BSIM射频模型综述

李艳艳，王青松，徐大为

（中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214072）

BSIM射频模型综述

李艳艳，王青松，徐大为

（中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214072）

CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术要求模型研究人员持续改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型。美国Berkeley加州大学的BSIM团队对业界标准芯片仿真物理模型BSIM进行了不断的改进与开发。主要介绍BSIM系列模型在RF应用方面的改进。相对于BSIM3v3，BSIM4添加了更多真实器件效应，BSIM5和BSIM6是为了满足射频（RF）和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型，具有对称、连续和参数少的特点。BSIM6可用于低压低功耗的RF和模拟设计。

射频；紧凑型模型；BSIM6

1 引言

无线电通讯所具有的高度灵活性使其应用日益广泛，市场的巨大需求也造成了对集成电路的需求。在硅CMOS、BiCMOS、双极工艺、GaAS MESFET、异质节双极晶体管（HBT）、SiGe器件等众多工艺中，虽然硅CMOS的高频性能和噪声性能不是最好的，但由于它的工艺最为成熟、成本最低、功耗最小，应用也最为广泛，且随着技术水平的提高，硅CMOS的频率特性和噪声特性也逐渐得到了提升。近十年来，无线电通信市场的迅速发展和繁荣，为射频（RF）集成电路提供了广阔的市场。民用方面，移动通信成为射频器件最大的应用市场。军用方面，由于应用需求相对于民用的特殊性，如更高的频率、更高的功率、更大的带宽，有些已经具备扩展到太赫兹的能力，因此具有更广阔的应用领域。CMOS工艺尺寸的持续减小将MOSFET器件的峰值传输频率推至几百GHz，这使得采用高性能、低成本、低功耗和集成度高的CMOS工艺进行射频电路设计成为了重要选择。……