t，最高23.2～23.8万元/t。

钼化工产品波动较小，一级四钼酸铵年初价格在11万元/t以上，年底价格10万元/t以上。

3 技术创新

3.1 矿冶技术

钼的冶炼过程中，部分钼用碳酸钙固化，形成钼酸钙。赵中伟等[2]从钼酸钙制备三氧化钼。他们以硝酸浸钼，再用P204、P507、Cyanex272等萃取剂萃取钼，然后以双氧水等洗脱，再加热洗脱液使双氧键断裂获得钼酸沉淀，最后煅烧钼酸获得三氧化钼。具体工艺如下：对含钼13.2%的钼酸钙以硝酸溶解浸出99.2%的钼。然后，以10%P507+90%的磺化煤油萃取钼液，采用5级逆流萃取，相比O/A=2∶1，再用10%的H2O2溶液5级逆流洗脱，相比O/A=5∶1。洗脱后，钼液的钼浓度为103.6 g/L。再于90 ℃加热洗脱液，使双氧键断裂，获得钼酸沉积物，而钼的沉积率为93.2%。最后煅烧钼酸获得三氧化钼。沉积钼液中的少量钼用氧化钙回收。该方法可解决钼酸钙处理的氨氮废水排放问题。

炼钢对钼铁的要求是钼含量较高，磷、硫含量低。JANG SEONG JUN[3]用金属钼废料生产钼铁。他们回收三氧化钼，并添加铁屑、氧化铁及铁硅炼制钼铁，钼回收率高。

Ren Jie等[4]研究制备大比表面积的多孔三氧化钼，通过预插层和脱碳燃烧，强化反应剂的吸收、扩散，增加了MoO3的孔隙度。

DongJiansheng 等[5]研究不同厚度二硫化钼在静水压下键松弛及热力学的结构特性，并建立了压力-尺寸相图。研究多种层状二硫化钼在外部激发下的结构变化及结构稳定性对其应用至关重要。研究发现，MoS2的结构变化和金属化明显受静水压力和层数的影响。

何如意等[6]采用Na2CO3焙烧-水浸法回收废钼催化剂，优化后的工艺条件为:焙烧温度700 ℃、Na2CO3质量2 g、焙烧时间80 min，此条件下钼的回收率可达到90.79%。

3.2 化学工程

催化剂是钼的一个主要应用领域，以下研究立足于纳米MoS2、碳化钼以及含钼的多金属催化剂的制备，也涉及纳米MoO2粉、MoO3粉的研究。

光催化技术在环境净化及新能源开发方面具有巨大的研究潜力，特别在有机污染物降解脱除和水分解制氢领域展示出广泛的应用前景。二氧化钛(TiO2)具有出色的光催化活性和稳定性、低成本和无毒性等性质,是最有前景的光催化剂之一[7]。但是TiO2带隙较小，一般仅用于紫外区域。刘翀等[8]制备的FLV-MoS2(少层垂直对齐的MoS2)为具有裸露层边缘的单层或多层纳米MoS2，用于光催化水处理。通过减小域尺寸，MoS2带隙从1.3 eV(块体)增加到1.55 eV，可以吸收全波段的太阳光，催化效率极高。FLV-MoS2的制备方法如下：在管式炉中，用10 μm厚的Mo膜作溅射前驱体，对玻璃碳基体溅射Mo薄膜，然后在13.3 Pa的Ar环境硫化10 min，硫化温度为500 ℃。FLV-MoS2是由光激发产生活性氧物质ROS(ROS是羟基自由基、单态氧或超氧化物等强氧化剂)来灭活细菌，在20 min内可灭活>99.999%的细菌，比TiO2的消毒效果更好。

李月等[9]以盐酸多巴胺、磷钼酸为原料，通过离子交换和聚合作用制得一种有机杂多酸钼，再于氮气下高温碳化制得多孔碳球封装的纳米碳化钼催化剂。结果显示：该催化剂具有规整的花状球体形貌以及较高的比表面积(102 m2/g)，纳米碳化钼颗粒(粒径3～4 nm)均匀分布在多孔碳球骨架内。在无溶剂的氧气氧化条件下，将该催化剂应用于苄胺的氧化偶联反应合成亚胺，可以获得较高的转化率，且催化剂可以多次重复使用并保持较高的催化活性。

超电容尤其是赝电容作为储能元件，具有高能量密度、快速充放电及长寿命。Lee Dongjun等[10]于常温常压下研制六方晶形的三氧化钼，可将之用于赝电容的阳极材料。与只能储存1.5个锂离子的α-MoO3不同，六方晶形的三氧化钼可以储存1.6个锂离子。这种六方晶形三氧化钼纳米棒的制备主要采用了水溶性纤维素如CMC(羧甲基纤维素钠)作为结构调整剂，将钼酸铵等钼源与盐酸低温反应而制得。

