血管性认知障碍与脑梗死部位及定量脑电图的相关性

2018-12-20 06:32周足妹蒋启荣
现代实用医学 2018年11期
关键词:全脑颞叶额叶

周足妹,蒋启荣

血管性认知障碍(VCI)作为引起老年痴呆的重要原因,是由头部血管疾病(脑梗死、脑出血等)及其危险因素引起的不同程度的认知损害综合征,随着人口老年化,其发病率及病死率越来越高[1]。不同原因造成的大脑电生理和功能变化均可引起脑电波的变化,脑电图已成为了解脑功能状态的重要检查。由于VCI在病因、发病机制、临床症状及影像学等多方面存在明显的异质性[2]。本研究通过研究VCI与脑梗死部位、定量脑电图的相关性,旨在为VCI的早期诊断及治疗提供参考依据。报道如下。

1 资料与方法

1.1 一般资料 收集浙江省永康市第一人民医院2017年1月至2018年1月住院治疗的脑梗死患者98例,根据有无VCI分为实验组和对照组,各49例。对照组男23例,女26例;年龄50~79岁,平均(60±10.3)岁;平均病程(16±8.3)月;合并高血压37例,合并糖尿病26例,合并高脂血症31例。实验组男20例,女 29例;年龄 51~ 75岁,平均(61±10.7)岁;平均病程(15±7.6)月;合并高血压35例,合并糖尿病29例,合并高脂血症33例。两组上述资料差异均无统计学意义(均P>0.05)。

1.2 纳入与排除标准 纳入标准:实验组患者均符合《中国血管性认知障碍诊疗指导规范(2016版)》[3]中规定的标准。排除标准:阿尔兹海默病患者;帕金森病、中枢神经系统疾病、精神疾病等其他原因引起的认知障碍患者。

1.3 方法

1.3.1 头颅磁共振成像检查 入院后对患者应用美国 GE Discovery MR750 3.0T核磁共振仪进行头颅磁共振成像检查,应用Fuctiontool软件处理图像,由两名放射科医师对结果进行分析,记录患者的梗死灶位置。

1.3.2 脑电图检查 入院后对患者应用上海诺诚NATION7128W脑电图仪进行脑电图检查,按常规10/20系统放置电极,16 导单(O1、O2、T3、T4、T5、T6、C3、C4、P3、P4、FP1、FP2、F3、F4、F7、F8)采样,Cz作为参考电极,记录时间为30min,采样单位为8 s。功率谱划分:(8.0~12.9 Hz),(13.0 ~ 24.9 Hz),(4.0 ~7.9 Hz),(1.0~ 3.9 Hz)。定量脑电图分析指标:脑电图空间对称指数(sBSI)和(+)/(+)比值(DTABR)。sBSI的计算公式采用Sheorajpanday等[4]应用的方法进行计算。利用脑电图仪自带的分析技术计算出DTABR值。由同一名脑电图科医师进行脑电图检查,结果由两名具有高级职称的脑电图科医师进行分析。

1.4 统计方法 采用SPSS21.0统计软件进行分析。计量资料以均数±标准差表示,比较采用t检验;计数资料比较采用2检验;危险因素分析运用Logistic回归分析模型。应用受试者工作(ROC)曲线评价研究指标对VCI的诊断价值。P<0.05为差异有统计学意义。

2 结果

2.1 两组脑梗死部位比较 实验组脑梗死部位多见于额叶、颞叶,对照组多见于枕叶,差异均有统计学意义(P<0.05);两组顶叶、丘脑、基底节差异均无统计学意义(均P>0.05)。见表1。

2.2 两组sBSI和DTABR值比较 实验组DTABR值在全脑、额叶、颞叶、顶叶、枕叶、中央部位均高于对照组(均P<0.05),且在左颞叶、左额叶、左顶叶、左枕叶、左中央部位、右颞叶、右额叶、右顶叶、右枕叶、右中央部位均明显高于对照组相应部位(均P<0.05);实验组sBSI值明显高于对照组(P<0.05)。见表2。

2.3 血管性认知障碍发生的多因素分析 脑梗死部位位于额叶、颞叶为血管性认知障碍发生的危险因素(均 P<0.05)。见表 3。

2.4 sBSI和全脑DTABR对VCI的诊断价值 ROC曲线分析显示,sBSI的曲线下面积为0.905,全脑DTABR的曲线下面积为0.937。

3 讨论

VCI最常见原因是脑部小血管病导致弥漫性皮层下白质病变,因此头部血管疾病(脑梗死、脑出血等)及其危险因素均为引起VCI的高危因素[5]。随着人口老年化,头部血管疾病的发病率越来越高,且多伴有高血压、高脂血症及糖尿病等损伤血管的疾病,由此引起的VCI已成为引起老年痴呆的重要原因[6]。特定部位的脑梗死容易发生VCI(如额叶,颞叶),当梗死灶位于其他部位时,发生VCI的概率则显著降低[7]。

本研究显示:VCI患者脑梗死部位更多见于额叶、颞叶。多因素分析显示:脑梗死部位位于额叶、颞叶为血管性认知障碍发生的危险因素。额叶约占大脑半球的1/3,几乎涉及所有的心理功能,且功能广泛复杂,其发生病损时主要引起随意运动、言语、颅神经、植物神经功能及精神活动等方面的障碍。颞叶位于外侧裂下方,颞上沟和颞下沟将其分为颞上回、颞中回、颞下回。颞叶中有听觉言语中枢、嗅味觉中枢等,其发生损害会引起记忆、听觉、言语及视野等多功能缺陷。颞叶在信息的感知、传输及加工等过程中发挥作用,当颞叶-腹内侧前额叶皮质通路受损,患者的执行能力、识别能力等功能将受损;杏仁核-海马通路参与对记忆的加工和提取,当其受损时,患者的记忆功能也将受损。因此当梗死灶位于颞叶时,也易引起患者出现VCI[8-9]。

sBSI指数在单侧颈动脉血管狭窄或夹闭时会明显升高,脑血流灌注恢复时会随之降低,有利于观测由于脑血流灌注不同,造成大脑半球间脑电活动的非对称性,对脑血流灌注降低检测有更高的敏感性。脑电图 DTABR值反映 、、、四个频带脑波的比例、分布及波幅变化情况,反映了脑损伤的病理生理变化。脑电图中 波段的功率升高是脑梗死患者认知障碍的潜在预测生物标志物,可能对早期预测脑梗死患者的认知障碍有价值。本研究显示:合并VCI的脑梗死患者的DTABR在全脑、额叶、颞叶、顶叶、枕叶、中央部位均显著高于无VCI的脑梗死患者。关于DTABR值升高的原因,主要在于 波和 波的增多以及 波的减少,其被认为是大脑功能发生改变的早期指标。DTABR值升高程度则代表着脑功能的损害程度。研究显示sBSI值与NIHSS量表评分具有明显的相关性[10],可用来监测患者脑功能变化。因此,合并 VCI的脑梗死患者的sBSI值和全脑、额叶、颞叶、顶叶、枕叶、中央部位的DTABR值显著升高。ROC曲线分析显示,sBSI值和全脑DTABR值对VCI有很好的敏感性和特异性。

表1 两组患者脑梗死部位比较 例(%)

表2 两组sBSI和DTABR值比较

表3 血管性认知障碍发生的多因素分析

图1 sBSI和全脑DTABR对VCI的诊断价值

综上所述,VCI患者的脑梗死部位更多位于额叶、颞叶,这些部位梗死是VCI发生的危险因素。VCI患者脑电图空间对称指数和 DTABR值显著升高,两者对VCI的诊断有较好敏感性和特异性。

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