胡 婷,乐 欢,高建河,郑庆立,汪 钦,徐红春
(1.武汉邮电科学研究院,武汉 430074; 2.武汉光迅科技股份有限公司,武汉 430074)
自2019年6月工信部正式向中国电信、中国移动、中国联通和中国广电发放5G商用牌照以来,我国正不断推进5G网络建设进度。5G超高速率、超低时延和超大连接的技术特点不仅提升了用户的网络体验,还推动了人们对未来生活方式的畅想:万物互联,智慧城市。这些应用场景需要更大的带宽、更高精度的时间同步以及海量连接,因此对接入网有更高的要求。5G建设中后期,无线接入网将以分布式无线接入网(Cloud-Radio Access Network,C-RAN)为主,从小集中向大集中演进,中大规模的C-RAN组网也将成为5G前传主流场景[1-2]。为此,中移动提出了中等波分复用(Medium Wavelength Division Multiplexing,MWDM)方案,其主要包括有源天线处理单元侧的彩光模块和无源波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)器以及分布单元侧的有源WDM设备。该方案既能节约光纤资源,支持远程管控,相对有源WDM方案,其还更节约成本[3]。
中国移动提出的25 Gbit/s MWDM方案是在粗WDM方案前6波成熟产品的基础上,通过半导体制冷器(Thermo Electric Cooler,TEC)将这6波分别向左和右平移3.5 nm,从原有的6波扩展成了12波,从而该方案可以借鉴粗WDM方案中直接调制分布反馈(Distributed Feed Back,DFB)激光器的成熟设计经验及工艺控制手段。本文所介绍的MWDM彩光器件,使用55 ℃时工作在中心波长的直接调制DFB芯片配合TEC进行控温,采用成熟稳定的同轴封装形式即可满足要求。
25 Gbit/s MWDM 的光发射组件(Transmitter Optical Subassembly,TOSA)主要由固定波长DFB激光器、热敏电阻、高频过渡块、背光探测器、钨铜垫块、TEC、晶体管外形(Transistor Outline,TO)底座、TO帽、管体和光适配器等组件构成。……