电子器件自毁技术

周立彦，朱思雄，王剑峰

（中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072）

1 引言

现代社会是信息化的社会，电子元器件作为信息化构建基础，广泛应用于国防军工、通信、医疗、教育等各个领域，从卫星宇航到可穿戴设备无所不至。在追求电子元器件功能化、小型化、多样化的同时，可处理化的需求同样迫切，体现为两个层面的原因：一方面，防范核心电子器件被反向研究后，器件存储信息以及器件本身制造工艺的秘密泄露，美国国防部高级研究计划局（DARPA）于2013年启动了消失可编程资源项目（VAPR）[1]，致力于电子器件的粉碎/降解研究，目的在于防止因逆向工程和仿制而导致的先进技术泄露和军事优势损失；另一方面，电子元器件多含稳定的半导体或重金属材料，在电子器件损坏、被遗弃的同时会造成垃圾堆积和有毒物质排放的问题，从环境保护和可持续发展角度对可降解、低毒性、工艺兼容性电子材料的发展和应用也提出了需求[2-3]。

对于存储信息的保护措施，现有大量系统采用消磁、覆写、清洗、程序擦除等软件方法删除存储内容，例如飞利浦公司的磁阻RAM，采用包裹式的磁箔保护芯片，当磁箔被打开破坏时磁体便会擦除芯片数据[4]；某些硬件保护手段会加入升压电路，通过对关键MOS管栅氧层的不可逆击穿实现存储信息的锁定[5-7]。这些方法在一定程度上可以保护器件的存储信息，但软件方法并不能对器件的物理构造形成不可逆的改变，软件类型的保护可以被破解，硬件的工艺、构造信息仍可以被反向读取。……