Gao Xiaoliang等[11]研制用于ODH(氧化脱氢)的 MoVNbTe氧化物催化剂。他们以七钼酸铵、锝酸混合溶解于氨水，然后加入硫酸调整pH，再与硫酸矾溶液混合；最后将水合五氧化二铌滴加于上述混合溶液，形成浆料，再于压力釜中以160 ℃反应，制得该催化剂。

Ying Ma等制备用于CO2转化CO的Mo2C催化剂。Mo2C催化剂的晶粒若大，就会导致CO2转化CO的催化活性降低，并产生副产品CH4。Ying Ma等[12]通过碳热法制备了亚纳米簇的Mo2C。该Mo2C均匀分散，平均尺寸为0.5 nm，对于CO2转化CO的反应具有较高的选择性，其中，部分无序的Mo2C对RWGS(逆向水气反应)在400 ℃的转化率高达184.4 μmol/(g·s)，对CO的选择性大于99.5%。

Gumerov Irek Florovich等[13]研究一种用于固体燃料电池的二氧化钼粉。他们采用电解的方法，以仲钼酸铵混合氯化铵作电解液，获得二氧化钼粉，粉末的比表面积可达10～25 m2/g。

Takahashi Hideyuki[14]以直接氯化的方法合成含水率低的氯氧化钼。氯氧化钼主要用于钼薄膜制备的前驱物。由于钼氯氧化物的吸湿性非常高，会形成水合物而潮解生成盐酸，因而需要降低其含水率。该法通过合成前先对氧化钼脱水，降低了氯氧化钼的含水率。具体做法是：于氩气环境加热至500～750 ℃脱水，再以氮气做载流气体通入氯气，加热反应生成MoO2Cl2。该法制得MoO2Cl2的含水率为0.1%(质量分数)，甚至低至0.01%(质量分数)。

中性条件下电催化裂解水析氢HER(Hydrogen Electrocatalytic Reaction)是化工领域的重要反应之一，提高HER效率的关键是研制高效的催化剂。刘晶等[15]利用3d金属(Fe，Co，Ni，Cu)对Mo2C掺杂来调节其费米能级，从而可使催化剂在中性条件下吸附水并提高其最终的催化活性。首先，利用简单浸渍法将4种金属的前驱体吸附到MoO3表面，然后煅烧，一步合成金属掺杂的Mo2C。制得Mo2C的XRD峰位移以及XPS表征结果表明，4种金属通过掺杂进入到了Mo2C晶格。利用HRTEM以及相应的元素面扫分析，也证明了金属掺杂进入了Mo2C晶相。作者考察了Mo2C基催化剂在中性条件下电解水产氢的性能，结果表明：在10 mA/cm2条件下，Cu-Mo2C催化剂表现出最优的HER性能，其次，是Ni-Mo2C、Co-Mo2C、Fe-Mo2C和纯Mo2C；上述催化剂的过电位分别为78、90、95、100、173 mV，Tafel斜率分别是40、43、42、56、102 mV/dec。

张素娟等[16]构建MoS2/Zn3In2S6复合光催化剂，用于可见光驱动甲酸制氢。他们选用价格低廉的反应前驱体，采用简单的一锅法将MoS2紧密地结合到Zn3In2S6(ZIS6)的表面，制备了一系列含有不同质量分数MoS2的MoS2/ZIS6复合光催化剂，有效降低了制备成本和有毒气体(H2S)的释放。结果表明，可见光照射下(λ>400 nm)，MoS2的引入可大大提高ZIS6光生电荷分离效率及制氢活性，尤其以0.5%MoS2/ZIS6性能最优，光催化制氢速率高达74.25 μmol/h(量子效率约2.9%)，约为ZIS6的4.3倍(17.47 μmol/h)。XRD检测结果表明，MoS2/ZIS6样品中含有无定型MoS2，紧密固定在晶型ZIS6片状结构表面，不影响ZIS6晶型。SEM检测也证实了此结果。随后的TEM、HRTEM及EDX结果也进一步确认了各组成元素的存在和分布。采用XPS对元素化学环境进行了分析，通过S和Mo元素的成键能变化证实了MoS2和ZIS6间的紧密接触。UV-Vis DRS测试表明，MoS2/ZIS6可以利用可见光在适当带隙进行光催化制氢。

Xin Kang等[17]通过采用几种表面弯曲载体调节钼镍硫化物纳米片的堆积层和长度，提高其在加氢脱硫反应中的催化性能。他们在平均粒径100 nm的ZSM-5沸石上负载镍钼硫化物，制得镍钼硫化物纳米片层数为1～2层，长度为3.71 nm。将其用于二苯并噻吩的产率为14.05×10-7mol/(g·s)，脱硫选择性>95%。

