键合
- 内蒙古大学功能高分子材料课题组
现强而有选择性的键合，形成稳定的主-客体配合物，其键合稳定常数可以与天然抗体-抗原相当。利用CB[n]对客体超强的键合能力，通过非共价键相互作用，可以与目标分子形成稳定复合物，利用此特点，本课题组开发了便携式金属离子检测凝胶，动态共价键交联的油水分离膜材料，特异性识别的分子印迹聚合物材料等。成果已经申请国家专利，发表了多篇SCI论文。油田用聚合物材料的设计及应用。在石油开采过程中，随着油藏温度和地层水矿化度的不断升高，聚合物溶液的性能会发生显著变化，从而影
当代化工研究 2023年19期2023-11-28
- 超声波键合压力自适应平衡装置设计与实验研究
]等领域。超声波键合是利用汇聚的短时超声能量使聚合物局部结构熔融,待冷却固化后实现芯片连接的技术,具有效率高、强度高、无需中间介质、生物兼容性好的优点,是实现即时检测芯片批量生产的有效途径之一[8]。在超声波键合过程中,焊头与待键合芯片的平行度对芯片的键合精度、键合均匀性和微通道的高度有着显著影响,不良的键合质量会降低即时检测芯片在后续生化检测过程中的稳定性和准确度,因此必须对焊头和芯片进行精密调平。调平技术主要可分为主动式调平和被动式调平[9]。主动式调
中国机械工程 2023年16期2023-09-06
- 基于铜铟微纳米层常温超声辅助瞬态固相键合技术
超声辅助瞬态固相键合技术肖金，翟倩，周艳琼，李武初，陈基松，王超超（广州华立学院，广州 511300）采用针状形貌铜铟微纳米层和超声能量，在常温下实现键合互连，保证互连的可靠性，从而解决传统回流焊工艺因高温引发的高热应力、信号延迟加剧等问题。将镀有铜铟微纳米层的基板表面作为键合偶，对键合接触区域施加超声能量和一定压力，实现2块铜铟基板的瞬态固相键合。用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射（XRD）、焊接强度测试仪等分析键合界面处的显微组织、金属间化合
表面技术 2022年12期2023-01-09
- 先进封装中铜-铜低温键合技术研究进展
来，Cu-Cu 键合新方法发展迅速，无Sn 元素的使用避免了上述问题的出现.具体而言，Cu-Cu 键合具有以下优势：①Cu 在键合过程中全程保持固态，无软钎焊的外溢问题，可实现窄节距互连；② 具有优异的导电、导热性能，良好的抗电迁移能力和热机械可靠性；③Cu 是半导体制造中的常用金属，工艺兼容性好且材料成本低廉.综合上述因素，Cu-Cu 键合技术可满足高密度、高可靠互连，未来最有可能获得大规模应用.然而，Cu-Cu 键合也面临诸多新的挑战，如铜的熔点(1
焊接学报 2022年11期2023-01-08
- Pt催化甲酸气氛下的碳化硅低温键合
。SiC-SiC键合在SiC基MEMS传感器制备、功率器件集成等方面有着重要作用。目前,实现键合的方法主要有以下几种:亲水处理直接键合[5-10]、表面活化键合(Surface activated bonding, SAB)[11-13]、黏结剂键合[14-15]、金属中间层键合[15-16]等。2020年,Li等[10]采用HF处理SiC表面去除氧化层,在1 100 ℃,50 MPa下键合4 h,实现强度为6.96 MPa的键合。Mu等[11-13]采用
哈尔滨工业大学学报 2022年12期2022-12-14
- 塑封器件漏电失效分析及解决措施
、封装应力过大和键合异常等[8-9]。在对失效样品进行分析时，为了避免在分析过程中破坏失效位置或者引入其他失效因素，导致真实的失效原因被其他因素遮盖，应遵循先无损后有损的分析流程。本文结合电路的实际情况，失效分析流程图如图1所示。图1 失效分析流程针对本文中的电路漏电情况的失效原因可能为芯片破损、芯片内部沾污、键合异常和塑封树脂异常等，制定了如表1所示的各种失效分析手段。表1 失效分析手段及目的3 分析结果3.1 外部目检采用光学显微镜对塑封器件的外观进行
电子产品可靠性与环境试验 2022年5期2022-11-17
- 优化关键工艺参数提升功率器件引线键合的可靠性
要求[1]，引线键合工艺是实现芯片内部器件与外部管脚之间可靠电气连接的至关重要环节[2]。超声引线键合是目前的主流键合技术，具备低热预算、高经济性、强适配性等优点[3]，占据了90%以上的应用市场。然而有统计表明，超过25%的半导体器件的可靠性问题是由引线键合失效导致[4]。由于功率器件的工作电压/电流较高，对工艺参数的优化和可靠性提升提出了更高要求[5]。在超声引线键合工艺中，对引线键合可靠性影响最大的关键工艺参数有超声功率、键合压力、键合时间等[6-8
电子测试 2022年19期2022-11-11
- 漆酚酯键合SiO2色谱柱分离纯化天麻素及其热力学研究
利用自制的漆酚酯键合SiO2色谱柱对中药天麻的主要活性成分天麻素进行分离纯化，以天麻素的结构类似物苯基-β-D-吡喃葡萄糖苷(PGL)和4-甲氧基苯基-β-D-吡喃葡萄糖苷(MGL)作为竞争分子，考察漆酚酯键合SiO2色谱柱对天麻素的分离性能，并利用 Van’t Hoff 方程对其分离过程的热力学进行研究，以期为天麻素的分离纯化提供一种新的思路。1 实 验1.1 原料、试剂与仪器天麻(GastrodiaelataBl.)干样，湖北恩施。磷酸、无水乙醇和石油
