一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法

专利申请号：2022113995563

公布号：CN115740452A

申请日：2022.11.09公开日：2023.03.07

申请人：有研亿金新材料（山东）有限公司；有研亿金新材料有限公司

本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于SN的W粉为原料，先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为800/～900/的预成型钨靶坯。然后通过多道次小变形热轧的方式在预成型钨靶坯表面0.5～2.0 mm厚度的范圍内形成相对密度为95%～99%的致密化表层，心部密度及组织状态仍保持不变。最后将多道次小变形轧制后的钨靶坯进行无包套热等静压烧结致密化处理，处理后将表层0.5～2.0 mm厚度的轧制态组织去除，获得致密度≥99.5%，平均晶粒尺寸≤10 μm，氧含量≤10×10 -6的高纯W靶坯。