电催化水裂解制氢是氢能规模应用的基础，其中的关键在于研发低成本的高效电催化剂。钼的碳化物MoCx由于电导率高，同贵金属Pt具有相似的d带，具备可控的形貌和电子结构，而可以作为Pt的替代催化剂，可能大大降低催化剂成本。Jing-Qi Chi等[18]通过控制MoCx的形貌、电子结构和电极接口，在较宽的pH范围获得高效的释氢反应效果。简言之，首先控制形貌影响催化剂活性，然后，通过杂原子掺杂和设计不同的接口提高释氢反应动力，控制其活性位点的电子结构，再与碳材料混合改变电极接口，使电子得到快速传递通道，最终获得催化剂的高活性。

Xin Yu等[19]研究在Si/SiO2载体上制备MoS2膜，用于室温检测二氧化氮。他们采用硫化钼原子层的方法制备MoS2膜，制备的最佳工艺参数为：加热速率25 ℃/min，反应温度750 ℃，持续时间30 min，载流气体流速100 sccm。制备的二硫化钼膜用于气体检测时，对还原性气体氨及氧化性气体二氧化氮都具有良好的响应，其中，对100×10-6NO2的灵敏度为31.3%，响应/恢复时间为4s/5s，检出限低至1×10-6。

3.3 材料工程

钼具高熔点、高导热和低热胀系数，适于多种高性能应用，例如玻璃融化电极、高温炉炉膛元件、加热舟、X-射线阳极等。钼一般以熔炼和粉末冶金法成型，其中粉末冶金制备的材料晶粒更细小、更均匀，但是材料的未变形态和再结晶态的强度低，也不易焊接；钼在常温下非常脆。这些缺点限制了钼的应用。Huber Karl等[20]通过对钼元件引入低含量的B、C、O及W，提高粉末冶金制备钼的强度及焊接性能。他们研究了含不同质量分数B、C、O、W的钼材的性能，其成分列于表3。

表3 不同成分的钼材 10-6

不同成分钼材的断裂延伸率和抗拉强度见图1。从图1可以看到，添加了C、B、W后，钼材的断裂延伸率和抗拉强度都不同程度得到提高。

图1 不同成分钼材的抗拉强度和断裂延伸率

刘东新等[21]通过固-液喷雾掺杂技术和粉末冶金方法制备MoCe合金，研究不同含量稀土氧化物CeO2对钼合金性能的影响。结果表明：MoCe合金烧结密度随着CeO2掺杂量的增加而增加，且合金的密度均在9.80 g/cm3以上。CeO2掺杂量低于0.3%时，烧结棒的晶粒尺寸随着CeO2掺杂量的增加而减小；CeO2掺杂量高于0.3%时，晶粒尺寸未发生明显变化。φ1.8 mmMoCe合金丝的室温强度和延伸率较纯钼丝有显著提高，CeO2掺杂量在0.3%时达到最大值，且室温拉伸断口呈现出典型的韧窝断口形貌。

钼溅射靶材主要用于平面显示器、薄膜太阳能电池的电极和配线材料以及半导体的阻挡层材料。钼薄膜多以溅射和CVD、PVD等方法沉积。安耿等[22]将两种不同微观组织的钼靶材在同样的溅射工艺下进行薄膜溅射,通过溅射后钼靶材和钼溅射薄膜的表面形貌，观察钼薄膜厚度、方阻及结晶取向,探讨靶材微观组织对薄膜性能的影响。结果表明,靶材的微观组织对钼薄膜的性能有着较大的影响,晶粒组织细小均匀的钼靶材有助于钼薄膜沉积速率的提高,同时有利于组织均匀、表面平整以及厚度和方阻分布均匀的钼薄膜的形成；两种钼靶材溅射形成的钼薄膜均呈现明显的(110)晶面的择优取向。

王跃明等[23]采用低压等离子喷涂成形技术制备了片状及回转体钼靶材,研究了钼靶材孔隙率、氧含量、微观结构、显微硬度及拉伸强度等性能。研究结果表明：低压等离子喷涂成形钼靶材为典型的定向凝固柱状晶层片结构,层片界面结合紧密,孔隙率约1.1%、氧质量分数0.18%,显微硬度HV0.025361.8 MPa,抗拉强度达到373.2 MPa,各项指标均明显优于大气等离子喷涂成形的钼制品。低压等离子喷涂成形片状钼靶材可磁控溅射沉积出平整、致密、连续的钼薄膜,镀膜厚度约700 nm。X射线衍射谱线表明钼薄膜为体心立方结构,沿(110)晶面择优生长。磁控溅射离子的均匀轰击导致钼靶材表面快速溅射及均匀减薄,溅射凹坑均为纳米级,溅射表面及截面较平整光滑。

