导带
- 纯铁导带毛坯硬度影响因素的脱碳工艺研究
0)1 研究背景导带是弹丸重要组成部分,弹丸发射过程中,在发射药燃烧产生的高温、高压气体推动下弹丸导带嵌入炮管膛线中沿膛线运动[1],使弹丸做直线和旋转复合加速运动,出炮口后高速旋转的弹丸有利于飞行稳定性;弹丸在膛内运动时导带也起密闭火药气体的作用。旋转稳定的小口径炮弹通常采用紫铜导带,随着小口径高炮武器系统向高射速、高射频、高膛压和高转速方向发展[2],相对而言,熔点较低(1083 ℃)的紫铜导带不能够承受弹丸进入炮管膛线时由于高速挤压、强力摩擦产生的高
热处理技术与装备 2023年5期2023-10-23
- 不同浓度S掺杂2H-CuInO2的第一性原理研究
nO2的价带顶和导带底分别位于布里渊区的点和点，显示出间接带隙的性质，带隙值为0.240eV，掺杂S元素后2H-CuInO2在沿布里渊区的价带顶和导带底的高对称点及带隙值的变化如表3所示。表3 掺杂S元素后2H-CuInO2随浓度变化的价带顶、导带底及带隙值图1是未掺杂及1.04%、1.39%、2.08%浓度S掺杂2H-CuInO2的能带结构图。由表3以及图1可知，掺杂S后2H-CuInO2的带隙类型没有改变，仍为间接带隙，且导带底均位于Γ点，价带顶则位于
全面腐蚀控制 2023年5期2023-06-02
- La掺杂氧空位的α-Bi2O3电子结构和光学性质的第一性原理研究
电子从价带激发到导带需要的能量减小，电子更容易跃迁，进而提高了光催化活性。东北大学于智清课题组[12]利用第一性原理对氧空位和B离子共掺TiO2的光催化性能进行了研究，发现共掺杂能在提高可见光吸收效率的同时降低光生电子-空穴对的复合效率，有利于提高TiO2的光催化性能，氧空位和B离子共同作用使Ti4+减少且更多低价位的Ti离子出现。在实验研究方面， Malathy等[13]采用沉淀法成功地制备了过渡金属(Ni、Zn)掺杂Bi2O3纳米颗粒，在可见光的照射下
人工晶体学报 2023年1期2023-02-23
- S掺杂增强CdS/ɡ-C3N4异质结光催化性能的第一性原理研究
层CdS纳米片的导带底（CBM）和价带顶（VBM）都在G点，是直接带隙半导体，带隙为1.67 eV，与实验值单层CdS 2.4 eV相比略低［29］，主要是由于密度泛函理论计算带隙时普遍存在误差，但不影响结构的规律性分析.图3（b）中ɡ-C3N4的CBM和VBM分别在K和G点，是间接带隙半导体，带隙为1.4 eV.图3（c）中CdS/ɡ-C3N4异质结价带顶和导带底分别位于G和M点，是间接带隙半导体，带隙为1.00 eV，由于ɡ-C3N4和CdS在价带部分
白城师范学院学报 2022年5期2022-12-06
- 纺织数码印花机的机型结构与应用综述
送方式可以分为：导带输送方式、卷对卷收放方式、台板式。扫描机有导带式、台板式和卷对卷3 种输送方式，Single pass 机有导带式和卷对卷两种输送方式，但一般都是导带式。印花机实型如图1所示。图1 印花机实型2 纺织数码印花机的各机型结构2.1 Single pass 机（以有导带的机型为例）2.1.1 机架目前市面上有两种主流结构：（1）底座独立，喷头模组安装在底座上，每个模组之间预留维修通道；（2）底座与模组安装机构是一体式的，每个模组都可以独立拉
染整技术 2021年12期2022-01-14
- 关于某型系列产品“上下导带二次收紧”合并的工艺技术
简介：某系列产品导带收紧是该系列产品的重点关键工序，产品质量直接关系到产品质量。工艺要求较严格。产品工序简图（1）该产品为上下两个导带位置，分别是φ153±0.30mm和φ156±0.30mm。本文主要针对导带收紧工艺流程编制问题，提出优化工艺流程的实质和方法。并结合我公司的生产实际，从实际出发在已有的工艺流程的前提下，采用适当的措施进行调整、改进、达到保证产品的加工质量、降低加工成本、提高生产效率、减轻工人劳动强度的目的。二、应用领域：主要应用于某产品上
装备维修技术 2021年36期2021-10-25
- 炮射弹药滑动导带环结构设计
导炮弹均采用滑动导带减旋技术，减小弹丸的出炮口转速，采用尾翼稳定装置来保证弹丸飞行稳定。制导炮弹滑动导带减旋技术是常规弹药制导化的关键技术之一，其稳定工作是武器系统制导、控制部件正常作用的前提。滑动导带环由滑动导带体和镶嵌在导带体上的导带组成。发射时，嵌入膛线的滑动导带环做高速旋转，弹体在与滑动导带环接触面的摩擦力矩作用下微旋，滑动导带环同时闭住高压火药气体，避免对火炮身管内膛和弹丸导带前部的冲刷。滑动导带环工作环境及工作过程相对制式弹药的导带复杂很多，且
弹箭与制导学报 2021年3期2021-07-30
- 掺杂CeO2光学性质和电子结构的第一性原理研究
和4f轨道存在；导带底是由Ce原子的4f轨道贡献。图3(b)是N原子掺杂后的态密度图，在N原子掺杂后，从总态密度和分态密度的曲线形状和费米能级位置的区别可以看出，能带整体在向左边低能量方向移动，能带移动后电子价态更稳定，得电子更容易，CeO2价带的氧化能力增强，有利于光催化能力的提升。价带主要由N的2p和O的2p轨道，以及少量的Ce的5d轨道组成。掺杂后同样出现了杂质能级，由Ce原子的4f轨道和N的2p轨道共同作用形成。在图3(c)中，掺杂了Fe原子，从态
华北科技学院学报 2021年1期2021-05-14
- 单层2H-MoTe2光电效应的理论研究
展示MoTe2的导带的最小值为0.58 eV，价带的最大值为-0.58 eV，导带的最小值和价带的最大值都在第一布里渊区G-X之间的同一点取得，说明单层MoTe2的能带结构为直接带隙，且带隙值为1.16 eV，与其他理论值吻合较好[5]。在第一布里渊区的 S点，价带的最大值为-0.73 eV(S1)，导带的最小值是0.90 eV(S2), 次导带的最小值为1.09 eV(S3)，在S点价带到导带的距离为1.63 eV(S1→S2)，价带到次导带的距离为1.
