SiP协调设计和PI解析（6）

蔡积庆 译

（江苏 南京 210018）

但是以芯片电容为主的实际电容元件本身具有小的L或者R成分。这些L或者R成分相对于本来的电容C系统因为表现出等效串联连接的性质，所以称为等效串联（连接）L（ESL=Equivalent Serial L）和等效串联（连接）R（ESL=Equivalent Serial R），如图32所示。图33表示了理想电容C电抗XC与信号频率的关系，而图34表示了实际电容C的特性。由图34可知，当信号频率低时电容C表现出理想电容的特性，但是如果信号频率提高，元件具有的小的ESL的电抗XL就会变大，电容C的阻抗与信号频率就会成比例的提高。

图32 实际的元件C具有L和R

图33 相对于信号频率的C的电抗XC

图35表示了在基板上配置的旁路电容。IC的电源针地线针之间无论怎样有效的配置旁路电容，元件针（球）或者互连扳，连接引线等具有L成分也存在于旁路电容和IC芯片的电源GND焊盘之间。配置在基板上的旁路电容中，由于电容本身具有的L成分，以及存在于从旁路电容到IC芯片的电源GND焊盘之间的L成分而不能出去SSO噪声。

图35 在基板上配置旁路电容

一般在基板上配置的旁路电容中，对于数+MH2以下的SSO噪声是没有效果的。为了出去封装的球或者互连板线路所具有的L成分产生的SSO噪声，封装的球或者互连板线路与IC芯片的电源GND焊盘之间有必要配置电容。特别高速并流过大电流的LSI中，封装内部也要配置电容，这称为ON·封装·电容器（On-Package Decoupling Capacitor），如图36所示。因为互连板上或者基板没有配置电容的余地，On-Package Decoupling Capacitor与基板上的电容相比虽然使用小型元件的数量不多，容量也小，但是对于100 MHz以上的SSO噪声是有效的。……