电子电镀添加剂的分子设计

贺岩峰，张莹莹，高学朋，陈春，孙红旗

（1.长春工业大学化工学院，吉林 长春 130012；2.上海新阳半导体材料股份有限公司，上海 201616）

【电镀】

电子电镀添加剂的分子设计

贺岩峰1,*，张莹莹1，高学朋1，陈春2，孙红旗2

（1.长春工业大学化工学院，吉林 长春 130012；2.上海新阳半导体材料股份有限公司，上海 201616）

提出了电镀添加剂设计的概念，给出了锡基电子电镀添加剂设计的基本方法。由于电镀添加剂作用的复杂性，要得到性能优异的添加剂，必须从分子水平上对添加剂进行设计，而添加剂在镀层中的夹杂是通过化学夹杂和物理夹杂引起，从分子水平上设计的低吸附型镀锡添加剂可以减少有机分子的夹杂。

电子电镀；镀锡；添加剂；分子设计

1 前言

锡及其合金的电镀在电子电镀中占有重要的地位，应用很广泛，如电子器件引线脚的电镀、BGA封装的凸点电镀、印制板的锡保护层电镀等。镀锡属于交换电流密度较大、电化学反应速率较快的类型，通常具有较低的超电压。无添加剂的酸性镀锡只能得到多孔、疏松、粗糙的树枝状或针状镀层[1]，所以镀锡是典型的需要添加剂才能进行的电镀过程。

添加剂的作用主要是通过可控的电沉积过程对电沉积层的性质和质量实现调控，主要包括形貌控制、尺寸控制、结晶结构控制、组分控制及功能性质(如可焊性、耐蚀性、导电性、磁性、光学性质、催化性质)的控制等。基质(衬底)的性质(如表面组成、化学态、杂质及缺陷和表面不均等)常会对沉积层的性质产生影响，所以通常需要用添加剂来进行控制[2]。……