林产化学与工业 2022年5期2022-11-03
- 微电子封装用主流键合铜丝半导体封装技术
、芯片贴装、引线键合以及后面的塑封、成型、测试等。其中，引线键合主要利用金、铝、铜、锡等金属导线建立引线与半导体内部芯片之间的联系，引线键合能够将金属布焊区或微电子封装I/O 引线等与半导体芯片焊区连接，是半导体封装工艺的重要工序环节，其施工质量对于半导体功能应用的发挥具有较大影响。相对于金丝而言，键合铜丝具有更低的生产成本和良好的导电性能，使其在半导体封装以及集成电路、LED 等众多领域得到推广应用。1 键合铜丝的应用优势分析在材料成本方面，金丝是铜丝材
电子制作 2022年14期2022-08-17
- Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究*
装最重要的工艺是键合,常见的键合方式有硅—硅键合、阳极键合、玻璃浆料键合和共晶键合。硅—硅键合具有热应力小的优点,但是对硅片表面的粗糙度和清洁程度要求较高,工艺难度较大；阳极键合工艺成熟,但玻璃和硅两种材料存在一定的应力影响；玻璃浆料键合工艺过程耗时长,热应力较大,键合区域所需面积大,不利于后期的集成。共晶键合采用金属作为键合材料,可以提供很好的密封性和机械强度,采用较窄的金属密封圈可以实现对整个MEMS器件的有效封装。Au和Al两种金属是半导体工艺中广泛
传感器与微系统 2022年7期2022-07-15
- 热压键合工艺参数对微流控芯片微通道尺寸变形的影响
通道，然后以热压键合[9]、胶黏键合、激光键合[10]等方式在基片上键合盖片来实现微通道的封合。但因微流控芯片键合困难、制造周期长，只适合单件、小批量生产，无法产业化[11]。目前，在聚合物芯片的键合中，热压键合应用最为广泛。然而不恰当的键合工艺会造成芯片微通道严重变形甚至微结构塌陷破坏，同时也会造成芯片键合不牢固、键合强度太低等问题，无法实现后续的微滴生成和检测实验，严重影响芯片的使用[12]。为提高微通道的尺寸精度减小微通道变形，Fu 等[13]采用正
高分子材料科学与工程 2022年2期2022-06-22
- 基于厚膜电路的金丝球焊键合工艺技术研究
技术(SMT)和键合技术，组装半导体芯片和其它片式元件，构成具有一定功能的微电路。目前，以厚膜电路组成的混合集成电路中，引线键合仍然是最主要的连接方式[1]。以常用的键合材料来分，引线键合分为金丝键合与铝丝键合。以采用的键合方式来分，引线键合通常有三种方式: 热压键合、超声键合、超声热压键合[2]。厚膜电路作为微组装技术中的核心部件，为裸芯片与其电气互联提供载体支撑。裸芯片一般采用导电胶进行粘接，实现芯片背面电极与厚膜电路的连接，而裸芯片表面电极一般采用金
机电元件 2022年2期2022-05-06
- MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
器件层裸硅片直接键合可形成预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)[1～3]。Cavity-SOI的发明可以使MEMS敏感结构与衬底之间形成大于埋氧层的垂直距离，有利于减少与衬底之间的寄生电容；同时在MEMS敏感结构加工时，器件层经过干法刻蚀即可实现可动结构的释放，可以省去常规SOI片制备MEMS器件时所需的气态氢氟酸释放工艺，有利于工艺过程控制。Cavity-SOI为MEMS器件的设计和工艺加工提供了更多的灵活性和工艺可控性，并广泛应用于谐振器[4]、
传感器与微系统 2022年3期2022-03-23
- 基于不同键合参数的Cu-Sn-Cu 微凸点失效模式分析
9-10]。芯片键合过程中，键合质量参差不齐，导致芯片性能差异明显。本文针对不同键合参数下的芯片键合样品，在不同电流密度负载下进行了电迁移试验，以获得不同键合质量芯片在不同负载下的失效模式及凸点内部组织演变行为。2 Cu-Sn-Cu 微凸点倒装芯片本文采用了一款Cu-Sn-Cu 互连微凸点倒装芯片，芯片设计如图1 所示。图1 Cu-Sn-Cu 倒装芯片（单位：mm）芯片共54 个微凸点，并设计有相应标记点用于键合时的识别对准。键合完成后，芯片A-A、B-B
电子与封装 2022年1期2022-02-17
- 压电喷墨腔室键合工艺的研究
。目前喷墨腔室的键合工艺方法主要有胶粘键合、硅硅高温键合、硅硅低温键合、热键合、干膜层压键合等。Shen等[11]结合微电铸和微注塑工艺制作喷墨打印头的开放腔室，再通过胶粘键合的方法将开放腔室与发热元件组合在一起，得到热气泡式喷墨打印头。这种工艺可以实现大批量生产，但是在胶粘过程中黏结剂容易造成流体通道堵塞。Kim等[12]利用高温硅硅键合的方法制作一体化的喷墨腔室，先在两个硅片上刻蚀出微通道，然后在1 200℃的高温下进行硅与硅的键合。这种工艺键合时经过