人工晶体学报 2021年3期2021-04-17
- 自动导引小车的优化设计与实现
敏传感器来检测磁导带;(3)使用电机驱动模块来控制电机的运动状态;(4)具有电源按键、复位按键和红黄绿三个LED灯和蜂鸣器.1 系统总体设计以STM32F103R8T6 为核心控制器设计自动导引小车控制系统[4],包括电机驱动、磁敏传感器和电源等相关电路.系统总体设计如图1所示.在图1 中,由软件部分根据实际情况来控制LED的亮暗和蜂鸣器的响灭,电机的运转也是按照实际情况来判断.当小车开始上电或复位时,其初始化顺序为:LED 初始化、蜂鸣器初始化、电机初始
湖南理工学院学报（自然科学版） 2021年1期2021-01-29
- g-C3N4基异质结构光催化剂的研究
0]。半导体A的导带(CB)和价带(VB)分别比相对应的半导体B的导带(CB)高，比B的价带(VB)低。因此，在光照下，电子积聚在半导体B的导带(CB)上，空穴将积聚在半导体B的价带(VB)能级上。由于I型异质结光催化剂的电子和空穴都在同一个半导体(B)上聚集，所以导致电子-空穴对不能有效分离。此外，由于在氧化还原电位较低的半导体上发生氧化还原反应，致使光催化剂的氧化还原能力显著降低。Li等[11]研究使用了湿浸渍法来构建二元结构的 CdIn2S4/g-C
江西化工 2020年6期2021-01-05
- 全自动免扣打捆机在锌熔铸中的应用
导槽及穿箭机构、导带机构、带盘机构、气动系统、控制系统等组成。其总体结构见图1。1.1.1 旋转顶升工件台主体由伺服马达、涡轮旋转机构，顶升油缸、工件平台组成，主要负责锌垛的顶升旋转，配合打捆机实现锌垛井字捆带打包。1.横移机构；2.减速电机；3.穿箭机构；4.导带槽1；5.导带槽2；6.打捆机头；7.机头升降机构；8.导带槽2；9.穿带导槽机构；10.导带轮机构图1 免扣全自动钢带打捆机结构总图Fig.1 General Structure of Ful
有色金属设计 2020年1期2020-06-17
- Ce掺杂6H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究
，是间接半导体，导带最低点在L点，价带最高点在G点，其禁带宽度2.045 eV,比实验值略小，这是由于计算采用的GGA近似方法低估了激发态电子间的相互作用造成的.由(b)中可以得到，掺杂Ce元素，导带最低点在A点，在M点取得最大值，禁带宽度为0.812 eV.掺杂后引入了新的杂质能级.6H-SiC的Si原子的2s轨道与2p轨道发生杂化形成sp3轨道，而C原子的3s轨道与3P轨道发生杂化形成sp3轨道，两个sp3轨道发生能级分裂，形成能量较低的成健态和能量较
原子与分子物理学报 2020年2期2020-05-15
- N-Mo-W共掺杂金红石相TiO2的第一性原理研究
改变杂质能级或者导带下移、价带上移等其实效果参差不齐.基于前人工作的结论来看，增加掺杂金属原子种类的方法来提高其催化性质是本文研究的一个出发点，从而我们采用了N与Mo、W两种金属元素进行共掺杂的方法，来计算所得的结果是否具有意义.2 计算模型与方法所建立的模型是基于2X2X2的超胞，列举出了各个掺杂情况下的模型结构如下图1(a-g)所示.依次为本征TiO2，掺杂N，掺杂Mo，掺杂W，掺杂N-Mo，掺杂N-W，掺杂N-Mo-W.在未掺杂时的TiO2的晶格参数
原子与分子物理学报 2019年4期2019-09-17
- 平网印花机进贴布系统的分析探讨
贴于印花台板或者导带上，直接影响着印花效果的好坏和生产效率的高低。纵观目前国内外各类平网印花机进贴布系统的配置现状，因各工厂所印的织物类型、品种、设备购置的年代、操作工的认识和使用习惯不同，具体的配置和使用情况各异，其使用效果存在着明显的差异。本文试图对平网印花机常用进贴布装置和系统的特点及性能优劣进行分析，以供相关人员参考。平网进贴布系统的形式按照织物是否连续分，目前主要有手工单条单片（如毛巾、毛毯、成衣裁片）和连续进贴布系统两种形式，前者简单，后者较为
