阎建辉,邓小梅,卢建红,杨海华,*
(1.湖南理工学院化学化工学院,湖南 岳阳 414006;2.四川轻化工大学材料科学与工程学院,四川 自贡 643000)
由Narcus在19世纪中期开创,被Cahill、Zeblisky等人实现的化学镀已被广泛应用于电子行业。通常,化学镀铜主要基于单一配位剂体系,尤其是 Rochelle盐(酒石酸钾钠)或乙二胺四乙酸(EDTA)。酒石酸钾钠是最早在化学镀液中使用的主要配位剂,但由于其沉积速率低和稳定性差而被限制了进一步的应用[1]。EDTA镀液可以在较高温度下获得更高的沉积速率,但是EDTA的低反应级(−0.04)导致自催化反应的可调空间有限,并且存在镀层表面粗糙、晶粒大,以及废水处理困难等问题[2-4]。近年来开发的新型配位剂四羟丙基乙二胺(THPED)具有较高的解离速率常数,并且通过改变其浓度就可以轻易控制沉积速率[5-6]。
N,N−二甲基甲酰胺[7]、2,2′−联吡啶[8]、聚乙二醇[9]、亚铁氰化钾[10]等各种添加剂已被广泛用于控制沉积速率和改善化学镀铜层的形貌。作为含硫的阴离子表面活性剂,N,N−二甲基−二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)尚未在铜电镀或化学镀溶液中用作痕量添加剂。于是本文研究了DPS对THPED体系化学镀铜的影响。结果表明,添加DPS不仅可以提高沉积速率,而且有利于获得纯度高、均匀、结晶细致的Cu镀层。这项工作为基于DPS添加剂和THPED配位剂组合的低成本、高效的化学镀铜铺平了道路。
CuSO4·5H2O,上海凌峰化学;THPED,陶氏化学;甲醛(37%),湖北奥生化学;聚乙二醇6000、氢氧化钠,国药试剂;亚铁氰化钾、2,2′−联吡啶,阿拉丁;DPS,武汉博莱特化工。……