机电工程技术 2021年10期2021-11-23
- Cu-Sn-Cu互连微凸点热压键合研究
互连技术包括引线键合、载带自动焊以及倒装焊；随着微电子封装朝着更小尺寸、更高集成度和更优异性能方向的发展，基于硅通孔技术的三维集成封装出现在封装行业中。而在目前的实际生产中，市场占比最多、应用最为广泛的当属倒装芯片键合技术[3]。倒装键合是一种在芯片和基底之间采用微凸点进行互连的小型化、高集成密度的封装技术[4]。相对于传统的引线键合技术，倒装键合互连路径更短，综合性能更高[5-6]。倒装键合焊接面积与芯片面积大小一致，其封装密度很高，实际生产中基本达到了
电子与封装 2021年9期2021-10-13
- 功率器件引线键合参数研究*
电压大电流，引线键合的键合点质量直接影响IGBT模块的可靠性，因此提高IGBT引线键合强度，降低引线脱落的概率，有助于提高器件的稳定性和寿命，键合参数优化、材料选择、键合工具的正确使用是提高键合可靠性的主要途径，其中最关键的是键合参数的优化。本文结合功率器件自身特性，研究多键合点情况下芯片区域第一键合点和第二键合点参数特征，通过测试键合点的剪切力，研究键合参数与键合质量的关系。首先采用单因子法，分别对不同因素进行研究，确定出各因素的水平，然后使用正交试验法
电子与封装 2021年7期2021-07-29
- 基于Rogers 5880复合介质基板的金丝楔焊键合工艺参数研究
组件封装中，金丝键合是实现微波组件电气互连的关键技术，通常用于组件中裸芯片与微带线的键合互连。因其具有工艺操作简单、加工成本低、热匹配性能好及热膨胀系数低等优点，现已广泛用于微波组件产品中，在实际生产中具有显著的应用价值。［1⁃2］金丝键合质量的优劣直接决定了微波组件的可靠性和稳定性，影响着设备的整体电性能。研究表明键合质量受键合引线材料、键合焊盘质量和键合工艺参数等因素的影响，其中键合工艺参数的匹配尤为重要。［3⁃4］在实际操作过程中，只有充分掌握键合设
雷达与对抗 2021年2期2021-06-18
- 大气条件下InP和金刚石衬底直接键合实现高效散热
热衬底与器件直接键合是减小热阻的理想选择。而目前关于 InP 和金刚石衬底直接键合的研究还很少。来自日本国家先进工业科学技术研究所的Takashi Matsumae团队通过将氧等离子体活化的 InP 基板和用NH3/H2O2清洁的金刚石衬底在大气条件下接触，随后将InP/金刚石复合样品在 250℃ 下退火，使两种材料通过厚度为 3 nm 的非晶中间层形成了剪切强度为 9.3 MPa 的原子键。相关论文以题为"Lowtemperature direct bo
超硬材料工程 2021年3期2021-04-10
- 键合参数对Ag-5Au键合合金线无空气焊球及键合强度影响研究*
发展，与之相关的键合引线的要求也就越来越高，高性能键合引线成为人们研究的热点[1-4]。Ag基键合合金线因为其高导电率、易成球、工艺参数与金线相似、键合适应性强、成本适当等的优势，开始应用在微电子封装中[5-9]。近年来国内外学者对Ag基键合合金线进行了不少试验研究，Chuang[10]等研究得出Ag-4Pd键合合金线在热处理过程中容易形成孪晶组织的结论；曹军[11]等总结得出银合金线在机械性能、键合性能、抗腐蚀与抗氧化性能及可靠性方面具有明显优势的结论；
功能材料 2020年10期2020-11-09
- 金锡熔封对引线键合强度影响研究
[1-3]。引线键合工艺是最为成熟的互联技术，现阶段仍然是最为广泛使用的一级封装互联工艺。随着原材料制造的发展，键合丝从传统的金丝、铝丝逐步向铜丝、银丝和带有镀层的多种合金丝发展。表征引线键合能力和可靠性的方法很多，包括键合拉力测量、焊点剪切强度测量等[4-5]。国内外大量学者研究引线键合可靠性的问题，主要集中在引线键合区，尤其是金属互联时可能产生的金属间化合物[6]。一般来讲，金属间化合物有利于焊接材料之间形成牢固的结合，但应尽可能避免形成脆性金属间化合
微处理机 2020年5期2020-10-20
- 漆酚酯键合硅胶液相色谱固定相的制备与应用
将设计的色谱配体键合到硅烷化硅胶上以得到色谱固定相[9-12],从而制备一系列具有不同分离性能的色谱柱。研究表明,天然化合物独特的结构使其具有作为色谱配体的能力,能用于相似结构物质的分离富集,并且由于其具有天然、低毒或无毒性质,人工合成配体无法达到这种效果[13-15]。生漆是我国特有的优质天然植物资源,对环境友好,可生物降解。漆酚是生漆的主要成分,是一种具有15或17个碳原子的烷基长侧链的邻苯二酚衍生物的混合物[16,17],侧链的不饱和度为0～3,其独
色谱 2020年11期2020-09-23
- 含季铵盐的芳酰腙配体的铜 (Ⅱ)配合物的合成和表征：体外DNA键合和核酸酶活性