网印工业 2019年8期2019-09-02
- 导带式数码喷射印花机运行过程中常见疵病
导带式数码喷射印花机在运行过程中常见疵病见下表。1 喷印过程中面料的边出现越来越偏的现象分析：进布时，面料未放正。解决方法：在把面料放到导带上时，注意左右位置。2 喷印时突然出现白条或图案模糊分析：喷头堵塞。解决方法：清洗喷头。3 喷印时出现一道道白条或黑条，或出现虚边分析：喷头出现堵头或斜喷。解决方法：清洗喷头。分析：步进不准。解决方法：对导带前进控制进行调整。4 喷印时出现白条或黑条，并出现左右不等宽的现象分析：导带左右的张力不均匀，或主动辊和张力辊不
网印工业 2019年4期2019-05-21
- 打捆机导带槽装置及捆带盘胀缩装置的改进
或者穿心打捆机，导带槽装置和捆带盘装置都是其重要组成部分[5]。传统导带槽装置的设计为外置弹簧式开合，并通过螺母固定联接。外置弹簧式导带槽装置所需空间大，导带槽在频繁开合时螺母联接很容易松动而导致弹簧飞出。常见的捆带盘胀缩装置为双链板胀缩形式，结构设计复杂且导向轮轴承容易损坏，直接影响包装机组的作业率。本文以周向打捆机为研究对象，设计了销子联接的内置弹簧式导带槽装置和结构简单且无需导向轮的单链板捆带盘胀缩机构。1 打捆机设备组成如图1所示，周向打捆机主要由
重型机械 2019年2期2019-04-28
- AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结散射机制的影响∗
带能级波动散射、导带波动散射以及合金无序散射三种散射机制的影响.结果显示:当Al含量由0增大到1,子带能级波动散射强度与合金无序散射强度先增大后减小,导带波动散射强度单调减小;在Al含量为0.1附近的小组分范围内,合金无序散射是限制迁移率的主要散射机制,该组分范围之外,子带能级波动散射是限制迁移率的主要散射机制;当Al摩尔百分含量超过0.52,三种散射机制共同限制的迁移率超过无插入层结构的迁移率,AlGaN层显示出对迁移率的提升作用.1 引 言GaN材料具
物理学报 2019年1期2019-01-25
- 薄壁超高强度钢熔敷焊接导带裂纹成因分析及预防
在兵器制造业中，导带是弹药炮弹极其重要的组成部分，是炮弹能否“安全”实现“远”和“准”作战指标的关键部件。传统炮弹导带采用机械压带工艺，限制了炮弹的装药量，同时弹体与导带的机械连接易使导带在发射过程中松动、脱落等，影响射击精度。随着武器装备的发展，要求弹体的壁厚减薄，以增加爆炸威力，满足这一设计要求势必需要导带槽的深度减小，因此导带焊接技术引起广泛关注与研究[1-4]。导带熔敷焊接技术是目前国际上先进的导带焊接技术，其原理为：采用高频感应电流作为热源，将预
机械制造与自动化 2018年5期2018-11-05
- 光器件应用改性Ge的能带结构模型∗
导体在应力作用下导带各能级变化可由形变势模型给出,合金化作用可由Sn和Ge相关参量的线性插值表征[12,13].(001),(101),(111)双轴应变Ge导带各能级变化公式如下(式中各参量物理意义和数值详见表1):图1 单轴应力示意图Fig.1.Diagram of uniaxial stress.表1 IV族半导体导带形变势参数(所有物理量单位均为eV)[12,13]Table 1.Deformation potential parameters o
物理学报 2018年19期2018-11-03
- 交换场和非共振光对单层MoS2能带结构的调控*
层MoS2价带与导带之间的能隙，可以得到新的半金属性和金属性二维材料.[12-14]笔者将利用紧束缚近似下的低能有效哈密顿模型，研究外部磁近邻交换场和非共振圆偏振光对单层MoS2电子能带结构的调控作用.1 模型与方法图1 MoS2纳米场效应管模型Fig. 1 MoS2 Nano Field Effect Transistor Model构建基于单层MoS2的场效应晶体管模型(图1)，其中单层MoS2置于中心区域并受到磁近邻交换场作用和非共振圆偏振光的辐照.
