垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试
2015-12-31 18:07王东兴王泽英王玥玥张永霜王玥
哈尔滨理工大学学报 2015年4期
王东兴+王泽英+王玥玥+张永霜+王玥
摘要：传统有机材料的场效应晶体管（FETs）具有工作速度低、驱动电压高的缺陷，针对这个问题，垂直结构的酞菁铜（CuPc）有机薄膜晶体管（VOTFTs）被制备，整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺，器件的层叠结构为Au/CuPc/Al（半导电）/CuPc/Au，其中半导电Al栅极薄膜的制备是十分重要的。endprint
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