Eda Şengül Elif Cansu Gökçe Topkaya Tolga Göktürk Ramazan Gup(Department of Chemistry,Faculty of Science,Mugla Sıtkı Koçman University,48000,Kotekli-Mugla,Turkey)0 IntroductionDNA is the storage and transport of genetic informatio
无机化学学报 2020年7期2020-07-20
- 封装领域键合铜丝的专利综述
摘 要：键合铜丝由于优良的综合性能在当今微电子封装中受到重点关注，本文指出了键合铜丝在世界各国的发展趋势，并重点分析了重要申请人在该领域的技术发展。关键词：键合铜丝;微电子封装引言近年来，由于黄金价格不断攀升，迫于封装成本高的压力，传统的引线键合材料——键合金丝正受到越来越大的挑战，微电子封装厂商不得不考虑采用其他的键合丝替代金丝;铜丝与金丝相比，具有很大的成本优势，而且也具有优良的高导电导热率和机械性能等，是替代金丝的理想引线键合材料，且随着铜丝键合新工
装备维修技术 2020年25期2020-06-10
- 封装领域键合铜丝的专利综述
摘 要：键合铜丝由于优良的综合性能在当今微电子封装中受到重点关注，本文指出了键合铜丝在世界各国的发展趋势，并重点分析了重要申请人在该领域的技术发展。关键词：键合铜丝;微电子封装引言近年来，由于黄金价格不断攀升，迫于封装成本高的压力，传统的引线键合材料——键合金丝正受到越来越大的挑战，微电子封装厂商不得不考虑采用其他的键合丝替代金丝;铜丝与金丝相比，具有很大的成本优势，而且也具有优良的高导电导热率和机械性能等，是替代金丝的理想引线键合材料，且随着铜丝键合新工
装备维修技术 2020年35期2020-06-06
- 含噁二唑大环冠醚的合成、结构及金属离子识别性能
金属离子的选择性键合一直是化学领域的研究热点之一. 1,3,4-噁二唑及其取代衍生物是一类重要的生物活性物质[1～5],而某些取代的噁二唑也是重要的光敏物质[6,7],可作为荧光剂、激光材料和闪烁剂,因此研究人员对该类化合物的合成进行了广泛而深入的研究. 2,5-二芳基-1,3,4-噁二唑[8～10]是广泛使用的一类电子传输材料,其结构中的噁二唑基团具有突出的三维亲电子性能,并且具有较高的荧光量子效率. 关于二苯联噁二唑大环化合物的合成及其结构研究已有较多
高等学校化学学报 2020年3期2020-03-12
- 影响铝线键合失效因素及失效分析
广泛应用，对器件键合系统的可靠性要求也更加苛刻。半导体功率器件和电子元器件产品的引线键合失效是半导体分离器件、混合集成电路等常见的失效模式[1]。因此、迫切要求我们分析影响键合铝线键合强度的因素，并且根据实际生产中遇到的问题进行失效分析。2 影响粗铝线键合失效的因素及失效分析超声波键合的原理是压电陶瓷将超声发生器产生的高频正弦功率信号转变成机械振动，振动经传输放大并汇聚后作用在键合界面上，在机械能和键合力的作用下，劈刀中的铝线与界面发生摩擦，去除沾污并且将
电子技术与软件工程 2020年21期2020-02-04
- 智能制造 键合球脱现象的调查分析及质量管控
压焊技术仍占封装键合工艺的主流。本文主要针对球压焊工艺中出现的球脱现象进行调查分析，解决封装不良导致的测试失效及可靠性不良等问题，并从量产角度上提出质量管控方法。关键词：键合;球脱;质量管控;封装工艺中图分类号：TH161+.1 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2019）08-0172-03Abstract：With the popularization of consumer electronics，the capacity of
现代信息科技 2019年8期2019-09-10
- 从专利角度分析微流控芯片的键合技术
型盖片和基片以及键合微流控芯片。而键合是微流控芯片加工中的一个关键的工艺环节。本文对微流控芯片的键合技术在我国的专利申请情况进行了分析，以便更好了解该领域的技术发展概况。1 键合技术在中国专利申请技术分析本文以2019 年1 月1 日之前向中国国家知识产权局提交并公开公告的专利申请为研究对象，数据来源于国家知识产权局专利局的专利检索与服务系统中的中国专利文摘数据库（简称“CNABS”数据库）。检索式为 (微流控芯片s(键合or 封接)and(apd＜201
云南化工 2019年4期2019-07-19
- SSB键合在COB封装中的应用研究
刷电路板上，通过键合线与电路板键合，然后进行芯片的钝化和保护，其结构如图1所示[1]。如果裸芯片直接暴露在空气中，易受污染或人为损坏，将难以实现芯片功能，因此须用胶把芯片和键合引线包封起来，这种封装形式也被称为软包封。引线键合是裸芯片与电路板相连接的过程，为电源和信号的分配提供电路连接[2]，键合工艺质量的好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性，也直接影响到封装的总厚度。在COB 封装中，由于将裸芯片直接贴装在印制电路板上，没有对其单独封装，所以能有效地