吉首大学学报（自然科学版） 2018年3期2018-07-03
- (001)面双轴应变锗材料的能带调控
构建应变Ge材料导带结构、价带结构以及带隙的相关数值模型，最后得到了Ge半导体的禁带宽度与应变之间的函数关系式。2 模型的构建2.1 应变对Ge晶体对称性的影响晶体的对称操作与系统的哈密顿量相互关联，通过分析晶体的对称性也能够获得半导体能带结构的一些重要特征。选择合适晶向或晶面对晶体施加适当的单或双轴应变可以改变晶体结构的对称性，因此，通过分析半导体晶体结构的对称性是研究应变对半导体能带结构影响的有效而又直观的方法之一。根据形变势理论[19-21]，半导体
材料科学与工程学报 2018年3期2018-06-26
- 单轴应变锗带隙特性和电子有效质量计算
渊区给定点附近的导带和价带结构，通常用于计算载流子的有效质量和运输特性．目前，针对应变Ge能带结构和运输特性的研究主要集中在价带和空穴迁移率增强方面[4-5]，关于导带结构，特别是与电子散射和运输密切相关的有效质量的理论研究相对较少．此外，已有研究表明双轴应变Ge可以从间接带隙转变为直接带隙半导体，并具有与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体相比拟的光增益，可用于光电子器件的设计[6-7]．与双轴应变相比，单轴应变具有一些显著的优点，例如，在高垂直电场下维持空穴迁移率增益，
西安电子科技大学学报 2018年3期2018-06-14
- 双轴拉伸应变对锗能带退简并的影响
e的倒空间中由于导带最小值位于布里渊区L点，与价带最大值不在同一位置，因此Ge是一种间接带隙材料，而在间接带隙材料中间接导带谷电子与价带顶空穴复合时动量不守恒，此时电子与空穴复合需要声子的辅助，所以电子空穴对复合效率很低，因此发光效果不好[4]。应变作为能带调节的一种方式，越来越受到人们的关注，应变Ge作为高效发光材料也越来越受到人们的青睐。这是因为施加应变时，导带Γ点的能量比L点下降的速率快，因此更多的电子将注入到直接导带Γ谷，直接导带谷电子与价带顶空穴
上海金属 2018年1期2018-04-09
- 半导体中载流子复合的类型
激发时可以跃迁到导带，同时在原来的位置留下一个空穴，从而形成了电子－空穴对。由于这些电子和空穴在电场作用下可以定向移动，所以也称为载流子。位于导带的电子实际上处于一种高能量的亚稳态，它有自发回归到价带从而降低能量的倾向，如果电子跃迁回价带，它将填补空穴，导致电子－空穴对的消失，这个过程就是复合。1 辐射复合导带中的电子直接跃迁回价带，并释放一个光子或多个声子，这个过程称为直接复合。如果只辐射光子，那么这种直接复合也是一种辐射复合。需要注意，尽管激发时电子吸
山东化工 2018年23期2018-03-29
- Fe, Co, Ni 对NaNbO3的电子结构与光催化性能影响的密度泛函理论研究
的带隙间能级位于导带下面1.06 eV, Co-NaNO3的带隙间能级 位于导带下方0.51 eV，Ni-NaNbO3的带隙间能级位于导带下方0.55 eV，这些能级将为电子从价带到导带的跃迁提供桥梁，从而使得电子吸收光谱发生红移，对太阳光的光响应范围增大，提高NaNbO3光催化活性。表1 优化得到的NaNbO3及Fe-NaNbO3, Co-NaNbO3和 Ni-NaNbO3的晶胞参数Tab.1 The optimized lattice paramete
陶瓷学报 2018年1期2018-03-22
- 影响圆网印花精度的因素
花机要达到圆网同导带的同步，也就是要将圆网镍网的运行速度，无论在导带稳速或变速的情况下，严格地控制在导带运行速度的-0.2%至-3%范围内，即：通常所讲圆网同导带间的速差稳定。因此，我们必须在设计时分别考虑主电机带轮、过渡轴带轮、蜗轮蜗杆减速箱、主辊直径、导带或织物厚度等影响导带速度的因素；还同时需要考虑圆网同导带间隙、网头、网头传动齿轮的速比、网头传动齿轮箱速比等影响圆网速度的因素。当然，除此之外，机械配合公差、传动磨损也是需要研究的，最后使得圆网和导带
纺织机械 2017年12期2018-01-04
- 张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节
。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移，N型掺杂使费米能级偏移，从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时，锗变为准直接带隙，直接带隙为0.53 eV。当单独掺杂N型杂质9.5×1019cm-3时，锗的费米能级到达Γ带底。引入适量的张应变和N型掺杂浓度，既有利于锗能带结构的调节，又有利于材料的实际制备。研究结果为锗发光器件的设计和制作提供借鉴。锗；张应变；n型掺杂；能带；发光器件引言制备兼容于硅（Si）互补金属-氧化物-半导体（CMOS）工
深圳信息职业技术学院学报 2017年3期2017-12-09
- Modification of CaO-based sorbents prepared from calcium acetate for CO2 capture at high temperature☆
