用于铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置
2021-04-04 17:11:17
中国钼业
2021年3期
关键词：方法
专利申请号: CN201811013179
公开号: CN109136926A
申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
一种用于铜钼膜层的刻蚀方法和刻蚀装置，刻蚀方法包括：步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；步骤S20，在铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；步骤S30，将形成有光刻胶的基板置于刻蚀装置中；步骤S40，对刻蚀装置内部进行紫外线照射，以及向刻蚀装置内充注臭氧；步骤S50，利用刻蚀液对铜钼膜层进行刻蚀。本发明能够提高刻蚀效率和产能，另外，也能够减少刻蚀液的用量，进而降低刻蚀液的成本。
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