封装用环氧银胶的配制工艺及性能研究*

鄂依阳，田兆波，迟克禹，江仁要，孙琪，吕尤，祝渊,,5

（1.南方科技大学创新创业学院，广东 深圳 518055；2.南方科技大学深港微电子学院，广东 深圳 518055；3.深圳市宝硼新材料科技有限公司，广东 深圳 518055；4.佛山（华南） 新材料研究院，广东 佛山 528000；5.南方科技大学未来通信集成电路教育部工程研究中心，广东 深圳 518055)

1 引言

IC 是具有电路功能的微型结构，是现代半导体工业的核心组成部分。其中，电子封装是IC 制造的重要一环，为构成电路的电子元件提供电气连接、散热、机械强度和物理防护[1-4]。因此，IC 的整体性能不仅取决于电子元器件的性能和电路布局的合理性，而且在很大程度上受封装技术的影响。随着对高集成度器件需求的不断增加，IC 的尺寸及其封装结构逐渐往小型化、精密化的方向发展，这对电子封装互连材料提出了更高的要求[3-5]。

传统封装互连所使用的低熔点、低成本的SnPb焊料污染环境，已逐渐被无铅焊料取代。但是无铅焊料成本高、熔点高的特性对电路板和芯片的耐热性提出了更高的要求[6]。因此，研究代替传统焊接材料的新型互连材料，逐渐成为微电子互连领域的重点研究方向。目前，最有可能代替传统焊料的新型材料就是导电胶，即有机聚合物基体与导电填料的复合物。其中，环氧银胶是最具开发潜力的一种导电胶，具有成本低和热固化温度低等特点，已在硅芯片以及第三代半导体的互连上有了广泛应用[7-9]。目前，国内研究学者在导电银胶方面做了一定的研究，彭戴等[10]使用液相还原法制备球形银粉，并将通过机械球磨法得到的片状银粉用来与环氧体系复合，制成IC 封装用银胶。……