，可以较快地与硅导带和价带交换电荷,促进了电子通过热运动由价带跃迁到导带，导致表面有效产生速度se增大。由式(1)可知，se增大，Js将增大。电子辐射引起的位移效应，在像素单元体耗尽区内产生大量的体缺陷，这些缺陷能级在禁带中起到产生-复合中心的作用，使耗尽区载流子寿命τg显著减小，由式(2)可知，τg显著减小，Jg将显著增大。Compared with CaO–CaAc2,the skeleton supporting structure made by
- 固溶体光催化材料的研究进展
电子吸收光跃迁至导带，产生光生电子和空穴对；(2)光生电子和空穴从半导体内部向表面迁移；(3)光生电子和空穴在表面与吸附物分别发生氧化还原反应。一方面，由于宽的本征带隙，传统半导体光催化材料如 TiO2和 SrTiO3等的光响应位于紫外光区，因此这些材料只能吸收和利用很小一部分的太阳能。另一方面，在光催化反应过程中，很大比例的光生电子和空穴在半导体的内部或表面发生复合，以发光和发热的形式散发部分能量。因此，大部分光催化材料太阳能转换效率非常低，不能满足大规
物理化学学报 2017年2期2017-03-10
- 双波泵浦非对称量子阱的光学整流效应
流系数表达式，在导带为抛物线形和非抛物线形两种条件下对进行对比研究。计算结果表明，其偶极跃迁矩阵元随量子阱总阱宽的增大而逐渐减小。当固定量子阱总阱宽及其中一束泵浦光波长不变时，随着另一束泵浦光波长的增加，呈现出先增大后减小的变化趋势。当深阱为7 nm、总阱宽为23 nm、两束泵浦光相等为10.64 μm时，达到最大值5.925×10-6m/V;随着总阱宽的增大，曲线呈现“红移”现象，其原因为量子限制效应导致了不同阱宽条件下的量子阱能级值差不同，从而造成满足
发光学报 2016年2期2016-10-28
- 组元厚度结构对层状声子晶体导带的影响
构对层状声子晶体导带的影响唐启祥，邱学云，胡家光（文山学院信息科学学院，云南文山663099）以三组元层状声子晶体为例，采用一定的中心频率确定各组元的中心波长，以各组元中心波长的倍数为该组元的厚度系数，以不同组元与某一组元的厚度系数之比为相应的厚度系数比，采用传输矩阵法计算传输特性，研究了不同厚度系数、厚度系数比及原胞数对声子晶体的传输特性的影响。结果显示，导带分布具有非常完美的对称性，且每个导带的频率中心值、导带宽度以及相邻导带频率中心的间隔均随厚度系数
大理大学学报 2016年6期2016-09-23
- 丝网印刷 专利产品集锦
一种圆网印花机的导带内侧清洁装置专利申请号：CN201520343044．4公开号：CN204736561U申请日：2015．05．25公开日：2015．11．04申请人：湖州宏鑫绸厂本实用新型公开了一种圆网印花机的导带内侧清洁装置，包括机架、导带，所述机架上固定有驱动电机，所述驱动电机的输出轴上连接有转轴，所述转轴的一端固定有一对连杆，所述连杆的一端连接在转轴上、另一端固定连接有轴承座，连轴的两端分别铰接在两个轴承座上，所述连轴中部通过轴承插套有压辊，所
网印工业 2016年2期2016-09-19
- 冲压成型触点摩擦副力特性设计与优化
其一、电刷触点与导带的接触正压力。电刷触点和导带的配合状况。其二、电刷触点或导带可参与磨损并损耗的体积，姑且称之为接触体积。本文将以冲压型铜合金触点油位传感器为例，围绕接触副力特性的这两个方面展开。1 冲压型油位传感器接触副的构成冲压型油位传感器的接触副由电刷触点和烧结在厚膜电阻片上的导带构成，电刷触点与电阻片导带的接触部位，通过直接冲压成型的方式获得。2 力特性的设计与优化2.1接触体积设计与优化冲压型触点典型失效模式为冲压触点接触部位过度磨损引致的断裂
山东工业技术 2016年14期2016-09-07
- 杭州开源设备入选国家印染行业推荐目录
源彩虹7系列高速导带数码印花机。近日，杭州开源电脑技术有限公司的“彩虹7系列高速导带数码印花机”经过中国印染行业协会严谨的考察及评定后，成功入选第9批《中国印染行业节能减排先进技术推荐目录》。据介绍，此次入选的彩虹7系列高速导带数码印花机采用国际领先的数码喷印技术，优选部件，精工制造，经久耐用，稳定高效，并可有效降低维护费用，能够满足7天×24小时不间断运行要求，日产量达8000平方米～20000平方米，最高打印精度1200dpi，门幅有2.1M/2.8M
纺织机械 2016年1期2016-05-31
- 层状声子晶体横波带隙结构研究
影响。结果显示，导带和禁带均匀分布，但宽度一般不等；导带、禁带的中心均随厚度系数增大而向低频段移动，同时，导带和禁带宽度也随之减小；随着原胞数的增加，导带中心、禁带中心及导带宽度及禁带宽度没有发生变化。声子晶体；横波；带隙结构1992年，M. M.Sigalas和E. N. Economou 首次从理论上证实了弹性波带隙的存在[1]。1995年，M. S. Kushwaha等人在研究镍/铝二维固体周期复合介质时第一次明确提出了声子晶体的概念[2]。通俗地说
文山学院学报 2016年6期2016-04-13
- 掺镁铝酸钙光学性质的理论计算
强相互作用占据着导带底部，镁杂质能级进入导带靠近导带底部是决定掺杂材料光学性质的主要因素.掺镁铝酸钙；杂质能级；光学性质；第一原理单铝酸钙是原始球粒陨石中几种高压相的主要成分之一，起初作为新型水泥，仅限于建筑工程施工[1]，直至1996年研究人员发现掺有稀土元素，如铕Eu、镝Dy、钕Nd等的此种化合物有着比传统硫化物磷光体发光强度高5～10倍且余辉时间长达20 h的优良发光性能后，才被广泛关注[2].此后，科研工作者详细研究了Eu2+激活的铝酸盐(MAl2