微处理机 2019年3期2019-06-27
- 表面有微结构的硅片键合技术
键的工艺步骤就是键合工艺。随着MEMS技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合,然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合(silicon directly bonding,SDB)技术[2]。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤,其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求,要进行复杂的抛光处理, 这大大加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率[3]。Abouie M等人[4]针对金—硅共晶键合过程中凹坑对键合质量的影响展开研究，提
传感器与微系统 2019年6期2019-06-05
- 阳极键合研究现状及影响因素
30024)阳极键合技术始于1968年美国学者Pomerantz的一次偶然实验，实验中相互重叠的玻璃和金属在加热时通入直流电后竟使金属牢固的连接到玻璃上.1年后， Pomerantz和Willis发表了关于玻璃(陶瓷)与金属在静电场下建立连接的报道[1-2].报道中提到将一片硅酸盐玻璃放置与两片金属之间并加热，而后在这两片金属两端施加一个静电场形成回路，经过一段时间后发现，连接阳极的金属片与玻璃发生连接，因而这种连接方式称之为“阳极键合”，或者“场助键合”
材料科学与工艺 2018年5期2018-11-20
- 晶圆直接键合及室温键合技术研究进展
001）晶圆直接键合及室温键合技术研究进展王晨曦，王特，许继开，王源，田艳红（哈尔滨工业大学 先进焊接与连接国家重点实验室，哈尔滨 150001）晶圆直接键合技术可以使经过抛光的半导体晶圆，在不使用粘结剂的情况下结合在一起，该技术在微电子制造、微机电系统封装、多功能芯片集成以及其他新兴领域具有广泛的应用。对于一些温度敏感器件或者热膨胀系数差异较大的材料进行键合时，传统的高温键合方法已经不再适用。如何在较低退火温度甚至无需加热的室温条件下，实现牢固的键合是晶
精密成形工程 2018年1期2018-01-10
- 绝缘层上锗(GOI)材料的表征测试
试院 阮育娇晶片键合技术已成为半导体器件制备中的一项重要工艺，目前广泛地应用于SOI (Silicon-on-insulator)、GOI (Germanium-oninsulator)结构以及硅基Ш-V族结构的制备，在硅基光电集成方面具有广阔的应用前景。本文采用键合技术结合智能剥离方法制备了绝缘层上锗(GOI)材料，并通过原子力显微镜(AFM)、扫描声学显微镜(SAM)、透射电镜(TEM)、以及X射线衍射(XRD)等对GOI的微结构进行了表征和分析。非破
电子世界 2017年22期2017-12-02
- 多功能键合仪研制及在教学中的应用
技术与方法多功能键合仪研制及在教学中的应用王 蔚， 封 迪， 田 丽(哈尔滨工业大学 航天学院， 黑龙江 哈尔滨 150001)对硅/玻璃阳极键合进行了实验技术研究,阐述了实验设计思路;确定了实验的内容和方法,据此研制出能直观显示硅/玻璃界面键合情况以及键合电流-时间曲线的多功能键合实验仪。通过键合操作、现象观察和深入分析，使学生更加深入了解键合机理、掌握影响键合效果与效率的主要因素。该实验技术有助于提升学生的动手能力、分析能力以及综合素质。阳极键合； 教
实验技术与管理 2017年11期2017-11-27
- 多结太阳电池用键合技术
)多结太阳电池用键合技术张无迪，王 赫，刘丽蕊，孙 强，肖志斌(中国电子科技集团公司第十八研究所，天津300384)介绍了使用键合技术制备高效多结太阳电池的方法，即在不同材料衬底依次外延生长晶格匹配子电池，再通过键合技术将二者集成至一起。着重介绍了多种实现子电池集成的键合技术，并分析了其技术特点。键合；多结太阳电池；晶格匹配Abstract:Fabrication method of high-efficiency multi-junction solar
电源技术 2017年9期2017-10-17
- MEMES压力传感器技术组成分析
以及封装过程中的键合技术的分类和发展进行了详细的介绍。关键词 MEMS；压力传感器；材料；蚀刻；键合中图分类号 TP2 文献标识码 A 文章编号 2095-6363（2017）15-0099-02MEMS是微机电系统的英文缩写，是1959年12月由理查德·费曼最早提出的概念，是将微观模拟机械元件机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、信号传输和电源等集成于一体构筑而成的可以批量制作的复杂的微型器件或包括该器件的系统，其开发始于20世纪
科学家 2017年15期2017-09-20
- 晶片的初始宏观形变对硅-硅直接键合的影响
