填孔覆盖电镀的盖帽位漏镀失效分析

陈正清 丁 琪 曹大福 宋祥群

（生益电子股份有限公司，广东 东莞 523127）

0 引言

随着电子通信产品的飞速发展，产品设计需求传输信息量大、速度快和损耗小等特点，对于被称之为“电子产品字母”[1][2]的印制电路板（PCB）提出了更高的要求。除了使用的介质材料逐步向低介电常数、低介电损耗的发展外，特殊设计如N+N结构、背钻、POFV（填孔覆盖电镀：Plating over Filled Via）等应用也越来越广泛，其中POFV设计（如图1所示）有减小产品尺寸，降低层数结构的优点，为大多数通讯类产品所使用。常规的POFV设计在PCB加工过程中按工艺流程可分为一次钻孔和二次钻孔，主要差异在于不塞孔由一次钻出还是二次钻出，两种工艺流程各有优劣[1]，POFV设计逐渐成熟的同时，其相对复杂的工艺制程对PCB塞孔、镀铜等加工过程提出了更高的要求。

图1 POFV结构

在实际生产过程中，当使用新型垂直连续电镀（VCP：Vertical Continuous Plate）进行POFV时，发现覆盖在塞孔上的树脂表面镀铜层有高比例见图2示的镀铜层缺失的问题，称之为“盖帽位漏镀”，而相同条件下其他电镀线此类缺陷比例极低。盖帽漏镀会影响产品整体的电气性能和元器件的贴装，对于下游客户端属于不可接收的缺陷。本文结合POFV工艺流程对漏镀失效影响因素进行分析，给出了盖帽位漏镀失效机理和改善方向。

图2 （a）盖帽正常与（b）漏镀图示 (随机取两个不同位置)

1 盖帽位漏镀失效分析

将漏镀区域通过小型切片机截取下来制作成切片，并沿通孔纵向研磨至对应位置，然后使用金相显微镜进行观察。……