鞍山师范学院学报 2016年6期2016-02-06
- 碳掺杂WO3电子结构的第一性原理研究
合适的禁带宽度、导带和价带电位.TiO2因其化学性质稳定、抗光腐蚀能力强、难溶、无毒、低成本，是研究中使用最广泛的光催化材料.但是，TiO2的禁带宽度达3.2eV，光吸收仅限于紫外光区，只能响应占太阳光谱约5%左右的紫外光，太阳能利用率很低.再加上光生电子空穴对的复合率高，太阳能利用效率仅在1%左右.因此，要提高太阳能利用效率，就必须扩大催化剂响应太阳光波长的范围，即减小半导体催化剂的带隙至2 eV 左右.这其中，WO3吸引了人们的注意.WO3是一种n 型
湖南师范大学自然科学学报 2015年4期2015-12-22
- 石墨烯能带中的重叠矩阵效应:Tight-Binding方法在模拟中的研究
服能带间隙跃迁到导带，因此对石墨烯能带的研究是非常有意义的，这对逻辑电路和其他电子设备的应用是必不可少的［4］.认识石墨烯，首先就必须对其的能带有足够清晰的了解. 无论从实验上还是理论上，前人都已经做了相当全面的工作. Konschuh 等人［5］主要研究了考虑自旋-轨道(s，p，和d)耦合的紧束缚模型，重点研究了d 轨道对高对称点(K 点)能带的影响. Harrison［6］从方法学的角度，利用Louie 微扰法，在紧束缚模型中引入了s 轨道激发态，这种
原子与分子物理学报 2015年1期2015-07-13
- 滇西北地区地磁台阵观测的短周期变化特征研究
具有北北西走向高导带特征。不同周期垂直分量变化幅度和水平分量变化幅度的比ΔZ/ΔH的等值线图反映了高导带的走向和位置随深度的变化情况。通过对8个测点转换函数的计算，获取了2～256 min周期范围内的威斯矢量，结果显示在分界线两侧威斯矢量的指向大体上相互背离，且威斯矢量的大小和指向随周期的增大不断变化。根据研究区内大地电磁测深结果，计算出周期—视等效深度曲线，可知高导带从中下地壳一直延伸至上地幔，且高导带的位置和走向随深度不断发生变化。利用三维交错采样有限
地震科学进展 2015年9期2015-03-29
- 应变Si1－xGex(100)电子有效质量研究*
子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量，导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量)进行了系统的研究。结果表明:应变Si1－xGex/(100)Si材料导带能谷电子纵、横向有效质量在应力的作用下没有变化，导带底电子态密度有效质量在Ge组份较小时随着x的增加而显著减小，沿［100］方向的电子电导有效质量随应力明显降低。以上结论可为应变Si1－xGex/(100)Si材料电学特性的研究提供重要理论依据。关键词:应变Si1－xGex;有效质量; K-P(K
电子器件 2015年4期2015-02-23
- 飞虎科技推出两款新型数码印花机
：FH-052D导带数码印花机和FH-052P平板数码印花机。据悉，FH-052D导带式数码印花机是飞虎最新的直喷设备，采用印花导带的输送方式，增加了导带自动水洗装置、烘干系统，包含传统印花机的大部分功能；采用先进的伺服传动系统，保证印花对位的准确性，可以在棉、亚麻、化纤、尼龙、丝绸、羊毛等面料上实现数码印花生产，同时实现了低能耗、无污染、无噪音的绿色生产过程。FH-052P平板数码印花机是针对毛衫、服装裁片印花、家纺等领域研发的高端数码印花系统，其高效、
纺织机械 2014年8期2014-12-19
- (101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响*
轴应力下Si材料导带E-k解析模型，重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下，沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小，沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下，Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。应变张量;简并度;晶
电子器件 2014年1期2014-09-28
- N和硫属元素掺杂及共掺杂TiO2第一性原理计算
N的2p轨道占据导带顶部［3］，致使N掺杂TiO2的效率并不高。因此，一些研究者对N和硫属元素进行了一些研究。Jenks W S等［4］指出，经Se掺杂TiO2之后，在可见光区域具有更快的降解速率，表现出更好的光催化性能。高洪宝等［5］运用第一性原理计算指出，N和S掺杂TiO2之后，S引入杂质带在价带和导带之间，从而电子从价带向导带的跃迁变得容易。时白成等［6］计算分析了阴离子掺杂TiO2的电子性质，认为，带间能级的出现使阴离子取代型S掺杂后吸收光谱发生红
山西化工 2014年1期2014-09-11
- 1维光子晶体中两种偏振光的场分布