形变对硅-硅直接键合的影响陈 晨，杨洪星(中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津 300220)采用建立了硅硅直接键合的简化模型，依据薄板理论分析了键合发生的条件以及原始晶片的曲率与键合后晶片曲率的关系；理论分析认为晶圆键合前有必要根据弯曲变形量来匹配键合晶圆，并通过试验进行了验证。键合；弯曲变形；翘曲度晶片直接键合技术是指不需要中间粘附层，将表面平整洁净的晶片对直接粘合在一起，而且粘合强度与晶片体材料断裂强度相近。键合过程依赖于室温下晶片界面的短程分子
电子工业专用设备 2017年4期2017-09-03
- Plasma清洗在Flip睠hip工艺中的重要作用
板与芯片Bump键合失效的主要因素。为使芯片与基板能达到有效的键合，在Bond之前将基板进行plasma清洗，以提高其键合的可靠性。通过介绍plasma清洗原理、过程，以及水滴角，推力测试等实验，论证了在FlipChip Bond之前对基板进行plasma清洗能有效的提高产品键合的可靠性。关键词：plasma；FlipChip；推力测试；水滴角；键合随着现代电子制造技术的发展，Flip–Chip Bond封装技术得到了广泛的应用，但问题也随之而来，因前端工
科技风 2017年24期2017-05-30
- RBFN优化算法在键合机标定中的应用
BFN优化算法在键合机标定中的应用洪喜，李维，卢佳，白虹，孙海波（中国科学院长春光华微电子设备工程中心有限公司，长春130000）键合位置精度是衡量键合机性能的关键指标之一。为提高键合工具的键合位置精度，针对键合位置误差的非线性特点，提出一种径向基神经网络误差修正方法。以键合角度与键合点图像坐标为学习样本，以生成最小映射误差为原则调节网络权因子、基函数中心和宽度，建立具有良好泛化能力的误差逼近模型。并根据算法特点提出了一种工程优化方法，在保证算法补偿精度的
电子与封装 2016年5期2016-09-07
- 基于原子扩散的蓝宝石芯片键合技术研究
扩散的蓝宝石芯片键合技术研究吴亚林1,2，王世宁2，曹永海2，王伟2，史鑫2(1.哈尔滨工业大学机电工程学院,黑龙江哈尔滨 150001;2.中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001)本文基于原子扩散理论模型，试图介绍一种蓝宝石芯片直接键合技术，给出一定扩散距离下键合温度与键合时间的关系；开展了蓝宝石芯片键合的试验研究；初步制作了键合样品。经测试，键合强度达到0.5 MPa，验证了蓝宝石芯片直接键合的可行性。蓝宝石芯片；原子扩散；直接键
中国电子科学研究院学报 2016年2期2016-09-03
- SiC混合功率模块封装工艺
工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。关键词：SiC；功率模块；回流；键合；点胶；灌胶1 引言SiC是自第一代元素半导体材料Si和第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化镓、磷化铟）之后发展起来的第三代半导体材料。采用一、二代传统的半导体材料制作的集成电路与器件无法在高温环境下持续工作，且输出功率低，受高频、高腐蚀等条件的影响严重；与之相比，SiC宽禁带半导体材料具有宽禁带、高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，相应开发的半导体器件及模块在高温下具
电子与封装 2016年3期2016-04-21
- 一种高温压力传感器及其加工方法
敏感膜片进行阳极键合或硅硅直接键合或硅硅介质键合；以TO型金属管壳为外壳实现芯片级封装。本发明用SOI圆片的埋氧层和淀积的二氧化硅/氮化硅钝化层将硅电阻包裹隔离，消除了高温时的漏电流；溅射生长二硅化钛/钛/氮化钛/铂/金多层耐高温欧姆接触电极结构；采用耐高温键合及TO封装工艺，提高传感器高温工作稳定性。解决传统硅基传感器难以在高温环境中长期工作的问题。
传感器世界 2016年10期2016-03-27
- 键合强度试验能力验证的研究
目前，本实验室的键合强度/剪切力测试仪（生产厂家为ROYCE，型号为ROYCE 650）经检定合格后已正常进行键合强度和剪切力强度试验近一年，试验人员已熟练掌握键合强度/剪切力测试仪的操作和使用方法。本次键合强度能力验证试验由本实验室按照标准要求执行，委托6家已获得相关资质的实验室进行键合强度试验，然后将本实验室的试验结果与其他实验室的试验结果进行比对，利用实验室间比对来判定本实验室在键合强度试验上的能力，并评价各个实验室测试结果的满意程度。2 能力验证试
电子与封装 2015年11期2015-09-05
- 碳化硅直接键合机理及其力学性能研究*