Danek Michal等[24]研制一种用于逻辑记忆元件的低电阻钼薄膜。薄膜是在Si基体上依次形成二电层、扩散抑制层和钼层的多层堆积结构，其中，二电层为SiO2、SiN或Al2O3，扩散抑制层为TiN、WN或WCN等含钨层(这层可选)，钼层为导电层。作者比较了CVD和PNL(pulsed nucleation layer脉冲形核层)两种方法沉积钼薄膜，其中PNL法需要先引入共反应剂脉冲气、反应腔清洁气(可选)，再移入钼前体，可以重复多次上述循环以获得需要厚度的钼薄膜。该法制备的钼薄膜厚度为10～100 Å。通过试验比较，PNL沉积薄膜的基体温度应不低于550 ℃，钼前体脉冲流温度高于300 ℃，而B2H2、SiH4等还原气体的温度应低于300 ℃。制得钼形核层厚度5～30 Å。CVD沉积膜的温度为500～520 ℃，反应腔压力为7 999.32 Pa。具体做法：基体上通入H2脉冲形成二电层，氩气清洗反应腔，再引入钼前体及B2H2、SiH4脉冲流反应，再氩气清洗。重复以上步骤，获得增厚的钼薄膜。制得钼薄膜的电阻率测试结果如下：厚度10 nm的钼薄膜电阻率为25 μΩ·cm，再于800 ℃热处理后薄膜电阻率为17 μΩ·cm。

Blakeney Kyle Jordan[25]研制钼薄膜。他用ALD(原子层沉积)、CVD(化学气相沉积)或PEALD(等离子强化原子层沉积)、PECVD(等离子强化化学气相沉积)的方法沉积钼薄膜，制备钼薄膜选用的前驱体为Mo(X)m(L)n，式中，X为卤素，L为有机配位体，可以为含N、O、S的胺类，m=1～4，n=1～3。该法可制得MoNx、MoCx、MoBx、MoSix、MoCxNy、MoBxNy薄膜，且薄膜的C、N含量相对较低。方法不同，制备的膜略有区别。其中，以ALD和PEALD方法沉积的膜为薄的共角膜，而CVD和PECVD方法沉积的膜为非共角膜。

Wright Robert Jr[26]也研制了一种钼薄膜。该薄膜采用ALD和CVD方法，前驱物采用乙基苯钼(EtBz)2Mo，由还原性气体(H2)、氧化性气体(O2)脉冲流沉积至基板。该方法制备钼薄膜所需的沉积温度相对较低，不高于400 ℃(例如300 ℃)，但性能较好，因而可将其用于热敏性基板，例如含逻辑功能的微处理器等。表4为在200 ℃，3 999.66 Pa，10 μmol/min，400 sccm H2，3.5 sccm O2条件下，以(EtBz)2Mo+H2(薄膜厚度<50 Å)/(EtBz)2Mo+O2:H2<50%沉积膜，O2对薄膜C含量的影响。

表4 O2对薄膜C含量的影响

可以看出，在不同的基板上沉积钼薄膜，引入氧气脉冲流后，薄膜的C含量大大降低。碳为钼薄膜的有害成分，可以与金属一起沉积于薄膜中，将影响微电子装置中薄膜的性能。而氧化气的引入减少了沉积于金属中的碳，降低了薄膜的电阻率。

4 结 语

受新冠病毒疫情的影响，国内钼市在2020年初整体偏弱。随着我国抗疫成果显现，经济在全球率先得到恢复，钼生产和消费逐渐恢复正常。

钼作为重要的战略金属资源，具有高熔点、高强度、高硬度及良好的导热、导电性能，在许多领域有广泛的应用。每年，约有80%的钼用于合金钢、不锈钢、特种钢、高温合金等的合金添加剂。熔炼过程中，钼主要以钼铁，少量以金属钼、三氧化钼、二氧化钼等形式添加入，随着对新型含钼钢的需求不断增长，钼在钢中的用量呈长期增长趋势。目前，工业应用中，钼多以钼铁、钼条、工业氧化钼压块的形式添加于炼钢[28]。为了降低钼铁合金生产过程的资源浪费，减少环境污染，实现绿色发展，需要开发新的钼添加工艺，并进一步开发新型高性能合金钢。

钼靶材经常用作溅射靶。由于钼靶材的晶粒组织不均匀，会导致溅射后的沉积膜不均匀，最终使平面显示器工作状态不佳。大尺寸的钼溅射靶材需要由多层板进行再加工，会导致晶相组织发生变化。如何制造晶粒细、组织均匀的大尺寸钼靶材具有技术难度。而钼靶材中加入钨、钒、钽、铌等合金元素，可使溅射薄膜的比阻抗、应力、耐腐蚀等性能达到均衡。钼靶材的大尺寸、超纯化、超细化、合金化仍需深入研究。