光强迅速衰减；在导带范围内，随着TM波和TE波在1维光子晶体中传播深度的增加，其光强不会衰减。这一结果对1维光子晶体中TM波和TE波的禁带和导带的形成的认识是有帮助的。光电子学；光子晶体；偏振光；光强；位相差引 言光子晶体的概念自JOHN和YABLONOVITCH于1987年提出来后，由于利用光子晶体的带隙可以十分方便地控制光波的传播，对光子晶体的研究很快成为光学的前沿领域内一个活跃的课题。在光子晶体的研究中由于1维光子晶体的结构最简单、研究最方便，但它却
激光技术 2014年5期2014-04-17
- 一维缺陷光子晶体传输特性研究
每个禁带中心都有导带出现，M值越大，禁带的反射率越大，边缘越陡峭，且导带的反射率先增大后减小。当M＝4时，禁带中心导带的反射率最低，透射效果最好，而且在p取0～4之间时，禁带中心导带的透射率较好，p值增大，透射率变差。当M＞8或M＜2时，禁带中心几乎没有导带，因此缺陷层所处的位置对晶体禁带中心的导带有很大的影响。图2 介质层周期数变化对传输特性的影响各介质层的折射率和m值不变，改变周期数N和M 的数值，进行多次仿真研究发现：后面周期介质数比前面周期介质数少
机电信息 2014年6期2014-03-06
- 一种双频双圆极化共面波导馈电缝隙天线
面相连一个倒L型导带[1]或两个螺旋型导带[2]来实现双频圆极化，或是包括导带蚀刻天线[3]，双单极子天线[4－6]，圆环缝隙天线[7]在内的各种结构都可以实现圆极化性能。2008年，J．Y．Sze提出了添加一对倒L型接地带的共面波导馈电缝隙天线[8]。文中，利用改进的开口接地环形导带以及添加水平短截线的结构来使所设计天线实现双频双旋向圆极化辐射。仿真和实验结果表明了所设计天线的性能，它可以应用在GPS和WLAN系统上。1 天线设计所设计的天线采用厚度为1
电子设计工程 2014年21期2014-01-21
- 圆网印花机误差分析与系统改进
是由各个圆网跟随导带的速度进行转动，导带速度发生波动时，导带辊电机光电编码器发出的脉冲信号也会发生变化，那么导带辊电机光电编码器发出的信号，经电子齿轮后发给各个圆网伺服驱动器的信号也会变化，正是由于这种变化实现了各个圆网与导带的跟随。但这种跟随会产生一定误差，本文分析了误差产生的原因，并对系统进行了改进。1 误差产生原因圆网印花机印花产生的误差主要有两个来源:(1)机械原因，主要是机械加工精度造成的，可以通过适当的措施来补偿。(2)电气控制原因，各个圆网与
电气自动化 2013年2期2013-12-14
- 固-固无限周期声子晶体中SH波全反射隧穿的谐振理论*
减波,SH波出现导带.其色散函数利用(13)式绘出色散函数F的图像,在F的图像中,F＜0对应禁带,F≥0对应导带.3 隧穿效应波从波速小(c0)的介质入射到波速大(c1)的介质的分界面时会发生全反射现象,当SH波从有机玻璃中入射到该声子晶体时,其全反射角为θm=arcsin c0/c1=0.333 rad.SH波以大于全反射角入射该一维声子晶体时能否出现全反射隧穿现象呢?计算出SH波以入射角θ0=0.55 rad入射该一维固-固无限周期声子晶体其色散函数F
物理学报 2013年4期2013-12-12
- 第一性原理研究稀土掺杂ZnO结构的光电性质*
以看出,价带顶和导带底都位于G点处,说明ZnO是直接带隙半导体,带隙为0.73 eV.这一计算结果与关丽等[26]得到的计算结果(0.72 eV)十分接近,但是与ZnO的实验禁带值3.37 eV差距明显,这是因为采用密度泛函理论计算晶体的结构时,禁带普遍偏低.对于本文的本征ZnO结构而言,由于Zn 3d态的能量被过高估计,使得其与O 2p态之间的互作用增强,价带带宽增大,因此带隙偏低.但理论计算与实验之间带隙的偏差并不影响对ZnO电子结构及相关性质的理论分
物理学报 2013年4期2013-12-12
- BaZrO3和CaZrO3电子结构及光学性质的研究
在R点和M点, 导带底出现在G点, 属于间接带隙结构, 带隙宽度为3.144eV. 在-10～-20eV能量区域内, 有两条能带与其他杂化带分开, 这两条能带主要来源于Ba原子的p态和O的s态电子与导带间的杂化作用, 其他大于-10eV的能量主要来源于Zr原子的d态和O原子的p态电子与导带间强烈的杂化.图2给出了BaZrO3总态密度和各元素的分态密度.由图2可知, 价带和导带都来源于Ba原子和Zr原子的d态和O原子的p态电子间的杂化. 价带顶态密度主要由O
淮阴师范学院学报（自然科学版） 2013年1期2013-11-02
- 堆叠方法与堆叠层数对扶手型石墨烯纳米带电子能带的影响*
带;E-为能量的导带．1．2 少层扶手型石墨烯纳米带1．2．1 AA 堆叠法图1为AA堆叠双层AGNRs，所有1层碳原子直接对应2层碳原子(上下对称)．单位晶包共有2N个碳原子，同层内的碳原子间键长为a=0．142 nm，两层石墨的间距为b=0．335 nm．为解出能量本征值，由薛定谔方程得到的哈密顿矩阵［Hij］是一个4×4矩阵图1 AA堆叠双层AGNRs其中:H11，H12，H21，H22均为2 ×2 的方阵．最后得到本征能量为式(5)中:E±1分别为
浙江师范大学学报（自然科学版） 2012年2期2012-12-17
- 一维掺杂光子晶体结构参数对带隙结构影响