51）碳化硅直接键合机理及其力学性能研究*王心心1，2，梁庭1，2，贾平岗1，2，王涛龙1，2，刘雨涛1，2，张瑞1，2，熊继军1，2*（1.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原030051；2.中北大学电子测试技术国防科技重点实验室，太原030051）随着碳化硅（SiC）材料的MEMS器件在恶劣环境测量中的应用前景和迫切需求，进行了碳化硅的直接键合实验。研究了工艺条件对键合样品力学性能的影响，同时借助激光共聚焦扫描显微镜（CLSM）、扫描电子
传感技术学报 2015年9期2015-08-17
- 玻璃-硅微结构封装过程工艺参数对键合质量的影响
装过程工艺参数对键合质量的影响李 嘉1，郭 浩2，郭志平1,苗淑静1，王景祥1(1.内蒙古工业大学机械工程学院，内蒙古呼和浩特 010051；2.苏州大学机器人与微系统研究中心，江苏苏州 215021)通过MEMS封装试验平台，对键合过程中的键合温度、键合时间等工艺参数以及试验硅片规格进行试验研究。通过改变键合温度、键合时间以及试验硅片规格等参数，进行玻璃-硅键合对比试验。计算每组对比试验的键合空隙率，分析每组对比试验空隙率的数据，归纳总结影响键合质量的因
仪表技术与传感器 2015年10期2015-06-07
- 新型Hg3 In2Te6芯片引线的键合机制
及芯片之间的引线键合，决定了器件信号传输的可靠性，成为整个封装过程中的关键[1]。引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位，目前所有封装管脚的90%以上都采用引线键合连接[2−3]。引线键合工艺主要分为3种：热压键合、超声波键合与热压超声波键合；键合的基本形式有两种：球键合和楔键合，其中应用最为广泛的是热压超声Au丝球键合[4−5]。由于键合技术所涉及的学科非常广泛，且键合过程速度快、时间短、键合面小，国内外关于其机理的研
中国有色金属学报 2015年4期2015-06-04
- 玻璃浆料键合气密性研究*
S 器件需要芯片键合工艺来制作电极和空腔，目前主要有阳极键合、硅—硅直接键合、粘合剂键合、焊料键合和玻璃浆料键合几种方式。玻璃浆料键合是通过网印将玻璃浆料涂在键合面上，熔化所产生的结构并接触第二个衬底，冷却后形成稳定的机械性连接［1］。由于密封效果好、键合强度高、生产效率高，而且对封接基板表面没有特殊要求，可实现低成本、高可靠的圆片级封装而具有更为广泛的用途［2］。本文对玻璃浆料键合全密性进行了研究，并对其影响因素进行了分析，实验结果达到了预期效果。1 键
传感器与微系统 2015年1期2015-03-26
- 衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究
20)硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中，衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量，会影响键合过程中的界面应力，或造成键合界面空洞的产生，从而影响键合质量。硅片 抛光片 硅硅键合 键合质量0 引 言SDB(Silicon-silicon Direct Bonding)——硅-硅直接键合是将两片表面经清洗、活化的硅抛光片在室温下直接贴合，经高温处理，使界面发生物理化学
天津科技 2014年11期2014-08-07
- EVG集团为工程衬底和电源器件生产应用推出室温共价键合技术
确保在无氧条件下键合并提高效率EVG 集团，微机电系统（MEMS）、纳米技术和半导体市场上领先的晶圆键合和光刻设备供应商，日前宣布推出EVG 580 ComBond - 一款高真空应用的晶圆键合系统，使得室温下的导电和无氧化共价键合成为可能。这一全新的系统以模块化平台为基础，可以支持大批量制造（HVM）的要求，非常适合不同衬底材料的键合工艺，从而使得高性能器件和新应用的出现成为可能，包括：●多结太阳能电池●硅光子学●高真空MEMS 封装●电源器件●化合物半
电子工业专用设备 2014年11期2014-07-04
- 手动引线键合设备夹持台解决方案
00176)引线键合是至今仍广泛使用的焊接技术。引线键合设备能够完成绝大多数封装管脚的连接（90%），是封装工艺环节的重要设备。引线键合以工艺实现简单灵活、成本低廉、试用多种封装形式而在封装互连方式中占主导地位。而手动键合以其适用性更强，使用方法更灵活等优势在键合工艺，尤其是试验及小规模生产中有着广泛的应用。随着半导体技术的发展，键合的器件的种类也不断增加，这就要求手动键合设备针对器件的改变进行相应的变化。1 夹持台夹持台是手动键合设备变化最为复杂的部件。
电子工业专用设备 2014年6期2014-03-26
- 基于Minitab DOE的铝丝楔焊键合工艺参数优化
近年来，铝丝楔焊键合，由于其铝丝（约含有1%的硅）成本低、可在室温下实现键合，且在与芯片和电极的结合面不易生成金属间化合物，在高可靠性气密性封装方面得到了广泛的应用[1～2]。而伴随着国产化的推进，国产陶瓷外壳在铝丝楔焊键合气密性封装方面也已应用得越来越多，且在高可靠性电子元器件的封装中，使用频率也越来越高。然而国产陶瓷外壳质量与进口陶瓷外壳相比，仍然有很大的差距，具体表现在：外壳指状焊盘表面镀层不良，镀层粗糙，镀层缺损，镀层有凸起物或凹坑，镀层上有小颗粒