心出现一个极窄的导带，该导带深度会随着掺杂的位置和自身性质的改变，而影响禁带中心导带的深度。目前关于一维光子晶体的研究非常多［3－8］。本文从一维掺杂光子晶体的基本结构出发，利用传输矩阵法寻找到当杂质处在某个特定位置时，禁带中心导带深度最大，在此基础上通过改变基本层厚度，来研究基本层厚度变化对禁带中心导带深度的影响程度。1 一维掺杂光子晶体结构及理论分析一维光子晶体的基本结构可以是由两种不同折射率(n1，n2)和不同厚度(a，b)的各向同性介质薄层交替排列
延安大学学报（自然科学版） 2012年1期2012-01-25
- 不同晶系应变Si状态密度研究*
角晶系应变 Si导带、价带态密度模型.结果表明，除单斜和三角晶系导带底态密度外，应力对其余各态密度均有显著影响.本文所得模型数据量化，可为应变Si材料物理的理解及其他物理参数模型的建立奠定重要理论基础.应变Si，KP，态密度PACS:71.20.－ b，71.15.－ m，71.20.mg1.引 言应变Si是当前国内外研究发展重点，在高速/高性能CMOS器件和电路，以及光电子器件中有广阔的应用前景［1—3］.由于晶格失配，弛豫 Si1－xGex衬底上可外延
物理学报 2011年4期2011-10-25
- (001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构*
晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.单轴应变硅，K·P法，能带结构PACS:71.15.－ m，71.70.Fk1.引 言应变硅由于具有载流子迁移率高、能带结构可调、并与硅的微电子技术相兼容等优异特性，成为提高器件与电路性能的首选方案［1］.在硅中引入应变的方法常见有衬底致双轴应变和工艺致单轴应变.与双轴应变相比，单轴应变以其在低应变和高垂直电场下可以更大程
物理学报 2011年2期2011-10-23
- 拉伸形变下BC3纳米管的能带结构*
，BC3纳米管的导带能级和价带能级逐渐靠近，最终发生能带交叠.压缩形变下能带的交叠程度可达0.5 eV，而拉伸形变下只有0.2 eV.对于扶手椅型BC3纳米管，随着拉伸和压缩的不断增加，BC3纳米管首先由直接半导体转化为间接半导体，进而发生能带的交叠，表现出金属性.在无形变时，扶手椅型BC3纳米管是一种很不稳定的直接跃迁窄带半导体，轻微的压缩形变(et=－0.003)都可以使其转化为间接半导体.对于锯齿型BC3纳米管，由于存在平坦的导带和价带，轻微的拉伸和
物理学报 2010年6期2010-09-08
- C 掺杂锐钛矿相TiO2吸收光谱的第一性原理研究*
能量的光子跃迁到导带，所以从理论上可以计算出掺杂后的TiO2在可见光范围内存在两个吸收边，与实验中所得到的现象相一致.C掺杂，锐钛矿TiO2，能带结构，吸收光谱PACC:7115A，7115H，7210，71201. 引言TiO2由于具有良好的电［1，2］、磁［3］、光催化［4］和电化学性质［5］，在过去的几十年里被广泛研究;同时，TiO2在实际应用中也得到了广泛的开发，例如，用作催化剂、传感器、颜料［6］等.特别是自从1971年，Fujishima和Ho
物理学报 2010年4期2010-09-08
- 硅基超晶格Si1－xSnx/Si的能带结构
，价带顶在Γ点，导带底在Γ-X方向上的X点附近(约85%处).由于动量守恒的要求，电子的间接跃迁必须借助于其他准粒子过程，如声子的参与，其跃迁概率远小于直接跃迁.因此，体Si不是一种合适的发光材料，直接在Si材料上实现全Si光电子集成是一件几乎不可能的事情.于是，多年来世界上许多科学家把注意力集中到Ⅲ-Ⅴ及Ⅱ-Ⅵ族化合物这些直接带隙材料上，将其作为一种重要的光电子材料和器件，研究它们与Si芯片的兼容性问题.虽然已经获得某些进展，但是由于化合物材料的极性晶面
物理学报 2010年7期2010-09-08
- 氮铁共掺锐钛矿相TiO2电子结构和光学性质的第一性原理研究*
Fe共掺杂同时在导带底和价带顶形成了杂质能级，使TiO2的禁带宽度变窄，光吸收带边红移到可见光区，这些杂质能级可以降低光生载流子的复合概率，提高TiO2的光催化效率;与Fe掺杂TiO2的态密度相比，共掺杂位于价带顶的杂质能级的态密度峰明显增大，导致电子从杂质能级跃迁到导带的概率增加，使其对太阳能的利用率提高;在不考虑杂质能级的情况下，与纯TiO2相比，N，Fe共掺杂TiO2的带边位置只有微小变化，因此N，Fe共掺杂TiO2的强氧化还原能力得以保持.第一性原
物理学报 2010年7期2010-09-08
- LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术
破其工艺难题，如导带与通孔柱形成技术、通孔的接触电阻及断台和介质层质量等问题，才能真正掌握LTCC上薄膜多层布线技术。2 LTCC上薄膜多层布线技术薄膜多层布线技术主要有LTCC基板－薄膜界面加工和互连技术、导带及通孔形成技术、介质膜加工技术等。2.1 LTCC基板－薄膜界面加工和互连技术为了在LTCC 基板上制作多层薄膜布线，共烧后的多层LTCC基板必须进行表面平整化、致密化、洁净化处理，并使其能兼容薄膜工艺，与淀积薄膜（金属膜、介质膜）有较高的结合强度
电子与封装 2010年4期2010-02-26