电子与封装 2014年6期2014-02-26
- 绝缘引线在陶瓷封装中的应用
腔体中除了芯片、键合丝、芯片粘接材料外，没有其他的填充材料。采用该封装技术的电子元器件具有较高的长期可靠性。在陶瓷封装工艺中，引线键合互连技术是指采用金线、铝丝或铜丝等金属丝将芯上的PAD（焊盘）与基板上的LEAD（键合指）连接起来，实现芯片功能的输出。该连接需要有低的接触电阻和足够的机械强度。引线键合技术历史长，技术基础雄厚，加工灵活，它利用热能、超声波能量、压力来实现键合，键合时无方向性，速度快，效率高，在大规模生产中目前能够达到键合节距（PITCH）
电子与封装 2013年9期2013-12-05
- 线弧参数对铝丝楔焊键合强度的影响研究
工业中，超声引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90%以上的芯片均采用这种技术进行封装[1]。铝丝楔焊键合是超声引线键合的一种，它是通过超声振动和键合力的共同作用将半导体芯片压焊区与管壳引脚之间用铝丝连接起来的封装工艺技术，与金丝键合技术相比，由于其铝丝（约含有1%的硅）成本低、可在室温下实现键合，且在与芯片和电极的结合面不易生成金属间化合物，在高可靠性气密封装方面实现了广泛的应用。铝丝楔焊键合虽然应用始于20世纪60年代末，但由于涉及到物理、化
电子与封装 2013年9期2013-12-05
- 微组装技术中的金丝键合工艺研究
件芯片烧结、金丝键合、封帽等工艺流程。金丝键合是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术，金丝键合直接影响到电路的可靠性和稳定性，对电路的微波特性具有很大的影响。本文主要针对微波模块、组件中的金丝键合工艺进行了研究，对提高金丝键合质量起到工艺优化的作用。1 金丝键合简介键合是通过施加压力、机械振动、电能或热能等不同能量于接头处，形成连接接头的一种方法，属于压力焊接的一种。在键合接头内金属不熔化，但是在被连接面之间发生原子扩散，即被连接面之间已达到了产生原子结合
舰船电子对抗 2013年4期2013-08-10
- 复合量程加速度计阳极键合残余应力研究*
封装中采用了阳极键合技术，但键合过程是在比较高的环境下进行的，产生的残余应力会对加速度计的零位输出产生偏移，甚至在高温下会对微结构产生破坏［2～4］，以致对复合量程加速度计的使用状况和大量发展受到了限制，因此，对其残余热应力的研究是必要的。本文对复合量程加速度计的阳极键合过程进行了建模与仿真，分析了键合温度、玻璃基底的厚度和框架的键合宽度对梁上残余热应力的影响。1 复合量程加速度计的设计本文中研究的复合量程加速度计是利用硅的压阻效应制作的，其结构图如图1所
传感器与微系统 2013年3期2013-04-21
- 冠醚化合物合成应用研究的新进展
合成及选择性组装键合作用、新型冠醚衍生物的合成及应用、特殊结构冠醚的合成及应用,并对冠醚化学的发展进行了展望。冠醚;合成;组装;键合大环多元醚由美国杜邦公司的Pedersen教授于1967年首次合成,由于其结构形状酷似国王王冠,俗称冠醚。冠醚化合物结构简单,但其性能与天然离子载体有着惊人的相似性。冠醚环的空腔大小可通过不同的合成手段进行调控,故可选择性地络合金属离子、无机及有机小分子,正是基于这种特殊的性能,冠醚化合物已应用于有机合成、高分子合成、配位化学
化学与生物工程 2013年5期2013-04-11
- 电子封装中的固相焊接：引线键合
或框架之间的引线键合、芯片与框架或焊盘之间的芯片键合、芯片与焊盘之间的倒扣焊、外壳的密封以及器件与印制电路板之间的表面贴装等，见图1[1]。其中由于引线键合具有操作简单、成本低、工艺适应性强以及可靠性高等优点，其承担着所有IC互连约96%的键合任务[2]，是电子封装中最常见、最重要的焊接方法。一般认为引线键合中被连接材料并未发生熔化，因此是一种固相焊接方法；但其又具有一些特殊性，如[1]：（1）电学性能和可靠性优先于机械性能，（2）力学结构设计可能并不合理
电子工业专用设备 2011年7期2011-06-28
- MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究*
提高器件的性能。键合技术是一种将MEMS器件中不同材料的部件永久连结为一体的技术。近年来键合技术发展迅速，已成为MEMS器件开发和实用化的关键技术之一。而常用的真空键合技术主要是高真空（< 10-2Pa）环境下的阳极键合、共晶键合以及硅-硅直接键合等。阳极键合一般只限于硅-玻璃键合[2]，键合温度为300℃～400℃，偏压为500V～1000V，键合过程中的高电压对微电路有影响，而使其应用受到极大限制；硅-硅直接键合[3]是指两片抛光硅片在不需要任何粘接剂
电子与封装 2011年1期2011-01-26